公开(公告)号：US20140091370A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：US13660497

申请日：2012-10-25

申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP

发明人： CHENG-WEI CHENG ,  SHU-JEN HAN ,  MASAHARU KOBAYASHI ,  KO-TAO LEE ,  DEVENDRA K. SADANA ,  KUEN-TING SHIU

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/89 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/92 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/05617 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/08245 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80052 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80379 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

摘要： A device and method for fabrication includes providing a first substrate assembly including a first substrate and a first metal layer formed on the first substrate and a second substrate assembly including a second substrate and a second metal layer formed on the second substrate. The first metal layer is joined to the second metal layer using a cold welding process wherein one of the first substrate and the second substrate includes a semiconductor channel layer for forming a transistor device.

摘要翻译： 一种用于制造的器件和方法，包括提供包括第一衬底和形成在第一衬底上的第一金属层的第一衬底组件和包括形成在第二衬底上的第二衬底和第二金属层的第二衬底组件。 使用冷焊工艺将第一金属层接合到第二金属层，其中第一基板和第二基板中的一个包括用于形成晶体管器件的半导体沟道层。