公开(公告)号：US08464186B2

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：US13011165

申请日：2011-01-21

申请人： Hung-Chun Wang ,  Jeng-Horng Chen ,  Shy-Jay Lin ,  Chia-Ping Chiang ,  Cheng Kun Tsai ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu

发明人： Hung-Chun Wang ,  Jeng-Horng Chen ,  Shy-Jay Lin ,  Chia-Ping Chiang ,  Cheng Kun Tsai ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/144 ,  G03F1/78 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70441 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31769 ,  H01J2237/31771 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0275

摘要： A method for writing a design to a material using an electron beam includes assigning a first dosage to a first polygonal shape. The first polygonal shape occupies a first virtual layer and includes a first set of pixels. The method also includes simulating a first write operation using the first polygonal shape to create the design, discerning an error in the simulated first write operation, and assigning a second dosage to a second polygonal shape to reduce the error. The second polygonal shape occupies a second virtual layer. The method further includes creating a data structure that includes the first and second polygonal shapes and saving the data structure to a non-transitory computer-readable medium.

摘要翻译： 使用电子束将设计写入材料的方法包括将第一剂量分配给第一多边形形状。 第一多边形形状占据第一虚拟层并且包括第一组像素。 该方法还包括使用第一多边形形状来模拟第一写入操作以创建设计，识别模拟的第一写入操作中的错误，以及将第二剂量分配给第二多边形形状以减少误差。 第二多边形形状占据第二虚拟层。 该方法还包括创建包括第一和第二多边形形状并将数据结构保存到非暂时性计算机可读介质的数据结构。

公开(公告)号：US20120192126A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13011165

申请日：2011-01-21

申请人： Hung-Chun Wang ,  Jeng-Horng Chen ,  Shy-Jay Lin ,  Chia-Ping Chiang ,  Cheng Kun Tsai ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu

发明人： Hung-Chun Wang ,  Jeng-Horng Chen ,  Shy-Jay Lin ,  Chia-Ping Chiang ,  Cheng Kun Tsai ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/144 ,  G03F1/78 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70441 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31769 ,  H01J2237/31771 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0275

摘要： A method for writing a design to a material using an electron beam includes assigning a first dosage to a first polygonal shape. The first polygonal shape occupies a first virtual layer and includes a first set of pixels. The method also includes simulating a first write operation using the first polygonal shape to create the design, discerning an error in the simulated first write operation, and assigning a second dosage to a second polygonal shape to reduce the error. The second polygonal shape occupies a second virtual layer. The method further includes creating a data structure that includes the first and second polygonal shapes and saving the data structure to a non-transitory computer-readable medium.

摘要翻译： 使用电子束将设计写入材料的方法包括将第一剂量分配给第一多边形形状。 第一多边形形状占据第一虚拟层并且包括第一组像素。 该方法还包括使用第一多边形形状来模拟第一写入操作以创建设计，识别模拟的第一写入操作中的错误，以及将第二剂量分配给第二多边形形状以减少误差。 第二多边形形状占据第二虚拟层。 该方法还包括创建包括第一和第二多边形形状并将数据结构保存到非暂时性计算机可读介质的数据结构。

公开(公告)号：US08631360B2

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：US13448977

申请日：2012-04-17

申请人： Hung-Chun Wang ,  Ming-Hui Chih ,  Yu-Po Tang ,  Chia-Ping Chiang ,  Feng-Ju Chang ,  Cheng Kun Tsai ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu

发明人： Hung-Chun Wang ,  Ming-Hui Chih ,  Yu-Po Tang ,  Chia-Ping Chiang ,  Feng-Ju Chang ,  Cheng Kun Tsai ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70

摘要： A method for performing OPC and evaluating OPC solutions is disclosed. An exemplary method includes receiving a design database corresponding to an IC circuit mask. A first lithography simulation and evaluation is performed on the design database utilizing a first set of performance indexes. A modification is made to the design database based on a result of performing the first lithography simulation and evaluation. A second lithography simulation and evaluation is performed on the design database utilizing a second set of performance indexes to verify the modification. If necessary, the design database is modified again based on a result of the second lithography simulation and evaluation. The modified design database is provided to a mask manufacturer for manufacturing the mask corresponding to the modified design database.

摘要翻译： 公开了一种执行OPC和评估OPC解决方案的方法。 一种示例性方法包括接收对应于IC电路掩码的设计数据库。 使用第一组性能指标对设计数据库执行第一光刻模拟和评估。 基于执行第一光刻仿真和评估的结果对设计数据库进行修改。 使用第二组性能指标对设计数据库执行第二次光刻模拟和评估，以验证修改。 如果需要，基于第二光刻模拟和评估的结果再次修改设计数据库。 将修改后的设计数据库提供给掩模制造商以制造与修改的设计数据库相对应的掩模。

公开(公告)号：US20130275926A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：US13448977

申请日：2012-04-17

申请人： Hung-Chun Wang ,  Ming-Hui Chih ,  Yu-Po Tang ,  Chia-Ping Chiang ,  Feng-Ju Chang ,  Cheng Kun Tsai ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu

发明人： Hung-Chun Wang ,  Ming-Hui Chih ,  Yu-Po Tang ,  Chia-Ping Chiang ,  Feng-Ju Chang ,  Cheng Kun Tsai ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70

摘要： A method for performing OPC and evaluating OPC solutions is disclosed. An exemplary method includes receiving a design database corresponding to an IC circuit mask. A first lithography simulation and evaluation is performed on the design database utilizing a first set of performance indexes. A modification is made to the design database based on a result of performing the first lithography simulation and evaluation. A second lithography simulation and evaluation is performed on the design database utilizing a second set of performance indexes to verify the modification. If necessary, the design database is modified again based on a result of the second lithography simulation and evaluation. The modified design database is provided to a mask manufacturer for manufacturing the mask corresponding to the modified design database.

摘要翻译： 公开了一种执行OPC和评估OPC解决方案的方法。 一种示例性方法包括接收对应于IC电路掩码的设计数据库。 使用第一组性能指标对设计数据库执行第一光刻模拟和评估。 基于执行第一光刻仿真和评估的结果对设计数据库进行修改。 使用第二组性能指标对设计数据库进行第二次光刻模拟和评估，以验证修改。 如果需要，基于第二光刻模拟和评估的结果再次修改设计数据库。 将修改后的设计数据库提供给掩模制造商以制造与修改的设计数据库相对应的掩模。

公开(公告)号：US08381153B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US12884442

申请日：2010-09-17

申请人： Chia-Ping Chiang ,  Yu-Po Tang ,  Ming-Hui Chih ,  Cheng-Kun Tsai ,  Wei-Long Wang ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu ,  Tsai-Sheng Gau ,  Cheng-Lung Tsai ,  Josh J. H. Feng ,  Bing-Syun Yeh ,  Jeng-Shiun Ho ,  Cheng-Cheng Kuo

发明人： Chia-Ping Chiang ,  Yu-Po Tang ,  Ming-Hui Chih ,  Cheng-Kun Tsai ,  Wei-Long Wang ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu ,  Tsai-Sheng Gau ,  Cheng-Lung Tsai ,  Josh J. H. Feng ,  Bing-Syun Yeh ,  Jeng-Shiun Ho ,  Cheng-Cheng Kuo

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

摘要： The present disclosure provides one embodiment of an integrated circuit (IC) design method. The method includes receiving an IC design layout having a plurality of main features; applying a main feature dissection to the main features of the IC design layout and generating sub-portions of the main features; performing an optical proximity correction (OPC) to the main features; performing a mask rule check (MRC) to a main feature of the IC design layout; and modifying one of the sub-portions of the main feature if the main feature fails the MRC.

摘要翻译： 本公开提供了集成电路（IC）设计方法的一个实施例。 该方法包括接收具有多个主要特征的IC设计布局; 将主要特征解剖应用于IC设计布局的主要特征，并生成主要特征的子部分; 对主要特征执行光学邻近校正（OPC）; 执行掩模规则检查（MRC）到IC设计布局的主要特征; 并且如果主要特征使MRC故障，则修改主要特征的一个子部分。

公开(公告)号：US20120072874A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US12884442

申请日：2010-09-17

申请人： Chia-Ping Chiang ,  Yu-Po Tang ,  Ming-Hui Chih ,  Cheng-Kun Tsai ,  Wei-Long Wang ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu ,  Tsai-Sheng Gau ,  Cheng-Lung Tsai ,  Josh J.H. Feng ,  Bing-Syun Yeh ,  Jeng-Shiun Ho ,  Cheng-Cheng Kuo

发明人： Chia-Ping Chiang ,  Yu-Po Tang ,  Ming-Hui Chih ,  Cheng-Kun Tsai ,  Wei-Long Wang ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu ,  Tsai-Sheng Gau ,  Cheng-Lung Tsai ,  Josh J.H. Feng ,  Bing-Syun Yeh ,  Jeng-Shiun Ho ,  Cheng-Cheng Kuo

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

摘要： The present disclosure provides one embodiment of an integrated circuit (IC) design method. The method includes receiving an IC design layout having a plurality of main features; applying a main feature dissection to the main features of the IC design layout and generating sub-portions of the main features; performing an optical proximity correction (OPC) to the main features; performing a mask rule check (MRC) to a main feature of the IC design layout; and modifying one of the sub-portions of the main feature if the main feature fails the MRC.

摘要翻译： 本公开提供了集成电路（IC）设计方法的一个实施例。 该方法包括接收具有多个主要特征的IC设计布局; 将主要特征解剖应用于IC设计布局的主要特征，并生成主要特征的子部分; 对主要特征执行光学邻近校正（OPC）; 执行掩模规则检查（MRC）到IC设计布局的主要特征; 并且如果主要特征使MRC故障，则修改主要特征的一个子部分。

公开(公告)号：US20130246981A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13419977

申请日：2012-03-14

申请人： Chia-Ping Chiang ,  Tsong-Hua Ou ,  Yu-Po Tang ,  Ming-Hui Chih ,  Wen-Li Cheng ,  Cheng Kun Tsai ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu

发明人： Chia-Ping Chiang ,  Tsong-Hua Ou ,  Yu-Po Tang ,  Ming-Hui Chih ,  Wen-Li Cheng ,  Cheng Kun Tsai ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： H01L27/0207 ,  G03F1/36 ,  G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

摘要： The present disclosure provides one embodiment of an integrated circuit (IC) method. The method includes receiving an IC design layout having an main feature, the main feature including two corners and an edge spanning between the two corners; performing a feature adjustment to the edge; performing a dissection to the edge such that the edge is divided to include two corner segments and one center segment between the two corner segments; performing a first optical proximity correction (OPC) to the main feature for a center target associated with the center segment; thereafter, performing a second OPC to the main feature for two corner targets associated with the corner segments; and thereafter, performing a third OPC to main feature for the center target, resulting in a modified design layout.

摘要翻译： 本公开提供了集成电路（IC）方法的一个实施例。 该方法包括接收具有主要特征的IC设计布局，该主要特征包括两个角部和跨过两个角落的边缘; 对边缘进行特征调整; 对边缘执行解剖，使得边缘被分割成包括两个拐角部分和两个拐角部分之间的一个中心部分; 对与中心段相关联的中心目标的主要特征执行第一光学邻近校正（OPC）; 此后，对与角部分段相关联的两个角目标执行第二OPC到主要特征; 然后对中心目标执行第三OPC到主要特征，从而导致改进的设计布局。

公开(公告)号：US08527916B1

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US13419977

申请日：2012-03-14

申请人： Chia-Ping Chiang ,  Tsong-Hua Ou ,  Yu-Po Tang ,  Ming-Hui Chih ,  Wen-Li Cheng ,  Cheng Kun Tsai ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu

发明人： Chia-Ping Chiang ,  Tsong-Hua Ou ,  Yu-Po Tang ,  Ming-Hui Chih ,  Wen-Li Cheng ,  Cheng Kun Tsai ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： H01L27/0207 ,  G03F1/36 ,  G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

摘要： The present disclosure provides one embodiment of an integrated circuit (IC) method. The method includes receiving an IC design layout having an main feature, the main feature including two corners and an edge spanning between the two corners; performing a feature adjustment to the edge; performing a dissection to the edge such that the edge is divided to include two corner segments and one center segment between the two corner segments; performing a first optical proximity correction (OPC) to the main feature for a center target associated with the center segment; thereafter, performing a second OPC to the main feature for two corner targets associated with the corner segments; and thereafter, performing a third OPC to main feature for the center target, resulting in a modified design layout.

摘要翻译： 本公开提供了集成电路（IC）方法的一个实施例。 该方法包括接收具有主要特征的IC设计布局，该主要特征包括两个角部和跨过两个角落的边缘; 对边缘进行特征调整; 对边缘执行解剖，使得边缘被分割成包括两个拐角部分和两个拐角部分之间的一个中心部分; 对与中心段相关联的中心目标的主要特征执行第一光学邻近校正（OPC）; 此后，对与角部分段相关联的两个角目标执行第二OPC到主要特征; 然后对中心目标执行第三OPC到主要特征，从而导致改进的设计布局。