公开(公告)号：US20100237374A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12727632

申请日：2010-03-19

申请人： Hye Yong CHU ,  Jeong Ik Lee ,  Jong Hee Lee ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Hye Yong CHU ,  Jeong Ik Lee ,  Jong Hee Lee ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01L51/52

CPC分类号： H01L27/3227 ,  H01L27/288 ,  H01L31/056 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2251/5361 ,  H02S40/38 ,  Y02E10/52

摘要： Provided is a transparent organic light emitting diode (OLED) lighting device in which opaque metal reflectors are formed to adjust light emitting directions. The transparent OLED lighting device includes a transparent substrate, a transparent anode formed on a predetermined region of the transparent substrate, a reflective anode formed adjacent to the transparent anode on another region of the transparent substrate, an organic layer formed on the transparent and reflective anodes, and a transparent cathode and an encapsulation substrate sequentially stacked on the organic layer. Directions of light emitted from the organic layer vary depending on the current applied to the transparent and reflective anodes.

摘要翻译： 提供了一种透明有机发光二极管（OLED）照明装置，其中形成不透明金属反射器以调节发光方向。 透明OLED照明装置包括透明基板，形成在透明基板的预定区域上的透明阳极，在透明基板的另一区域上与透明阳极相邻形成的反射阳极，形成在透明和反射阳极上的有机层 以及依次层叠在有机层上的透明阴极和封装基板。 从有机层发射的光的方向根据施加到透明和反射阳极的电流而变化。

公开(公告)号：US20100006837A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12496558

申请日：2009-07-01

申请人： Doo Hee Cho ,  Sang Hee Park ,  Chi Sun Hwang ,  Hye Yong Chu ,  Kyoung Ik Cho ,  Shin Hyuk Yang ,  Chun Won Byun ,  Eun Suk Park ,  Oh Sang Kwon ,  Min Ki Ryu ,  Jae Heon Shin ,  Woo Seok Cheong ,  Sung Mook Chung ,  Jeong Ik Lee

发明人： Doo Hee Cho ,  Sang Hee Park ,  Chi Sun Hwang ,  Hye Yong Chu ,  Kyoung Ik Cho ,  Shin Hyuk Yang ,  Chun Won Byun ,  Eun Suk Park ,  Oh Sang Kwon ,  Min Ki Ryu ,  Jae Heon Shin ,  Woo Seok Cheong ,  Sung Mook Chung ,  Jeong Ik Lee

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01B1/08

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C23C14/08 ,  H01L29/247

摘要： Provided are a composition for an oxide semiconductor thin film, a field effect transistor using the same and a method of fabricating the field effect transistor. The composition includes an aluminum oxide, a zinc oxide, an indium oxide and a tin oxide. The thin film formed of the composition is in amorphous phase. The field effect transistor having an active layer formed of the composition can have an improved electrical characteristic and be fabricated by a low temperature process.

摘要翻译： 提供了一种用于氧化物半导体薄膜的组合物，使用该组合物的场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法。 该组合物包括氧化铝，氧化锌，氧化铟和氧化锡。 由组合物形成的薄膜是非晶相。 具有由组合物形成的有源层的场效应晶体管可以具有改进的电特性并通过低温工艺制造。

公开(公告)号：US20120315729A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13590768

申请日：2012-08-21

申请人： Min Ki RYU ,  Chi Sun Hwang ,  Chun Won Byun ,  Hye Yong Chu ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Min Ki RYU ,  Chi Sun Hwang ,  Chun Won Byun ,  Hye Yong Chu ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66742 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

摘要： A method of manufacturing a transparent transistor including a substrate, source and drain electrodes formed on the substrate, each having a multi-layered structure of a lower transparent layer, a metal layer and an upper transparent layer, a channel formed between the source and drain electrodes, and a gate electrode aligned with the channel. The lower transparent layer or the upper transparent layer is formed of a transparent semiconductor layer, which is the same as the channel.

摘要翻译： 一种制造透明晶体管的方法，所述透明晶体管包括形成在所述基板上的基板，源极和漏极，每个具有下透明层，金属层和上透明层的多层结构，在所述源极和漏极之间形成的沟道 电极和与通道对准的栅电极。 下透明层或上透明层由与通道相同的透明半导体层形成。

公开(公告)号：US08017045B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US12331688

申请日：2008-12-10

申请人： Doo Hee Cho ,  Shin Hyuk Yang ,  Chun Won Byun ,  Chi Sun Hwang ,  Hye Yong Chu ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Doo Hee Cho ,  Shin Hyuk Yang ,  Chun Won Byun ,  Chi Sun Hwang ,  Hye Yong Chu ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01B1/02

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66969

摘要： Provided is a composition for an oxide semiconductor thin film and a field effect transistor (FET) using the composition. The composition includes from about 50 to about 99 mol % of a zinc oxide (ZnO); from about 0.5 to 49.5 mol % of a tin oxide (SnOx); and remaining molar percentage of an aluminum oxide (AlOx). The thin film formed of the composition remains in amorphous phase at a temperature of 400° C. or less. The FET includes an active layer formed of the composition and has improved electrical characteristics. The FET can be fabricated using a low-temperature process without expensive raw materials, such as In and Ga.

摘要翻译： 提供了使用该组合物的氧化物半导体薄膜和场效应晶体管（FET）的组合物。 该组合物包含约50-约99mol％的氧化锌（ZnO）; 约0.5〜49.5摩尔％的氧化锡（SnO x）; 和氧化铝（AlOx）的剩余摩尔百分数。 由该组合物形成的薄膜在400℃以下的温度下保持为非晶相。 FET包括由该组合物形成的有源层并具有改善的电特性。 可以使用低温工艺制造FET，而不需要昂贵的原材料，例如In和Ga。

公开(公告)号：US08409935B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US13590768

申请日：2012-08-21

申请人： Min Ki Ryu ,  Chi Sun Hwang ,  Chun Won Byun ,  Hye Yong Chu ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Min Ki Ryu ,  Chi Sun Hwang ,  Chun Won Byun ,  Hye Yong Chu ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66742 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

摘要： A method of manufacturing a transparent transistor including a substrate, source and drain electrodes formed on the substrate, each having a multi-layered structure of a lower transparent layer, a metal layer and an upper transparent layer, a channel formed between the source and drain electrodes, and a gate electrode aligned with the channel. The lower transparent layer or the upper transparent layer is formed of a transparent semiconductor layer, which is the same as the channel.

摘要翻译： 一种制造透明晶体管的方法，所述透明晶体管包括形成在所述基板上的基板，源极和漏极，每个具有下透明层，金属层和上透明层的多层结构，在所述源极和漏极之间形成的沟道 电极和与通道对准的栅电极。 下透明层或上透明层由与通道相同的透明半导体层形成。

公开(公告)号：US20090261389A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：US12331688

申请日：2008-12-10

申请人： Doo Hee Cho ,  Shin Hyuk Yang ,  Chun Won Byun ,  Chi Sun Hwang ,  Hye Yong Chu ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Doo Hee Cho ,  Shin Hyuk Yang ,  Chun Won Byun ,  Chi Sun Hwang ,  Hye Yong Chu ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/8232 ,  H01B1/02

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66969

摘要： A composition for an oxide semiconductor thin film, a field effect transistor (FET) using the composition, and a method of fabricating the FET are provided. The composition includes an aluminum oxide, a zinc oxide, and a tin oxide. The thin film formed of the composition remains in amorphous phase at a temperature of 400° C or less. The FET using an active layer formed of the composition has improved electrical characteristics and can be fabricated using a low-temperature process without expensive raw materials, such as In and Ga.

摘要翻译： 提供了一种用于氧化物半导体薄膜的组合物，使用该组合物的场效应晶体管（FET）及其制造方法。 该组合物包括氧化铝，氧化锌和氧化锡。 由组合物形成的薄膜在400℃以下的温度下保持非晶相。 使用由组合物形成的有源层的FET具有改善的电特性，并且可以使用低温工艺制造而不昂贵的原料，例如In和Ga。

公开(公告)号：US08269220B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US12554066

申请日：2009-09-04

申请人： Min Ki Ryu ,  Chi Sun Hwang ,  Chun Won Byun ,  Hye Yong Chu ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Min Ki Ryu ,  Chi Sun Hwang ,  Chun Won Byun ,  Hye Yong Chu ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/66742 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

摘要： Provided is a transparent transistor including a substrate, source and drain electrodes formed on the substrate, each having a multi-layered structure of a lower transparent layer, a metal layer and an upper transparent layer, a channel formed between the source and drain electrodes, and a gate electrode aligned with the channel. Here, the lower transparent layer or the upper transparent layer is formed of a transparent semiconductor layer, which is the same as the channel. Thus, the use of the multi-layered transparent conductive layer can ensure transparency and conductivity, overcome a problem of contact resistance between the source and drain electrodes and a semiconductor, and improve processibility by patterning the multi-layered transparent conductive layer all at once, while deposition is performed layer by layer.

摘要翻译： 提供了一种透明晶体管，其包括形成在基板上的基板，源电极和漏电极，每个具有下透明层，金属层和上透明层的多层结构，在源极和漏极之间形成的沟道， 以及与沟道对准的栅电极。 这里，下透明层或上透明层由与通道相同的透明半导体层形成。 因此，使用多层透明导电层可以确保透明性和导电性，克服了源极和漏极之间的接触电阻和半导体的问题，并且通过一次构图多层透明导电层来提高加工性， 同时逐层进行沉积。

公开(公告)号：US20100235560A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12299135

申请日：2007-05-09

申请人： Soo Young Oh ,  Hye Yong Chu ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Soo Young Oh ,  Hye Yong Chu ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： G06F13/10

CPC分类号： H04M1/0266 ,  G06F1/1641 ,  G06F1/1643 ,  G06F1/1654 ,  H04M1/0214 ,  H04M1/72527 ,  H04M2250/12 ,  H04M2250/16

摘要： Provided is an input/output (I/O) expansion device for a portable electronic apparatus having a port to which an external expansion device can be connected. The I/O expansion device includes: a display body having at least one display portion; and at least one I/O connector formed at a portion of the display body to be electrically and physically attached to and separated from the port of the portable electronic apparatus. Therefore, it is possible to provide a multi-function I/O expansion device that can be electrically and physically attached and separated.

摘要翻译： 提供一种用于便携式电子设备的输入/输出（I / O）扩展装置，其具有能够连接外部扩展装置的端口。 I / O扩展装置包括：具有至少一个显示部分的显示体; 以及至少一个I / O连接器，其形成在所述显示器主体的一部分处，以电和物理地附接到所述便携式电子设备的端口并与所述便携式电子设备的端口分离。 因此，可以提供可以电气和物理地连接和分离的多功能I / O扩展装置。

公开(公告)号：US08493768B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US13300688

申请日：2011-11-21

申请人： Chunwon Byun ,  ByeongHoon Kim ,  Sung Min Yoon ,  Shinhyuk Yang ,  Min Ki Ryu ,  Chi-Sun Hwang ,  Sang-Hee Park ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Chunwon Byun ,  ByeongHoon Kim ,  Sung Min Yoon ,  Shinhyuk Yang ,  Min Ki Ryu ,  Chi-Sun Hwang ,  Sang-Hee Park ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： G11C11/22

CPC分类号： G11C11/22

摘要： Provided is a memory cell including: a ferroelectric transistor; a plurality of switching elements electrically connected to the ferroelectric transistor; and a plurality of control lines for transmitting individual control signals to each of the plurality of switching element for separately controlling the plurality of switching elements. The plurality of switching elements are configured to be separately controlled on the basis of the individual control signals so as to prevent each electrode of the ferroelectric transistor from being floated.

摘要翻译： 提供一种存储单元，包括：铁电晶体管; 电连接到所述铁电晶体管的多个开关元件; 以及多个控制线，用于将各个控制信号发送到多个开关元件中的每一个，用于分别控制多个开关元件。 多个开关元件被配置为基于各个控制信号单独控制，以防止铁电晶体管的每个电极浮动。

公开(公告)号：US08421610B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US12534672

申请日：2009-08-03

申请人： Seongdeok Ahn ,  In-Kyu You ,  Jiyoung Oh ,  Chul Am Kim ,  Jae Bon Koo ,  Sang Seok Lee ,  Kyung Soo Suh ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Seongdeok Ahn ,  In-Kyu You ,  Jiyoung Oh ,  Chul Am Kim ,  Jae Bon Koo ,  Sang Seok Lee ,  Kyung Soo Suh ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： G08B6/00

CPC分类号： G06F3/044 ,  G06F3/016 ,  G06F3/045

摘要： Provided are a touch screen and a method of operating the same. The touch screen includes a detecting part, a control part, and a tactile feedback part. The detecting part detects object's approach or contact. The control part receives a signal of the detecting part to output a feedback signal. The tactile feedback part receives the feedback signal of the control part to provide a tactile feedback to a contact position using a magnetic force. The tactile feedback uses the magnetic force of a magnetic dipole.

摘要翻译： 提供一种触摸屏及其操作方法。 触摸屏包括检测部分，控制部分和触觉反馈部分。 检测部件检测物体的接近或接触。 控制部分接收检测部分的信号以输出反馈信号。 触觉反馈部分接收控制部分的反馈信号，以使用磁力向接触位置提供触觉反馈。 触觉反馈使用磁偶极子的磁力。