公开(公告)号：US20120329262A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13528068

申请日：2012-06-20

申请人： Hoon-Joo NA ,  Hyung-Seok Hong ,  Sang-Bom Kang ,  Hyeok-Jun Son ,  June-Hee Lee ,  Jeong-Hee Han ,  Sang-Jin Hyun

发明人： Hoon-Joo NA ,  Hyung-Seok Hong ,  Sang-Bom Kang ,  Hyeok-Jun Son ,  June-Hee Lee ,  Jeong-Hee Han ,  Sang-Jin Hyun

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/4958 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

摘要： A method for manufacturing a semiconductor may include providing a substrate having first and second regions defined therein, forming an interlayer dielectric layer including first and second trenches formed in the first and second regions, respectively, and conformally forming a gate dielectric layer along a top surface of the interlayer dielectric layer, side and bottom surfaces of the first trench and side, and bottom surfaces of the second trench. An etch stop dielectric layer may be formed on the gate dielectric layer, a first metal layer may be formed to fill the first and second trenches, and the first metal layer in the first region may be removed using the etch stop dielectric layer as an etch stopper.

摘要翻译： 制造半导体的方法可以包括提供其中限定有第一和第二区域的基板，分别形成层间电介质层，该层间绝缘层包括分别形成在第一和第二区域中的第一和第二沟槽，并沿着顶表面保形地形成栅介电层 层间介质层，第一沟槽和侧面的侧表面和底表面以及第二沟槽的底表面。 可以在栅极介电层上形成蚀刻停止介电层，可以形成第一金属层以填充第一和第二沟槽，并且可以使用蚀刻停止介电层作为蚀刻来去除第一区域中的第一金属层 塞子。

公开(公告)号：US08748251B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US13528068

申请日：2012-06-20

申请人： Hoon-Joo Na ,  Hyung-Seok Hong ,  Sang-Bom Kang ,  Hyeok-Jun Son ,  June-Hee Lee ,  Jeong-Hee Han ,  Sang-Jin Hyun

发明人： Hoon-Joo Na ,  Hyung-Seok Hong ,  Sang-Bom Kang ,  Hyeok-Jun Son ,  June-Hee Lee ,  Jeong-Hee Han ,  Sang-Jin Hyun

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/4958 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

摘要： A method for manufacturing a semiconductor may include providing a substrate having first and second regions defined therein, forming an interlayer dielectric layer including first and second trenches formed in the first and second regions, respectively, and conformally forming a gate dielectric layer along a top surface of the interlayer dielectric layer, side and bottom surfaces of the first trench and side, and bottom surfaces of the second trench. An etch stop dielectric layer may be formed on the gate dielectric layer, a first metal layer may be formed to fill the first and second trenches, and the first metal layer in the first region may be removed using the etch stop dielectric layer as an etch stopper.

摘要翻译： 制造半导体的方法可以包括提供其中限定有第一和第二区域的基板，分别形成层间电介质层，该层间绝缘层包括分别形成在第一和第二区域中的第一和第二沟槽，并沿着顶表面保形地形成栅介电层 层间介质层，第一沟槽和侧面的侧表面和底表面以及第二沟槽的底表面。 可以在栅极介电层上形成蚀刻停止介电层，可以形成第一金属层以填充第一和第二沟槽，并且可以使用蚀刻停止介电层作为蚀刻来去除第一区域中的第一金属层 塞子。

公开(公告)号：US20140374840A1

公开(公告)日：2014-12-25

申请号：US14312109

申请日：2014-06-23

申请人： Hye-Lan Lee ,  Sang-Bom Kang ,  Jae-Jung Kim ,  Moon-Kyu Park ,  Jae-Yeol Song ,  June-Hee Lee ,  Yong-Ho Ha ,  Sang-Jin Hyun

发明人： Hye-Lan Lee ,  Sang-Bom Kang ,  Jae-Jung Kim ,  Moon-Kyu Park ,  Jae-Yeol Song ,  June-Hee Lee ,  Yong-Ho Ha ,  Sang-Jin Hyun

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A semiconductor device includes a substrate and first and second gate electrodes on the substrate. The first gate electrode includes a first gate insulation film having a bottom portion on the substrate and sidewall portions extending from the bottom portion and away from the substrate defining a first trench having a first width and a first functional film filling the first trench. The second gate electrode includes a second gate insulation film having a bottom portion on the substrate and sidewall portions extending from the bottom portion defining a second trench having a second width different from the first width, a second functional film conforming to the second gate insulation film in the second trench and defining a third trench, and a metal region in the third trench. The first width may be less than the second width.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底和衬底上的第一和第二栅电极。 第一栅极电极包括第一栅极绝缘膜，该第一栅极绝缘膜具有在基板上的底部部分以及侧壁部分，其从底部延伸并远离基板限定具有第一宽度的第一沟槽和填充第一沟槽的第一功能膜。 所述第二栅电极包括第二栅极绝缘膜，所述第二栅极绝缘膜具有在所述基板上的底部部分和从所述底部部分延伸的侧壁部分，所述侧壁部分限定具有不同于所述第一宽度的第二宽度的第二沟槽;第二功能膜， 在第二沟槽中并且限定第三沟槽，以及第三沟槽中的金属区域。 第一宽度可以小于第二宽度。

公开(公告)号：US07659959B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US11387710

申请日：2006-03-24

申请人： Kwang-Min Kim ,  June-Hee Lee

发明人： Kwang-Min Kim ,  June-Hee Lee

IPC分类号： G02F1/1343

CPC分类号： G02F1/134363

摘要： An array substrate for an in-plane switching liquid crystal display device includes a substrate, a gate line and a data line on the substrate and crossing each other to define a pixel region, a thin film transistor adjacent to a crossing of the gate line and the data line, a common electrode and a pixel electrode in the pixel region and spaced apart from each other, and a conductive pattern between the common and pixel electrodes.

摘要翻译： 用于面内切换液晶显示装置的阵列基板包括在基板上的基板，栅极线和数据线，并且彼此交叉以限定像素区域，与栅极线的交叉点相邻的薄膜晶体管和 数据线，像素区域中的公共电极和像素电极并且彼此间隔开，以及在公共和像素电极之间的导电图案。

公开(公告)号：US20100183077A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12666918

申请日：2008-06-30

申请人： June-Hee Lee ,  Joon-Soo Kim ,  Jung-Pil Yu ,  Chan-Sub Park ,  Jong-On Park ,  Jung-Jin Kim ,  In-Sik Chang ,  Yong-Sik Kwon ,  Jun-Seok Kang ,  Eui-Jun Park ,  Jin-Hee Jeong ,  Kum-Ran Ji ,  Jong-Hun Kim ,  Se-Jun Kim ,  Hae-Joo Jeong

发明人： June-Hee Lee ,  Joon-Soo Kim ,  Jung-Pil Yu ,  Chan-Sub Park ,  Jong-On Park ,  Jung-Jin Kim ,  In-Sik Chang ,  Yong-Sik Kwon ,  Jun-Seok Kang ,  Eui-Jun Park ,  Jin-Hee Jeong ,  Kum-Ran Ji ,  Jong-Hun Kim ,  Se-Jun Kim ,  Hae-Joo Jeong

IPC分类号： H04N11/04

CPC分类号： H04N21/4344 ,  H03M13/1515 ,  H03M13/23 ,  H03M13/256 ,  H03M13/2707 ,  H03M13/2732 ,  H03M13/2972 ,  H03M13/3938 ,  H04L1/0041 ,  H04L1/006 ,  H04L1/0065 ,  H04L1/0066 ,  H04L1/0071 ,  H04L1/0072 ,  H04N19/61 ,  H04N19/70 ,  H04N21/23608

摘要： A digital broadcasting transmitter including a Reed-Solomon (RS) encoder to encode signaling information, and a randomizer to randomize a stream including the signaling information encoded by the RS encoder. The signaling information is used by a receiver to demodulate and/or equalize the stream.

摘要翻译： 一种数字广播发射机，包括用于编码信令信息的里德 - 所罗门（RS）编码器，以及随机化器，用于使包含由RS编码器编码的信令信息的流随机化。 接收机使用信令信息来解调和/或均衡流。

公开(公告)号：US20080315188A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US11999177

申请日：2007-12-03

申请人： Tae-Hyung Hwang ,  Geun-Young Yeom ,  Chang-Hyun Jeong ,  June-Hee Lee

发明人： Tae-Hyung Hwang ,  Geun-Young Yeom ,  Chang-Hyun Jeong ,  June-Hee Lee

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01J1/62 ,  H05H1/24 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/509 ,  C23C16/029 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C28/00 ,  H01J37/32091 ,  H01L51/5256

摘要： In a thin film depositing apparatus, a first reaction gas, a second reaction gas, and a non-volatile gas are supplied to a reaction chamber in order to form a protective layer, in which an organic layer and an inorganic layer are alternately stacked, on a process substrate. The first reaction gas is supplied to the reaction chamber only while the inorganic layer is formed on the process substrate, and the second reaction gas and the non-volatile gas are supplied to the reaction chamber through while the inorganic and organic layers are formed on the process substrate. Thus, the discontinuous surfaces may be prevented from being formed between the organic layer and the inorganic layer, thereby preventing the peeling of the organic and inorganic layers and increasing light transmittance.

摘要翻译： 在薄膜沉积装置中，向反应室供给第一反应气体，第二反应气体和非挥发性气体，以形成有机层和无机层交替层叠的保护层， 在工艺衬底上。 第一反应气体仅在无机层形成在处理基板上时才被供应到反应室，第二反应气体和非挥发性气体通过在无机层和有机层上形成时供应到反应室 处理衬底。 因此，可以防止在有机层和无机层之间形成不连续的表面，从而防止有机层和无机层的剥离，并增加透光率。

公开(公告)号：US20060232537A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11387710

申请日：2006-03-24

申请人： Kwang-Min Kim ,  June-Hee Lee

发明人： Kwang-Min Kim ,  June-Hee Lee

IPC分类号： G09G3/36

CPC分类号： G02F1/134363

摘要： An array substrate for an in-plane switching liquid crystal display device includes a substrate, a gate line and a data line on the substrate and crossing each other to define a pixel region, a thin film transistor adjacent to a crossing of the gate line and the data line, a common electrode and a pixel electrode in the pixel region and spaced apart from each other, and a conductive pattern between the common and pixel electrodes.

摘要翻译： 用于面内切换液晶显示装置的阵列基板包括在基板上的基板，栅极线和数据线，并且彼此交叉以限定像素区域，与栅极线的交叉点相邻的薄膜晶体管和 数据线，像素区域中的公共电极和像素电极并且彼此间隔开，以及在公共和像素电极之间的导电图案。