公开(公告)号：US20080128834A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US12014931

申请日：2008-01-16

申请人： Haining Yang ,  Xiangdong Chen ,  Yong Meng Lee ,  Wenhe Lin

发明人： Haining Yang ,  Xiangdong Chen ,  Yong Meng Lee ,  Wenhe Lin

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/425

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843

摘要： A method of reducing hot carrier degradation and a semiconductor structure so formed are disclosed. One embodiment of the method includes depositing a silicon nitride layer over a transistor device, ion implanting a species into the silicon nitride layer to drive hydrogen from the silicon nitride layer, and annealing to diffuse the hydrogen into a channel region of the transistor device. The species may be chosen from, for example: germanium (Ge), arsenic (As), xenon (Xe), nitrogen (N), oxygen (O), carbon (C), boron (B), indium (In), argon (Ar), helium (He), and deuterium (De). The ion implantation modulates atoms in the silicon nitride layer such as hydrogen, nitrogen and hydrogen-nitrogen bonds such that hydrogen can be controllably diffused into the channel region.

摘要翻译： 公开了减少热载流子劣化的方法和如此形成的半导体结构。 该方法的一个实施例包括在晶体管器件上沉积氮化硅层，将物质离子注入到氮化硅层中以从氮化硅层驱动氢，以及退火以将氢扩散到晶体管器件的沟道区域。 该物质可以选自例如：锗（Ge），砷（As），氙（Xe），氮（N），氧（O），碳（C），硼（B），铟（In） 氩（Ar），氦（He）和氘（De）。 离子注入调节氮化硅层中的原子，例如氢，氮和氢 - 氮键，使得氢可以可控地扩散到沟道区中。

公开(公告)号：US20060151843A1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：US10905580

申请日：2005-01-12

申请人： Haining Yang ,  Xiangdong Chen ,  Yong Lee ,  Wenhe Lin

发明人： Haining Yang ,  Xiangdong Chen ,  Yong Lee ,  Wenhe Lin

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843

摘要： A method of reducing hot carrier degradation and a semiconductor structure so formed are disclosed. One embodiment of the method includes depositing a silicon nitride layer over a transistor device, ion implanting a species into the silicon nitride layer to drive hydrogen from the silicon nitride layer, and annealing to diffuse the hydrogen into a channel region of the transistor device. The species may be chosen from, for example: germanium (Ge), arsenic (As), xenon (Xe), nitrogen (N), oxygen (O), carbon (C), boron (B), indium (In), argon (Ar), helium (He), and deuterium (De). The ion implantation modulates atoms in the silicon nitride layer such as hydrogen, nitrogen and hydrogen-nitrogen bonds such that hydrogen can be controllably diffused into the channel region.

摘要翻译： 公开了减少热载流子劣化的方法和如此形成的半导体结构。 该方法的一个实施例包括在晶体管器件上沉积氮化硅层，将物质离子注入到氮化硅层中以从氮化硅层驱动氢，以及退火以将氢扩散到晶体管器件的沟道区域。 该物质可以选自例如：锗（Ge），砷（As），氙（Xe），氮（N），氧（O），碳（C），硼（B），铟（In） 氩（Ar），氦（He）和氘（De）。 离子注入调节氮化硅层中的原子，例如氢，氮和氢 - 氮键，使得氢可以可控地扩散到沟道区中。

公开(公告)号：US20070161244A1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：US11164417

申请日：2005-11-22

申请人： Brian J. Greene ,  Chung Woh Lai ,  Yong Meng Lee ,  Wenhe Lin ,  Siddhartha Panda ,  Kern Rim ,  Young Way Teh

发明人： Brian J. Greene ,  Chung Woh Lai ,  Yong Meng Lee ,  Wenhe Lin ,  Siddhartha Panda ,  Kern Rim ,  Young Way Teh

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

摘要： A method (and apparatus) of post silicide spacer removal includes preventing damage to the silicide spacer through the use of at least one of an oxide layer and a nitride layer.

摘要翻译： 后硅化物间隔物去除的方法（和装置）包括通过使用氧化物层和氮化物层中的至少一种来防止对硅化物间隔物的损害。

公开(公告)号：US20070281410A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11447565

申请日：2006-06-05

申请人： Yong Meng Lee ,  Young Way Teh ,  Chung Woh Lai ,  Wenhe Lin ,  Khee Yong Lim ,  Wee Leng Tan ,  Hui Peng Koh ,  John Sudijono ,  Liang Choo Hsia

发明人： Yong Meng Lee ,  Young Way Teh ,  Chung Woh Lai ,  Wenhe Lin ,  Khee Yong Lim ,  Wee Leng Tan ,  Hui Peng Koh ,  John Sudijono ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A first example embodiment provides a method of removing first spacers from gates and incorporating a low-k material into the ILD layer to increase device performance. A second example embodiment comprises replacing the first spacers after silicidation with low-k spacers. This serves to reduce the parasitic capacitances. Also, by implementing the low-k spacers only after silicidation, the embodiments' low-k spacers are not compromised by multiple high dose ion implantations and resist strip steps. The example embodiments can improve device performance, such as the performance of a rim oscillator.

摘要翻译： 第一示例性实施例提供了从栅极去除第一间隔物并将低k材料并入到ILD层中以提高器件性能的方法。 第二示例性实施例包括用低k间隔物硅化后替换第一间隔物。 这用于减小寄生电容。 此外，通过仅在硅化后实现低k间隔物，实施方案的低k间隔物不受多次高剂量离子注入和抗蚀剂剥离步骤的影响。 示例性实施例可以提高设备性能，例如边缘振荡器的性能。

公开(公告)号：US08624329B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US12613541

申请日：2009-11-06

申请人： Yong Meng Lee ,  Young Way Teh ,  Chung Woh Lai ,  Wenhe Lin ,  Khee Yong Lim ,  Wee Leng Tan ,  Hui Peng Koh ,  John Sudijono ,  Liang Choo Hsia

发明人： Yong Meng Lee ,  Young Way Teh ,  Chung Woh Lai ,  Wenhe Lin ,  Khee Yong Lim ,  Wee Leng Tan ,  Hui Peng Koh ,  John Sudijono ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A first example embodiment provides a method of removing first spacers from gates and incorporating a low-k material into the ILD layer to increase device performance. A second example embodiment comprises replacing the first spacers after silicidation with low-k spacers. This serves to reduce the parasitic capacitances. Also, by implementing the low-k spacers only after silicidation, the embodiments' low-k spacers are not compromised by multiple high dose ion implantations and resist strip steps. The example embodiments can improve device performance, such as the performance of a rim oscillator.

摘要翻译： 第一示例性实施例提供了从栅极去除第一间隔物并将低k材料并入到ILD层中以提高器件性能的方法。 第二示例性实施例包括用低k间隔物硅化后替换第一间隔物。 这用于减小寄生电容。 此外，通过仅在硅化后实现低k间隔物，实施方案的低k间隔物不受多次高剂量离子注入和抗蚀剂剥离步骤的影响。 示例性实施例可以提高设备性能，例如边缘振荡器的性能。

公开(公告)号：US20100059831A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：US12613541

申请日：2009-11-06

申请人： Yong Meng Lee ,  Young Way Teh ,  Chung Woh Lai ,  Wenhe Lin ,  Khee Yong Lim ,  Wee Leng Tan ,  Hui Peng Koh ,  John Sudijono ,  Liang Choo Hsia

发明人： Yong Meng Lee ,  Young Way Teh ,  Chung Woh Lai ,  Wenhe Lin ,  Khee Yong Lim ,  Wee Leng Tan ,  Hui Peng Koh ,  John Sudijono ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A first example embodiment provides a method of removing first spacers from gates and incorporating a low-k material into the ILD layer to increase device performance. A second example embodiment comprises replacing the first spacers after silicidation with low-k spacers. This serves to reduce the parasitic capacitances. Also, by implementing the low-k spacers only after silicidation, the embodiments' low-k spacers are not compromised by multiple high dose ion implantations and resist strip steps. The example embodiments can improve device performance, such as the performance of a rim oscillator.

摘要翻译： 第一示例性实施例提供了从栅极去除第一间隔物并将低k材料并入到ILD层中以提高器件性能的方法。 第二示例性实施例包括用低k间隔物硅化后替换第一间隔物。 这用于减小寄生电容。 此外，通过仅在硅化后实现低k间隔物，实施方案的低k间隔物不受多次高剂量离子注入和抗蚀剂剥离步骤的影响。 示例性实施例可以提高设备性能，例如边缘振荡器的性能。

公开(公告)号：US07445978B2

公开(公告)日：2008-11-04

申请号：US11122666

申请日：2005-05-04

申请人： Young Way Teh ,  Yong Meng Lee ,  Chung Woh Lai ,  Wenhe Lin ,  Khee Yong Lim ,  Wee Leng Tan ,  John Sudijono ,  Hui Peng Koh ,  Liang Choo Hsia

发明人： Young Way Teh ,  Yong Meng Lee ,  Chung Woh Lai ,  Wenhe Lin ,  Khee Yong Lim ,  Wee Leng Tan ,  John Sudijono ,  Hui Peng Koh ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823864

摘要： An example process to remove spacers from the gate of a NMOS transistor. A stress creating layer is formed over the NMOS and PMOS transistors and the substrate. In an embodiment, the spacers on gate are removed so that stress layer is closer to the channel of the device. The stress creating layer is preferably a tensile nitride layer. The stress creating layer is preferably a contact etch stop liner layer. In an embodiment, the gates, source and drain region have an silicide layer thereover before the stress creating layer is formed. The embodiment improves the performance of the NMOS transistors.

摘要翻译： 从NMOS晶体管的栅极去除间隔物的示例性过程。 在NMOS和PMOS晶体管和衬底上形成应力产生层。 在一个实施例中，栅极上的间隔物被去除，使得应力层更靠近器件的通道。 应力产生层优选为拉伸氮化物层。 应力产生层优选为接触蚀刻停止衬层。 在一个实施例中，栅极，源极和漏极区域在形成应力产生层之前具有硅化物层。 该实施例改善了NMOS晶体管的性能。

公开(公告)号：US07999325B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12241073

申请日：2008-09-30

申请人： Young Way Teh ,  Yong Meng Lee ,  Chung Woh Lai ,  Wenhe Lin ,  Khee Yong Lim ,  Wee Leng Tan ,  John Sudijono ,  Hui Peng Koh ,  Liang Choo Hsia

发明人： Young Way Teh ,  Yong Meng Lee ,  Chung Woh Lai ,  Wenhe Lin ,  Khee Yong Lim ,  Wee Leng Tan ,  John Sudijono ,  Hui Peng Koh ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823864

摘要： An example process to remove spacers from the gate of a NMOS transistor. A stress creating layer is formed over the NMOS and PMOS transistors and the substrate. In an embodiment, the spacers on gate are removed so that stress layer is closer to the channel of the device. The stress creating layer is preferably a tensile nitride layer. The stress creating layer is preferably a contact etch stop liner layer. In an embodiment, the gates, source and drain region have a silicide layer thereover before the stress creating layer is formed. The embodiment improves the performance of the NMOS transistors.

摘要翻译： 从NMOS晶体管的栅极去除间隔物的示例性过程。 在NMOS和PMOS晶体管和衬底上形成应力产生层。 在一个实施例中，栅极上的间隔物被去除，使得应力层更靠近器件的通道。 应力产生层优选为拉伸氮化物层。 应力产生层优选为接触蚀刻停止衬层。 在一个实施例中，在形成应力产生层之前，栅极，源极和漏极区域之前具有硅化物层。 该实施例改善了NMOS晶体管的性能。

公开(公告)号：US07977185B2

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US11164417

申请日：2005-11-22

申请人： Brian J. Greene ,  Chung Woh Lai ,  Yong Meng Lee ,  Wenhe Lin ,  Siddhartha Panda ,  Kern Rim ,  Young Way Teh

发明人： Brian J. Greene ,  Chung Woh Lai ,  Yong Meng Lee ,  Wenhe Lin ,  Siddhartha Panda ,  Kern Rim ,  Young Way Teh

IPC分类号： H01L21/33

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

摘要： A method (and apparatus) of post silicide spacer removal includes preventing damage to the silicide spacer through the use of at least one of an oxide layer and a nitride layer.

摘要翻译： 后硅化物间隔物去除的方法（和装置）包括通过使用氧化物层和氮化物层中的至少一种来防止对硅化物间隔物的损害。

公开(公告)号：US07615427B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US11447565

申请日：2006-06-05

申请人： Yong Meng Lee ,  Young Way Teh ,  Chung Woh Lai ,  Wenhe Lin ,  Khee Yong Lim ,  Wee Leng Tan ,  Hui Peng Koh ,  John Sudijono ,  Liang Choo Hsia

发明人： Yong Meng Lee ,  Young Way Teh ,  Chung Woh Lai ,  Wenhe Lin ,  Khee Yong Lim ,  Wee Leng Tan ,  Hui Peng Koh ,  John Sudijono ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A first example embodiment provides a method of removing first spacers from gates and incorporating a low-k material into the ILD layer to increase device performance. A second example embodiment comprises replacing the first spacers after silicidation with low-k spacers. This serves to reduce the parasitic capacitances. Also, by implementing the low-k spacers only after silicidation, the embodiments' low-k spacers are not compromised by multiple high dose ion implantations and resist strip steps. The example embodiments can improve device performance, such as the performance of a rim oscillator.

摘要翻译： 第一示例性实施例提供了从栅极去除第一间隔物并将低k材料并入到ILD层中以提高器件性能的方法。 第二示例性实施例包括用低k间隔物硅化后替换第一间隔物。 这用于减小寄生电容。 此外，通过仅在硅化后实现低k间隔物，实施方案的低k间隔物不受多次高剂量离子注入和抗蚀剂剥离步骤的影响。 示例性实施例可以提高设备性能，例如边缘振荡器的性能。