公开(公告)号：US07298013B2

公开(公告)日：2007-11-20

申请号：US11313250

申请日：2005-12-20

申请人： Guenter Schmid ,  Marcus Halik ,  Hagen Klauk ,  Ute Zschieschang ,  Franz Effenberger ,  Markus Schutz ,  Steffen Maisch ,  Steffen Seifritz ,  Frank Buckel

发明人： Guenter Schmid ,  Marcus Halik ,  Hagen Klauk ,  Ute Zschieschang ,  Franz Effenberger ,  Markus Schutz ,  Steffen Maisch ,  Steffen Seifritz ,  Frank Buckel

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： G03F7/165 ,  B05D1/185 ,  B82Y10/00 ,  C03C17/30 ,  C03C17/38 ,  C07F7/12 ,  C07F7/1804 ,  H01L51/0075 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0595 ,  Y10S977/936

摘要： Embodiments of the invention provide a semiconductor component and a method of manufacture thereof. A semiconductor component comprises: a gate electrode layer adjacent a substrate, and a gate dielectric layer adjacent the gate electrode layer. The gate dielectric layer comprises a monolayer of at least one compound, wherein the compound has an aromatic or a condensed aromatic molecular group. The molecular group is capable of π-π interactions, which stabilize the monolayer. In an embodiment, the semiconductor component is an organic field effect transistor (OFET). In an embodiment of the invention, a method includes forming the monolayer using a liquid phase immersion process.

摘要翻译： 本发明的实施例提供一种半导体元件及其制造方法。 半导体部件包括：与基板相邻的栅极电极层和与栅极电极层相邻的栅极电介质层。 栅介质层包含至少一种化合物的单层，其中该化合物具有芳族或稠合的芳族分子基团。 分子基团能够进行pi-pi相互作用，稳定单层。 在一个实施例中，半导体部件是有机场效应晶体管（OFET）。 在本发明的一个实施方案中，一种方法包括使用液相浸渍法形成单层。

公开(公告)号：US20060175603A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：US11313250

申请日：2005-12-20

申请人： Guenter Schmid ,  Marcus Halik ,  Hagen Klauk ,  Ute Zschieschang ,  Franz Effenberger ,  Markus Schuetz ,  Steffen Maisch ,  Steffen Seifritz ,  Frank Buckel

发明人： Guenter Schmid ,  Marcus Halik ,  Hagen Klauk ,  Ute Zschieschang ,  Franz Effenberger ,  Markus Schuetz ,  Steffen Maisch ,  Steffen Seifritz ,  Frank Buckel

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： G03F7/165 ,  B05D1/185 ,  B82Y10/00 ,  C03C17/30 ,  C03C17/38 ,  C07F7/12 ,  C07F7/1804 ,  H01L51/0075 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0595 ,  Y10S977/936

摘要： Embodiments of the invention provide a semiconductor component and a method of manufacture thereof. A semiconductor component comprises: a gate electrode layer adjacent a substrate, and a gate dielectric layer adjacent the gate electrode layer. The gate dielectric layer comprises a monolayer of at least one compound, wherein the compound has an aromatic or a condensed aromatic molecular group. The molecular group is capable of π-π interactions, which stabilize the monolayer. In an embodiment, the semiconductor component is an organic field effect transistor (OFET). In an embodiment of the invention, a method includes forming the monolayer using a liquid phase immersion process.

摘要翻译： 本发明的实施例提供一种半导体元件及其制造方法。 半导体部件包括：与基板相邻的栅极电极层和与栅极电极层相邻的栅极电介质层。 栅介质层包含至少一种化合物的单层，其中该化合物具有芳族或稠合的芳族分子基团。 分子基团能够进行pi-pi相互作用，其稳定单层。 在一个实施例中，半导体部件是有机场效应晶体管（OFET）。 在本发明的一个实施方案中，一种方法包括使用液相浸渍法形成单层。

公开(公告)号：US20080275273A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US11720453

申请日：2005-11-23

申请人： Franz Effenberger ,  Steffen Maisch ,  Steffen Seifritz ,  Guenter Schmid ,  Marcus Halik ,  Hagen Klauk ,  Ute Zschieschang

发明人： Franz Effenberger ,  Steffen Maisch ,  Steffen Seifritz ,  Guenter Schmid ,  Marcus Halik ,  Hagen Klauk ,  Ute Zschieschang

IPC分类号： C07F9/40

CPC分类号： C07F9/3808 ,  B82Y30/00 ,  C07C319/02 ,  C07C327/28 ,  C07F9/4006 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0545 ,  H03K3/00 ,  H03K17/00 ,  C07C323/12

摘要： A process for synthesizing long-chain phosphonic acid derivatives and thiol derivative is disclosed. One embodiment provides organic compounds which can form a self-assembled monolayer and are obtained by reaction of an olefin with a thiocarboxylic acid and subsequent hydrogenation to give the thiol, or with a phosphite and subsequent hydrolysis to give the phosphonic acid.

摘要翻译： 公开了一种合成长链膦酸衍生物和硫醇衍生物的方法。 一个实施方案提供可以形成自组装单层的有机化合物，其通过烯烃与硫代羧酸的反应并随后氢化得到硫醇，或与亚磷酸酯反应并随后水解得到膦酸而获得。

公开(公告)号：US20060160272A1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：US11313235

申请日：2005-12-20

申请人： Franz Effenberger ,  Markus Schuetz ,  Steffen Maisch ,  Steffen Seifritz ,  Guenter Schmid ,  Marcus Halik ,  Hagen Klauk ,  Ute Zschieschang ,  Stefan Holberg

发明人： Franz Effenberger ,  Markus Schuetz ,  Steffen Maisch ,  Steffen Seifritz ,  Guenter Schmid ,  Marcus Halik ,  Hagen Klauk ,  Ute Zschieschang ,  Stefan Holberg

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L51/0075 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C07F7/12 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0541

摘要： A synthesis method of a compound used to form a self-assembled monolayer used in a semiconductor component is provided. A method includes a first step of replacing a terminal halogen of an ω-haloalk-1-ene with a compound having at least one aromatic group, and a second step of hydrosilylating the reaction product of the first step. Reaction products of the first step include octadec-17-enyloxybenzene, 4-octadec-17″-enyloxy-1,1′-biphenyl, 2-heptadec-16′-enylthiophene, and 2-octadec-17′-enylthiophene. Monolayers provided include 18-phenoxyoctadecyl)trichlorosilane, [18-(1′,1″-biphenyl-4′-yloxy)octadecyl]trichlorosilane, (17-thien-2′-ylheptadecyl)trichlorosilane, (18-thien-2′-yloctadecyl)trichlorosilane, and 4-(18′-trichlorosilyloctadecyloxy)benzonitrile. An organic field effect transistor having monolayers according to embodiments of the invention is provided.

摘要翻译： 提供了用于形成半导体部件中使用的自组装单层的化合物的合成方法。 一种方法包括用具有至少一个芳族基团的化合物代替ω-卤代烯-1-烯的末端卤素的第一步骤，以及第一步骤的反应产物的氢化硅烷化反应的第二步骤。 第一步的反应产物包括十八烷-17-烯氧基苯，4-十八烷-17-“ - 烯氧基-1,1'-联苯，2-十七烷-116'-烯基噻吩和2-十八烷-17'-烯基噻吩。 提供的单层包括18-苯氧十八烷基）三氯硅烷，[18-（1'，1“ - 联苯-4'-基氧基）十八烷基]三氯硅烷，（17-噻吩-2'-基十五烷基）三氯硅烷，（18-噻吩-2' 十八烷基）三氯硅烷和4-（18'-三氯甲基十八烷氧基）苄腈。 提供了根据本发明的实施方案的具有单层的有机场效应晶体管。