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    Data alignment circuit of semiconductor memory apparatus
    1.
    发明授权
    Data alignment circuit of semiconductor memory apparatus 有权
    半导体存储装置的数据对准电路

    公开(公告)号：US08189400B2

    公开(公告)日：2012-05-29

    申请号：US12647174

    申请日：2009-12-24

    申请人： Hyung Soo Kim ,  Yong Ju Kim ,  Sung Woo Han ,  Hee Woong Song ,  Ic Su Oh ,  Tae Jin Hwang ,  Hae Rang Choi ,  Ji Wang Lee ,  Jae Min Jang ,  Chang Kun Park

    发明人： Hyung Soo Kim ,  Yong Ju Kim ,  Sung Woo Han ,  Hee Woong Song ,  Ic Su Oh ,  Tae Jin Hwang ,  Hae Rang Choi ,  Ji Wang Lee ,  Jae Min Jang ,  Chang Kun Park

    IPC分类号： G11C7/00

    CPC分类号： G11C7/1006 ,  G11C7/1012 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/1087

    摘要： A data alignment circuit of a semiconductor memory apparatus for receiving and aligning parallel data group includes a first control unit, a second control unit, a first alignment unit and a second alignment unit. The first alignment unit generates a first control signal group in response to an address group, a clock signal, and a latency signal. The second control unit generates a second control signal group in response to the address group, the clock signal, and the latency signal. The first alignment unit aligns the parallel data group as a first serial data group in response to the first control signal group. The second alignment unit aligns the parallel data group as a second serial data group in response to the second control signal group.

    摘要翻译： 用于接收和对准并行数据组的半导体存储装置的数据对准电路包括第一控制单元，第二控制单元，第一对准单元和第二对准单元。 第一对准单元响应于地址组，时钟信号和等待时间信号产生第一控制信号组。 第二控制单元响应于地址组，时钟信号和等待时间信号产生第二控制信号组。 第一对准单元响应于第一控制信号组将并行数据组对准为第一串行数据组。 第二对准单元响应于第二控制信号组将并行数据组对准为第二串行数据组。

    DATA ALIGNMENT CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS
    5.
    发明申请
    DATA ALIGNMENT CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS 有权
    半导体存储器的数据对准电路

    公开(公告)号：US20100309732A1

    公开(公告)日：2010-12-09

    申请号：US12647174

    申请日：2009-12-24

    申请人： Hyung Soo Kim ,  Yong Ju Kim ,  Sung Woo Han ,  Hee Woong Song ,  Ic Su Oh ,  Tae Jin Hwang ,  Hae Rang Choi ,  Ji Wang Lee ,  Jae Min Jang ,  Chang Kun Park

    发明人： Hyung Soo Kim ,  Yong Ju Kim ,  Sung Woo Han ,  Hee Woong Song ,  Ic Su Oh ,  Tae Jin Hwang ,  Hae Rang Choi ,  Ji Wang Lee ,  Jae Min Jang ,  Chang Kun Park

    IPC分类号： G11C7/10 ,  G11C7/00 ,  G11C8/00

    CPC分类号： G11C7/1006 ,  G11C7/1012 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/1087

    摘要： A data alignment circuit of a semiconductor memory apparatus for receiving and aligning parallel data group includes a first control unit, a second control unit, a first alignment unit and a second alignment unit. The first alignment unit generates a first control signal group in response to an address group, a clock signal, and a latency signal. The second control unit generates a second control signal group in response to the address group, the clock signal, and the latency signal. The first alignment unit aligns the parallel data group as a first serial data group in response to the first control signal group. The second alignment unit aligns the parallel data group as a second serial data group in response to the second control signal group.

    摘要翻译： 用于接收和对准并行数据组的半导体存储装置的数据对准电路包括第一控制单元，第二控制单元，第一对准单元和第二对准单元。 第一对准单元响应于地址组，时钟信号和等待时间信号产生第一控制信号组。 第二控制单元响应于地址组，时钟信号和等待时间信号产生第二控制信号组。 第一对准单元响应于第一控制信号组将并行数据组对准为第一串行数据组。 第二对准单元响应于第二控制信号组将并行数据组对准为第二串行数据组。

    Voltage Level Comparison Circuit of Semiconductor Memory Apparatus, Voltage Adjustment Circuit Using Voltage Level Comparison Circuit, and Semiconductor Memory Apparatus Using the Same
    9.
    发明申请
    Voltage Level Comparison Circuit of Semiconductor Memory Apparatus, Voltage Adjustment Circuit Using Voltage Level Comparison Circuit, and Semiconductor Memory Apparatus Using the Same 失效
    半导体存储器件的电压电平比较电路，使用电压电平比较电路的电压调节电路和使用其的半导体存储器件

    公开(公告)号：US20090257301A1

    公开(公告)日：2009-10-15

    申请号：US12336423

    申请日：2008-12-16

    申请人： Ic Su Oh ,  Yong Ju Kim ,  Sung Woo Han ,  Hee Woong Song ,  Hyung Soo Kim ,  Tae Jin Hwang ,  Hae Rang Choi ,  Ji Wang Lee ,  Jae Min Jang ,  Chang Kun Park

    发明人： Ic Su Oh ,  Yong Ju Kim ,  Sung Woo Han ,  Hee Woong Song ,  Hyung Soo Kim ,  Tae Jin Hwang ,  Hae Rang Choi ,  Ji Wang Lee ,  Jae Min Jang ,  Chang Kun Park

    IPC分类号： G11C5/14

    CPC分类号： G11C5/147

    摘要： A voltage adjustment circuit of a semiconductor memory apparatus includes a control voltage generating unit configured to distribute an external voltage for selectively outputting a plurality of distribution voltages as a control voltage in response to a control signal, the plurality of the distribution voltages each have different voltage levels, a comparing unit configured to include a voltage supply unit configured to control an external voltage supplied to a first node and a second node if a level of an output voltage is higher than a level of a reference voltage in response to a level of the control voltage, and a detection signal generating unit configured to drop potential levels of the first and second nodes according to the levels of the output voltage and the reference voltage, and to output the potential level of the second node as a detection signal, and a voltage generating unit configured to drive the external voltage according to a potential level of the detection signal and to output the external voltage as the output voltage.

    摘要翻译： 半导体存储装置的电压调整电路包括：控制电压生成部，其被配置为响应于控制信号分配用于选择性地输出多个分配电压的外部电压作为控制电压，所述多个分配电压各自具有不同的电压 电平，比较单元，被配置为包括电压供应单元，其被配置为响应于所述电平的电平而控制提供给第一节点的外部电压和第二节点，如果输出电压的电平高于参考电压的电平 以及检测信号生成单元，被配置为根据输出电压和参考电压的电平来降低第一和第二节点的电位电平，并输出第二节点的电位电平作为检测信号，以及 电压产生单元，被配置为根据检测信号的电位来驱动外部电压 并输出外部电压作为输出电压。