公开(公告)号：US20050233598A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US11107559

申请日：2005-04-15

申请人： Hyung-Suk Jung ,  Jong-Ho Lee ,  Ha-Jin Lim ,  Jae-Eun Park ,  Yun-Seok Kim ,  Jong-Ho Yang

发明人： Hyung-Suk Jung ,  Jong-Ho Lee ,  Ha-Jin Lim ,  Jae-Eun Park ,  Yun-Seok Kim ,  Jong-Ho Yang

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314 ,  H01L21/336 ,  H01L21/469 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/022 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/3143 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： Methods of fabricating high-k dielectric layers having reduced impurities for use in semiconductor applications are disclosed. The methods include the steps of: forming a stacked dielectric layer having a first dielectric layer and a second dielectric layer formed on a semiconductor substrate using an ALD method, in combination with a post-treatment step performed to the stacked dielectric layer. The steps of forming the stacked dielectric layer and performing the post-treatment are repeated at least once, thereby fabricating the high-k dielectric layer.

摘要翻译： 公开了制造用于半导体应用的具有减少的杂质的高k电介质层的方法。 该方法包括以下步骤：结合对叠层电介质层执行的后处理步骤，使用ALD法形成具有形成在半导体衬底上的第一电介质层和第二电介质层的叠层电介质层。 形成堆叠的电介质层并进行后处理的步骤至少重复一次，从而制造高k电介质层。

公开(公告)号：US07651729B2

公开(公告)日：2010-01-26

申请号：US11127748

申请日：2005-05-12

申请人： Yun-Seok Kim ,  Jong-Pyo Kim ,  Ha-Jin Lim ,  Jae-Eun Park ,  Hyung-Suk Jung ,  Jong-Ho Lee ,  Jong-Ho Yang

发明人： Yun-Seok Kim ,  Jong-Pyo Kim ,  Ha-Jin Lim ,  Jae-Eun Park ,  Hyung-Suk Jung ,  Jong-Ho Lee ,  Jong-Ho Yang

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/401 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531

摘要： There are provided methods of fabricating a metal silicate layer on a semiconductor substrate using an atomic layer deposition technique. The methods include performing a metal silicate layer formation cycle at least one time in order to form a metal silicate layer having a desired thickness. The metal silicate layer formation cycle includes an operation of repeatedly performing a metal oxide layer formation cycle K times and an operation of repeatedly performing a silicon oxide layer formation cycle Q times. K and Q are integers ranging from 1 to 10 respectively. The metal oxide layer formation cycle includes the steps of supplying a metal source gas to a reactor containing the substrate, exhausting the metal source gas remaining in a reactor to clean the inside of the reactor, and then supplying an oxide gas into the reactor. The silicon oxide layer formation cycle includes supplying a silicon source gas, exhausting the silicon source gas remaining in the reactor to clean the inside of the reactor, and then supplying an oxide gas into the reactor.

摘要翻译： 提供了使用原子层沉积技术在半导体衬底上制造金属硅酸盐层的方法。 所述方法包括至少一次执行金属硅酸盐层形成循环以形成具有所需厚度的金属硅酸盐层。 金属硅酸盐层形成循环包括重复进行金属氧化物层形成循环K次的操作和重复进行氧化硅层形成循环Q次的操作。 K和Q分别为1〜10的整数。 金属氧化物层形成循环包括将金属源气体供给到含有基板的反应器，排出留在反应器内的金属源气体，清洗反应器内部，然后向反应器供给氧化气体的工序。 氧化硅层形成循环包括提供硅源气体，排出留在反应器中的硅源气体以清洁反应器的内部，然后将氧化物气体供应到反应器中。

公开(公告)号：US07396777B2

公开(公告)日：2008-07-08

申请号：US11107559

申请日：2005-04-15

申请人： Hyung-Suk Jung ,  Jong-Ho Lee ,  Ha-Jin Lim ,  Jae-Eun Park ,  Yun-Seok Kim ,  Jong-Ho Yang

发明人： Hyung-Suk Jung ,  Jong-Ho Lee ,  Ha-Jin Lim ,  Jae-Eun Park ,  Yun-Seok Kim ,  Jong-Ho Yang

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/022 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/3143 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： Methods of fabricating high-k dielectric layers having reduced impurities for use in semiconductor applications are disclosed. The methods include the steps of: forming a stacked dielectric layer having a first dielectric layer and a second dielectric layer formed on a semiconductor substrate using an ALD method, in combination with a post-treatment step performed to the stacked dielectric layer. The steps of forming the stacked dielectric layer and performing the post-treatment are repeated at least once, thereby fabricating the high-k dielectric layer.

摘要翻译： 公开了制造用于半导体应用的具有减少的杂质的高k电介质层的方法。 该方法包括以下步骤：结合对叠层电介质层执行的后处理步骤，使用ALD法形成具有形成在半导体衬底上的第一电介质层和第二电介质层的叠层电介质层。 形成堆叠的电介质层并进行后处理的步骤至少重复一次，从而制造高k电介质层。

公开(公告)号：US20050255246A1

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：US11127748

申请日：2005-05-12

申请人： Yun-Seok Kim ,  Jong-Pyo Kim ,  Ha-Jin Lim ,  Jae-Eun Park ,  Hyung-Suk Jung ,  Jong-Ho Lee ,  Jong-Ho Yang

发明人： Yun-Seok Kim ,  Jong-Pyo Kim ,  Ha-Jin Lim ,  Jae-Eun Park ,  Hyung-Suk Jung ,  Jong-Ho Lee ,  Jong-Ho Yang

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/401 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531

摘要： There are provided methods of fabricating a metal silicate layer on a semiconductor substrate using an atomic layer deposition technique. The methods include performing a metal silicate layer formation cycle at least one time in order to form a metal silicate layer having a desired thickness. The metal silicate layer formation cycle includes an operation of repeatedly performing a metal oxide layer formation cycle K times and an operation of repeatedly performing a silicon oxide layer formation cycle Q times. K and Q are integers ranging from 1 to 10 respectively. The metal oxide layer formation cycle includes the steps of supplying a metal source gas to a reactor containing the substrate, exhausting the metal source gas remaining in a reactor to clean the inside of the reactor, and then supplying an oxide gas into the reactor. The silicon oxide layer formation cycle includes supplying a silicon source gas, exhausting the silicon source gas remaining in the reactor to clean the inside of the reactor, and then supplying an oxide gas into the reactor.

摘要翻译： 提供了使用原子层沉积技术在半导体衬底上制造金属硅酸盐层的方法。 所述方法包括至少一次执行金属硅酸盐层形成循环以形成具有所需厚度的金属硅酸盐层。 金属硅酸盐层形成循环包括重复执行金属氧化物层形成循环K次的操作和重复进行氧化硅层形成循环Q次的操作。 K和Q分别为1〜10的整数。 金属氧化物层形成循环包括将金属源气体供给到含有基板的反应器，排出留在反应器内的金属源气体，清洗反应器内部，然后向反应器供给氧化气体的工序。 氧化硅层形成循环包括提供硅源气体，排出留在反应器中的硅源气体以清洁反应器的内部，然后将氧化物气体供应到反应器中。

公开(公告)号：US07547951B2

公开(公告)日：2009-06-16

申请号：US11396702

申请日：2006-04-04

申请人： Ha-Jin Lim ,  Jong-Ho Lee ,  Hyung-Suk Jung ,  Yun Seok Kim ,  Min Joo Kim

发明人： Ha-Jin Lim ,  Jong-Ho Lee ,  Hyung-Suk Jung ,  Yun Seok Kim ,  Min Joo Kim

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823857

摘要： A semiconductor device may include a semiconductor substrate having a first region and a second region. The nitrogen-incorporated active region may be formed within the first region. A first gate electrode may be formed on the nitrogen-incorporated active region. A first gate dielectric layer may be interposed between the nitrogen-incorporated active region and the first gate electrode. The first gate dielectric layer may include a first dielectric layer and a second dielectric layer. The second dielectric layer may be a nitrogen contained dielectric layer. A second gate electrode may be formed on the second region. A second gate dielectric layer may be interposed between the second region and the second gate electrode. The first gate dielectric layer may have the same or substantially the same thickness as the second gate dielectric layer, and the nitrogen contained dielectric layer may contact with the nitrogen-incorporated active region.

摘要翻译： 半导体器件可以包括具有第一区域和第二区域的半导体衬底。 可以在第一区域内形成含氮的有源区。 可以在引入氮的有源区上形成第一栅电极。 第一栅极电介质层可插入在引入氮的有源区和第一栅电极之间。 第一栅介质层可以包括第一介电层和第二介电层。 第二电介质层可以是含氮介电层。 第二栅极电极可以形成在第二区域上。 可以在第二区域和第二栅电极之间插入第二栅极电介质层。 第一栅极介电层可以具有与第二栅极介电层相同或基本相同的厚度，并且含氮介电层可以与引入氮的有源区接触。

公开(公告)号：US08013402B2

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US12574912

申请日：2009-10-07

申请人： Ha-Jin Lim ,  Jong-Ho Lee ,  Hyung-Suk Jung

发明人： Ha-Jin Lim ,  Jong-Ho Lee ,  Hyung-Suk Jung

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： Transistors that include multilayered dielectric films on a channel region are provided. The multilayered dielectric comprises a lower dielectric film that may have a thickness that is at least 50% the thickness of the multilayered dielectric film and that comprises a metal oxide, a metal silicate, an aluminate, or a mixture thereof, and an upper dielectric film on the lower dielectric film, the upper dielectric film comprising a Group III metal oxide, Group III metal nitride, Group XIII metal oxide or Group XIII metal nitride. A gate electrode is provided on the multilayered dielectric film.

摘要翻译： 提供了在通道区​​域上包括多层电介质膜的晶体管。 多层电介质包括下电介质膜，该电介质膜的厚度至少为多层电介质膜的厚度的50％，并且包括金属氧化物，金属硅酸盐，铝酸盐或其混合物，以及上电介质膜 在下介电膜上，上电介质膜包含III族金属氧化物，III族金属氮化物，第ⅩⅢ族金属氧化物或第ⅩⅢ族金属氮化物。 在多层电介质膜上设置栅电极。

公开(公告)号：US07767512B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US12019449

申请日：2008-01-24

申请人： Hyung-Suk Jung ,  Jong-Ho Lee ,  Sung-Kee Han ,  Yun-Ki Choi ,  Ha Jin Lim

发明人： Hyung-Suk Jung ,  Jong-Ho Lee ,  Sung-Kee Han ,  Yun-Ki Choi ,  Ha Jin Lim

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28026 ,  H01L29/49

摘要： In a method of manufacturing a semiconductor device, a gate insulation layer is formed on a substrate including a first channel of a first conductive type and a second channel of a second conductive type different from the first conductive type. A first conductive layer including a first metal is formed on the gate insulation layer, and a second conductive layer including a second metal different from the first metal is formed on the first conductive layer formed over the second channel. The second conductive layer is partially removed by a wet etching process to form a second conductive layer pattern over the second channel.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，在包括第一导电类型的第一沟道和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二沟道的衬底上形成栅极绝缘层。 在栅极绝缘层上形成包括第一金属的第一导电层，并且在形成在第二沟道上的第一导电层上形成包括不同于第一金属的第二金属的第二导电层。 通过湿式蚀刻工艺部分去除第二导电层，以在第二通道上形成第二导电层图案。

公开(公告)号：US20070200160A1

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：US11650290

申请日：2007-01-05

申请人： Hyung-Suk Jung ,  Jong-Ho Lee ,  Ha-Jin Lim ,  Mi-Young Yu

发明人： Hyung-Suk Jung ,  Jong-Ho Lee ,  Ha-Jin Lim ,  Mi-Young Yu

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/105 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor substrate comprising an active area where a first conductive channel is formed, a gate electrode formed on the active area formed on the semiconductor substrate and a gate dielectric layer interposed between the active area and the gate electrode. The semiconductor device further includes a charge generating layer formed along the interface between the active area and the gate dielectric layer on the semiconductor substrate so that fixed charges are generated around the interface.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底，其包括形成有第一导电沟道的有源区，形成在形成于半导体衬底上的有源区上的栅电极和介于有源区和栅电极之间的栅介质层。 半导体器件还包括沿着半导体衬底上的有源区和栅介电层之间的界面形成的电荷产生层，从而在界面周围产生固定电荷。

公开(公告)号：US20100025781A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12574912

申请日：2009-10-07

申请人： Ha-Jin Lim ,  Jong-Ho Lee ,  Hyung-Suk Jung

发明人： Ha-Jin Lim ,  Jong-Ho Lee ,  Hyung-Suk Jung

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： Transistors that include multilayered dielectric films on a channel region are provided. The multilayered dielectric comprises a lower dielectric film that may have a thickness that is at least 50% the thickness of the multilayered dielectric film and that comprises a metal oxide, a metal silicate, an aluminate, or a mixture thereof, and an upper dielectric film on the lower dielectric film, the upper dielectric film comprising a Group III metal oxide, Group III metal nitride, Group XIII metal oxide or Group XIII metal nitride. A gate electrode is provided on the multilayered dielectric film.

摘要翻译： 提供了在通道区​​域上包括多层电介质膜的晶体管。 多层电介质包括下电介质膜，该电介质膜的厚度至少为多层电介质膜的厚度的50％，并且包括金属氧化物，金属硅酸盐，铝酸盐或其混合物，以及上电介质膜 在下介电膜上，上电介质膜包含III族金属氧化物，III族金属氮化物，第ⅩⅢ族金属氧化物或第ⅩⅢ族金属氮化物。 在多层电介质膜上设置栅电极。

公开(公告)号：US07615830B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US11252514

申请日：2005-10-18

申请人： Ha-Jin Lim ,  Jong-Ho Lee ,  Hyung-Suk Jung

发明人： Ha-Jin Lim ,  Jong-Ho Lee ,  Hyung-Suk Jung

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： Transistors that include multilayered dielectric films on a channel region are provided. The multilayered dielectric comprises a lower dielectric film that may have a thickness that is at least 50% the thickness of the multilayered dielectric film and that comprises a metal oxide, a metal silicate, an aluminate, or a mixture thereof, and an upper dielectric film on the lower dielectric film, the upper dielectric film comprising a Group III metal oxide, Group III metal nitride, Group XIII metal oxide or Group XIII metal nitride. A gate electrode is provided on the multilayered dielectric film.

摘要翻译： 提供了在通道区​​域上包括多层电介质膜的晶体管。 多层电介质包括下电介质膜，该电介质膜的厚度至少为多层电介质膜的厚度的50％，并且包括金属氧化物，金属硅酸盐，铝酸盐或其混合物，以及上电介质膜 在下介电膜上，上电介质膜包含III族金属氧化物，III族金属氮化物，第ⅩⅢ族金属氧化物或第ⅩⅢ族金属氮化物。 在多层电介质膜上设置栅电极。