公开(公告)号：US08687954B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US13272683

申请日：2011-10-13

申请人： Jae-sung You ,  Cheon-ho Park ,  Sung-kyong Oh ,  Kwan-young Oh

发明人： Jae-sung You ,  Cheon-ho Park ,  Sung-kyong Oh ,  Kwan-young Oh

IPC分类号： G03G15/05 ,  G03B15/03

CPC分类号： G03B15/03 ,  F21V13/04 ,  G02B3/08 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0061 ,  G03B15/05 ,  G03B2215/0503

摘要： A flash lens and a flash module employing the same. The flash lens includes a lens unit including an incident surface, a reflecting surface, and a light-emitting surface; and a lens seating portion disposed at a lower portion of an edge of the light-emitting surface, extending and protruding from the reflecting surface, and including a pattern formed in a lower surface thereof. In addition, the flash module according to an embodiment of the present invention may include the flash lens and a light emitting diode (LED) chip integrally formed with the flash lens.

摘要翻译： 闪光镜头和使用其的闪光灯模块。 闪光镜包括透镜单元，其包括入射表面，反射表面和发光表面; 以及透镜座部，其设置在从所述反射面延伸并突出的所述发光面的边缘的下部，并且包括形成在所述发光面的下表面的图案。 此外，根据本发明的实施例的闪光灯模块可以包括闪光镜头和与闪光镜片一体形成的发光二极管（LED）芯片。

公开(公告)号：US20120114323A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：US13272683

申请日：2011-10-13

申请人： Jae-sung YOU ,  Cheon-ho Park ,  Sung-Kyong Oh ,  Kwan-young Oh

发明人： Jae-sung YOU ,  Cheon-ho Park ,  Sung-Kyong Oh ,  Kwan-young Oh

IPC分类号： G03B15/03

CPC分类号： G03B15/03 ,  F21V13/04 ,  G02B3/08 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0061 ,  G03B15/05 ,  G03B2215/0503

摘要： A flash lens and a flash module employing the same. The flash lens includes a lens unit including an incident surface, a reflecting surface, and a light-emitting surface; and a lens seating portion disposed at a lower portion of an edge of the light-emitting surface, extending and protruding from the reflecting surface, and including a pattern formed in a lower surface thereof. In addition, the flash module according to an embodiment of the present invention may include the flash lens and a light emitting diode (LED) chip integrally formed with the flash lens.

摘要翻译： 闪光镜头和使用其的闪光灯模块。 闪光镜包括透镜单元，其包括入射表面，反射表面和发光表面; 以及透镜座部，其设置在从所述反射面延伸并突出的所述发光面的边缘的下部，并且包括形成在所述发光面的下表面的图案。 此外，根据本发明的实施例的闪光灯模块可以包括闪光镜头和与闪光镜片一体形成的发光二极管（LED）芯片。

公开(公告)号：US08619490B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US13153749

申请日：2011-06-06

申请人： Hak-soo Yu ,  Hong-sun Hwang ,  Kwan-young Oh ,  In-gyu Baek ,  Jin-hyoung Kwon

发明人： Hak-soo Yu ,  Hong-sun Hwang ,  Kwan-young Oh ,  In-gyu Baek ,  Jin-hyoung Kwon

IPC分类号： G11C8/00

CPC分类号： G11C5/063

摘要： Semiconductor memory devices include a first storage layer and a second storage layer, each of which includes at least one array, and a control layer for controlling access to the first storage layer and the second storage layer so as to write data to or read data from the array included in the first storage layer or the second storage layer in correspondence to a control signal. A memory capacity of the array included in the first storage layer is different from a memory capacity of the array included in the second storage layer.

摘要翻译： 半导体存储器件包括第一存储层和第二存储层，每个存储层包括至少一个阵列，以及用于控制对第一存储层和第二存储层的访问的控制层，以便将数据写入或从 该阵列包括在与控制信号对应的第一存储层或第二存储层中。 包括在第一存储层中的阵列的存储器容量不同于包括在第二存储层中的阵列的存储器容量。

公开(公告)号：US5943570A

公开(公告)日：1999-08-24

申请号：US780636

申请日：1997-01-08

申请人： Young-wook Park ,  Young-sun Kim ,  Seung-hee Nam ,  Se-jin Shim ,  Cha-young Yoo ,  Kwan-young Oh

发明人： Young-wook Park ,  Young-sun Kim ,  Seung-hee Nam ,  Se-jin Shim ,  Cha-young Yoo ,  Kwan-young Oh

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L28/82

摘要： A capacitor for a semiconductor memory device and a method for manufacturing the same are provided. A lower electrode of a capacitor according to the present invention has a structure in which a first conductive layer and a second conductive layer are sequentially deposited and an HSG is selectively formed on the surface thereof. The first conductive layer is composed of an amorphous or a polycrystalline silicon film having a low concentration of impurities. The second conductive layer is composed of an amorphous silicon film having a high concentration of impurities. According to the present invention, it is possible to obtain a desirable Cmin/Cmax ratio in the lower electrode of the capacitor having an HSG silicon layer and to prevent diffusion of impurities from the lower electrode of the capacitor.

摘要翻译： 提供了一种用于半导体存储器件的电容器及其制造方法。 根据本发明的电容器的下电极具有顺序地沉积第一导电层和第二导电层并且在其表面上选择性地形成HSG的结构。 第一导电层由具有低浓度杂质的无定形或多晶硅膜构成。 第二导电层由具有高浓度杂质的非晶硅膜构成。 根据本发明，可以在具有HSG硅层的电容器的下电极中获得所需的Cmin / Cmax比，并且防止杂质从电容器的下电极扩散。

公开(公告)号：US5674782A

公开(公告)日：1997-10-07

申请号：US611432

申请日：1996-03-04

申请人： Nae-in Lee ,  Moon-han Park ,  Young-wug Kim ,  Kwan-young Oh

发明人： Nae-in Lee ,  Moon-han Park ,  Young-wug Kim ,  Kwan-young Oh

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/02071 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/32135

摘要： A method for efficiently removing by-products produced in dry-etching a fabricated structure of a semiconductor device, particularly, a polycide structure. The method includes the steps of sequentially forming a polysilicon layer and a refractory metal silicide layer to overlie previously fabricated structures on a semiconductor substrate, dry-etching the polysilicon layer and the refractory metal silicide layer to form a patterned polysilicon layer and a patterned refractory metal silicide layer, and thermal treating the resultant structure to remove at least one kind of by-product produced in the dry-etching step at a temperature higher than the boiling point of any by-product.

摘要翻译： 一种用于有效地除去在干法蚀刻半导体器件，特别是多晶硅化物结构的制造结构中产生的副产物的方法。 该方法包括以下步骤：顺序地形成多晶硅层和难熔金属硅化物层以覆盖半导体衬底上先前制造的结构，干蚀刻多晶硅层和难熔金属硅化物层以形成图案化的多晶硅层和图案化的难熔金属 硅化物层，并对所得结构进行热处理，以在高于任何副产物的沸点的温度下除去在干蚀刻步骤中产生的至少一种副产物。

公开(公告)号：US20110305059A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US13153749

申请日：2011-06-06

申请人： Hak-soo Yu ,  Hong-sun Hwang ,  Kwan-young Oh ,  In-gyu Baek ,  Jin-hyoung Kwon

发明人： Hak-soo Yu ,  Hong-sun Hwang ,  Kwan-young Oh ,  In-gyu Baek ,  Jin-hyoung Kwon

IPC分类号： G11C5/06 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C5/063

摘要： Semiconductor memory devices include a first storage layer and a second storage layer, each of which includes at least one array, and a control layer for controlling access to the first storage layer and the second storage layer so as to write data to or read data from the array included in the first storage layer or the second storage layer in correspondence to a control signal. A memory capacity of the array included in the first storage layer is different from a memory capacity of the array included in the second storage layer.

摘要翻译： 半导体存储器件包括第一存储层和第二存储层，每个存储层包括至少一个阵列，以及用于控制对第一存储层和第二存储层的访问的控制层，以便将数据写入或从 该阵列包括在与控制信号对应的第一存储层或第二存储层中。 包括在第一存储层中的阵列的存储器容量不同于包括在第二存储层中的阵列的存储器容量。