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    Growth of inorganic thin films using self-assembled monolayers as nucleation sites
    1.
    发明申请
    Growth of inorganic thin films using self-assembled monolayers as nucleation sites 有权
    使用自组装单层作为成核位点的无机薄膜的生长

    公开(公告)号：US20060003438A1

    公开(公告)日：2006-01-05

    申请号：US11155453

    申请日：2005-06-17

    申请人： James Engstrom ,  Aravind Killampalli ,  Paul Ma

    发明人： James Engstrom ,  Aravind Killampalli ,  Paul Ma

    IPC分类号： C12M1/34 ,  B05D1/36

    CPC分类号： H01L21/02172 ,  B05D1/185 ,  B05D1/60 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/31604 ,  H01L51/56

    摘要： Systems and methods for preparing inorganic-organic interfaces using organo-transition metal complexes and self-assembled monolayers as organic surfaces. In one embodiment, a silicon wafer is cleaned and reacted with stabilized pirhana etch to provide an oxide surface. The surface is reacted with the trichlorosilyl end of alkyltrichlorosilanes to prepare self assembling monomers (SAMs). The alkyltrichlorosilanes have the general formula R1-R—SiCl3, where R1 is —OH, —NH2, —COOH, —SH, COOCH3, —CN, and R is a conjugated hydrocarbon, such as (CH2)n where n is in the range of 3 to 18. The functionalized end of the SAM can optionally modified chemically as appropriate, and is then reacted with metal-bearing species such as tetrakis(dimethylamido)titanium, Ti[N(CH3)2]4, (TDMAT) to provide a titanium nitride layer.

    摘要翻译： 使用有机过渡金属络合物和自组装单层作为有机表面制备无机 - 有机界面的系统和方法。 在一个实施例中，清洁硅晶片并与稳定的pirhana蚀刻反应以提供氧化物表面。 表面与烷基三氯硅烷的三氯甲硅烷基末端反应以制备自组装单体（SAM）。 烷基三氯硅烷具有通式R 1 -R 3 -SiCl 3，其中R 1是-OH，-NH 2，-COOH，-SH，COOCH 3， SUB，-CN和R是共轭烃，例如（CH 2）n N，其中n在3至18的范围内。SAM的官能化端可以任选地适当地化学改性， 然后与含金属的物质如四（二甲基氨基）钛，Ti [N（CH 3）2）2]，（ TDMAT）以提供氮化钛层。

    Sub-second annealing processes for semiconductor devices
    2.
    发明授权
    Sub-second annealing processes for semiconductor devices 有权
    半导体器件的次秒退火工艺

    公开(公告)号：US07892971B2

    公开(公告)日：2011-02-22

    申请号：US12164560

    申请日：2008-06-30

    申请人： Jack Hwang ,  Sridhar Govindaraju ,  Karson Knutson ,  Harold Kennel ,  Aravind Killampalli

    发明人： Jack Hwang ,  Sridhar Govindaraju ,  Karson Knutson ,  Harold Kennel ,  Aravind Killampalli

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/665

    摘要： An annealing method and apparatus for semiconductor manufacturing is described. The method and apparatus allows an anneal that can span a thermal budget and be tailored to a specific process and its corresponding activation energy. In some cases, the annealing method spans a timeframe from about 1 millisecond to about 1 second. An example for this annealing method includes a sub-second anneal method where a reduction in the formation of nickel pipes is achieved during salicide processing. In some cases, the method and apparatus combine the rapid heating rate of a sub-second anneal with a thermally conductive substrate to provide quick cooling for a silicon wafer. Thus, the thermal budget of the sub-second anneal methods may span the range from conventional RTP anneals to flash annealing processes (including duration of the anneal, as well as peak temperature). Other embodiments are described.

    摘要翻译： 描述用于半导体制造的退火方法和装置。 该方法和装置允许可以跨越热预算的退火，并且可以针对具体过程及其对应的激活能量进行定制。 在一些情况下，退火方法跨越约1毫秒至约1秒的时间范围。 该退火方法的一个实例包括二次退火方法，其中在自杀化处理期间实现镍管形成的减少。 在一些情况下，该方法和装置将亚秒级退火的快速加热速率与导热基板相结合，为硅晶片提供快速冷却。 因此，次秒退火方法的热预算可以跨越从常规RTP退火到闪光退火工艺（包括退火的持续时间，以及峰值温度）的范围。 描述其他实施例。

    SUB-SECOND ANNEALING PROCESSES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
    4.
    发明申请
    SUB-SECOND ANNEALING PROCESSES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES 有权
    用于半导体器件的次二次退火工艺

    公开(公告)号：US20090325392A1

    公开(公告)日：2009-12-31

    申请号：US12164560

    申请日：2008-06-30

    申请人： Jack Hwang ,  Sridhar Govindaraju ,  Karson Knutson ,  Harold Kennel ,  Aravind Killampalli

    发明人： Jack Hwang ,  Sridhar Govindaraju ,  Karson Knutson ,  Harold Kennel ,  Aravind Killampalli

    IPC分类号： H01L21/26

    CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/665

    摘要： An annealing method and apparatus for semiconductor manufacturing is described. The method and apparatus allows an anneal that can span a thermal budget and be tailored to a specific process and its corresponding activation energy. In some cases, the annealing method spans a timeframe from about 1 millisecond to about 1 second. An example for this annealing method includes a sub-second anneal method where a reduction in the formation of nickel pipes is achieved during salicide processing. In some cases, the method and apparatus combine the rapid heating rate of a sub-second anneal with a thermally conductive substrate to provide quick cooling for a silicon wafer. Thus, the thermal budget of the sub-second anneal methods may span the range from conventional RTP anneals to flash annealing processes (including duration of the anneal, as well as peak temperature). Other embodiments are described.

    摘要翻译： 描述用于半导体制造的退火方法和装置。 该方法和装置允许可以跨越热预算的退火，并且可以针对具体过程及其对应的激活能量进行定制。 在一些情况下，退火方法跨越约1毫秒至约1秒的时间范围。 该退火方法的一个实例包括二次退火方法，其中在自杀化处理期间实现镍管形成的减少。 在一些情况下，该方法和装置将亚秒级退火的快速加热速率与导热基板相结合，为硅晶片提供快速冷却。 因此，次秒退火方法的热预算可以跨越从常规RTP退火到闪光退火工艺（包括退火的持续时间，以及峰值温度）的范围。 描述其他实施例。

    ANNEALING A SACRIFICIAL LAYER
    5.
    发明申请
    ANNEALING A SACRIFICIAL LAYER 审中-公开
    退化一个非常重要的层

    公开(公告)号：US20140011373A1

    公开(公告)日：2014-01-09

    申请号：US13995168

    申请日：2011-12-28

    申请人： Aravind Killampalli ,  Charles H. Wallace ,  Sridhar S. Govindaraju

    发明人： Aravind Killampalli ,  Charles H. Wallace ,  Sridhar S. Govindaraju

    IPC分类号： H01L21/263

    CPC分类号： H01L21/2636 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/324

    摘要： Methods for semiconductor processing include annealing a sacrificial material to change a characteristic of the sacrificial material. Changes may include reducing line edge roughness, changing density, changing surface chemistry, or changing a dimension of patterns of the sacrificial material. At least one additional process may be included to change a layer positioned below the sacrificial material before removing all, or substantially all, of the sacrificial material.

    摘要翻译： 用于半导体处理的方法包括退火牺牲材料以改变牺牲材料的特性。 变化可能包括减少线边缘粗糙度，改变密度，改变表面化学性质，或改变牺牲材料图案的尺寸。 在除去所有或基本上所有牺牲材料之前，可以包括至少一个附加工艺来改变位于牺牲材料之下的层。