公开(公告)号：US5965679A

公开(公告)日：1999-10-12

申请号：US834677

申请日：1997-04-01

申请人： James P. Godschalx ,  Duane R. Romer ,  Ying Hung So ,  Zenon Lysenko ,  Michael E. Mills ,  Gary R. Buske ,  Paul H. Townsend, III ,  Dennis W. Smith, Jr. ,  Steven J. Martin ,  Robert A. DeVries

发明人： James P. Godschalx ,  Duane R. Romer ,  Ying Hung So ,  Zenon Lysenko ,  Michael E. Mills ,  Gary R. Buske ,  Paul H. Townsend, III ,  Dennis W. Smith, Jr. ,  Steven J. Martin ,  Robert A. DeVries

IPC分类号： C08G61/10 ,  C08F38/00

CPC分类号： C08G61/10 ,  C08G2261/312

摘要： An oligomer, uncured polymer or cured polymer comprising the reaction product of one or more polyfunctional compounds containing two or more cyclopentadienone groups and at least one polyfunctional compound containing two or more aromatic acetylene groups wherein at least some of the polyfunctional compounds contain three or more reactive groups. Such oligomers and uncured polymers may be cured to form cured polymers which are useful as dielectrics in the microelectronics industry, especially for dielectrics in integrated circuits.

摘要翻译： 包含含有两个或多个环戊二烯酮基团的一种或多种多官能化合物与至少一种含有两个或多个芳族乙炔基团的多官能化合物的反应产物的低聚物，未固化聚合物或固化聚合物，其中至少一些多官能化合物含有三个或更多个反应性 团体 这种低聚物和未固化的聚合物可以固化以形成固化聚合物，其可用作微电子工业中的电介质，特别是用于集成电路中的电介质。

公开(公告)号：US06288188B1

公开(公告)日：2001-09-11

申请号：US09281838

申请日：1999-03-31

申请人： James P. Godschalx ,  Duane R. Romer ,  Zenon Lysenko ,  Michael E. Mills

发明人： James P. Godschalx ,  Duane R. Romer ,  Zenon Lysenko ,  Michael E. Mills

IPC分类号： C08F3800

CPC分类号： C08G61/10 ,  C08G2261/312

摘要： An oligomer, uncured polymer or cured polymer comprising the reaction product of one or more polyfunctional compounds containing two or more cyclopentadienone groups and at least one polyfunctional compound containing two or more aromatic acetylene groups wherein at least some of the polyfunctional compounds contain three or more reactive groups. Such oligomers and uncured polymers may be cured to form cured polymers which are useful as dielectrics in the microelectronics industry, especially for dielectrics in integrated circuits.

摘要翻译： 包含含有两个或多个环戊二烯酮基团的一种或多种多官能化合物与至少一种含有两个或多个芳族乙炔基团的多官能化合物的反应产物的低聚物，未固化聚合物或固化聚合物，其中至少一些多官能化合物含有三个或更多个反应性 团体 这种低聚物和未固化的聚合物可以固化以形成固化聚合物，其可用作微电子工业中的电介质，特别是用于集成电路中的电介质。

公开(公告)号：US06887910B2

公开(公告)日：2005-05-03

申请号：US10283552

申请日：2002-10-29

申请人： Kenneth J. Bruza ,  James P. Godschalx ,  Edward O. Shaffer, II ,  Dennis W. Smith, Jr. ,  Paul H. Townsend, III ,  Kevin J. Bouck ,  Qing Shan J. Niu

发明人： Kenneth J. Bruza ,  James P. Godschalx ,  Edward O. Shaffer, II ,  Dennis W. Smith, Jr. ,  Paul H. Townsend, III ,  Kevin J. Bouck ,  Qing Shan J. Niu

IPC分类号： G02F1/1333 ,  C08F32/04 ,  C08F36/22 ,  C08F38/00 ,  C08J9/26 ,  C08L25/06 ,  C08L65/00 ,  H01L21/312 ,  C08J9/02

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C08J9/26 ,  C08J2365/00 ,  C08L25/06 ,  C08L65/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  C08L2666/04 ,  C08L25/00 ,  C08L2666/06

摘要： A suitable cross-linkable matrix precursor and a poragen can be treated to form a porous cross-linked matrix having a Tg of greater than 300° C. The porous matrix material has a lower dielectric constant than the corresponding non-porous matrix material, making the porous matrix material particularly attractive for a variety of electronic applications including integrated circuits, multichip modules, and flat panel display devices.

摘要翻译： 可以处理合适的可交联的基质前体和孔，以形成具有大于300℃的T N的多孔交联基质。多孔基质材料的介电常数比 相应的无孔基体材料，使得多孔基质材料对于包括集成电路，多芯片模块和平板显示装置的各种电子应用特别有吸引力。

公开(公告)号：US06653358B2

公开(公告)日：2003-11-25

申请号：US10283551

申请日：2002-10-29

申请人： Kenneth J. Bruza ,  James P. Godschalx ,  Edward O. Shaffer, II ,  Dennis W. Smith, Jr. ,  Paul H. Townsend, III ,  Kevin J. Bouck ,  Qing Shan J. Niu

发明人： Kenneth J. Bruza ,  James P. Godschalx ,  Edward O. Shaffer, II ,  Dennis W. Smith, Jr. ,  Paul H. Townsend, III ,  Kevin J. Bouck ,  Qing Shan J. Niu

IPC分类号： C08J902

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C08J9/26 ,  C08J2365/00 ,  C08L25/06 ,  C08L65/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  C08L2666/04 ,  C08L25/00 ,  C08L2666/06

摘要： A suitable cross-linkable matrix precursor and a poragen can be treated to form a porous cross-linked matrix having a Tg of greater than 300° C. The porous matrix material has a lower dielectric constant than the corresponding non-porous matrix material, making the porous matrix material particularly attractive for a variety of electronic applications including integrated circuits, multichip modules, and flat panel display devices.

公开(公告)号：US06630520B1

公开(公告)日：2003-10-07

申请号：US09447011

申请日：1999-11-22

申请人： Kenneth J. Bruza ,  James P. Godschalx ,  Edward O. Shaffer, II ,  Dennis W. Smith, Jr. ,  Paul H. Townsend, III ,  Kevin J. Bouck ,  Qing Shan J. Niu

发明人： Kenneth J. Bruza ,  James P. Godschalx ,  Edward O. Shaffer, II ,  Dennis W. Smith, Jr. ,  Paul H. Townsend, III ,  Kevin J. Bouck ,  Qing Shan J. Niu

IPC分类号： C08J902

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C08J9/26 ,  C08J2365/00 ,  C08L25/06 ,  C08L65/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  C08L2666/04 ,  C08L25/00 ,  C08L2666/06

摘要： A suitable cross-linkable matrix precursor and a poragen can be treated to form a porous cross-linked matrix having a Tg of greater than 300° C. The porous matrix material has a lower dielectric constant than the corresponding non-porous matrix material, making the porous matrix material particularly attractive for a variety of electronic applications including integrated circuits, multichip modules, and flat panel display devices.

公开(公告)号：US07109249B2

公开(公告)日：2006-09-19

申请号：US10893640

申请日：2004-07-16

申请人： Kenneth J. Bruza ,  James P. Godschalx ,  Edward O. Shaffer, II ,  Dennis W. Smith, Jr. ,  Paul H. Townsend, III ,  Kevin J. Bouck ,  Qing Shan J. Niu

发明人： Kenneth J. Bruza ,  James P. Godschalx ,  Edward O. Shaffer, II ,  Dennis W. Smith, Jr. ,  Paul H. Townsend, III ,  Kevin J. Bouck ,  Qing Shan J. Niu

IPC分类号： C08J9/02

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C08J9/26 ,  C08J2365/00 ,  C08L25/06 ,  C08L65/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  C08L2666/04 ,  C08L25/00 ,  C08L2666/06

摘要： A suitable cross-linkable matrix precursor and a poragen can be treated to form a porous cross-linked matrix having a Tg of greater than 300° C. The porous matrix material has a lower dielectric constant than the corresponding non-porous matrix material, making the porous matrix material particularly attractive for a variety of electronic applications including integrated circuits, multichip modules, and flat panel display devices.

摘要翻译： 可以处理合适的可交联的基质前体和孔，以形成具有大于300℃的T N的多孔交联基质。多孔基质材料的介电常数比 相应的无孔基体材料，使得多孔基质材料对于包括集成电路，多芯片模块和平板显示装置的各种电子应用特别有吸引力。

公开(公告)号：US6121495A

公开(公告)日：2000-09-19

申请号：US712777

申请日：1996-09-12

申请人： David A. Babb ,  Dennis W. Smith, Jr. ,  Steven J. Martin ,  James P. Godschalx

发明人： David A. Babb ,  Dennis W. Smith, Jr. ,  Steven J. Martin ,  James P. Godschalx

IPC分类号： C07C13/567 ,  C07C15/54 ,  C07C17/26 ,  C07C22/08 ,  C07C43/285 ,  C07C321/30 ,  C07F9/53 ,  C08G61/00 ,  C08G61/10 ,  C07F9/50 ,  C07C22/02 ,  C07C321/00

CPC分类号： C08G61/00 ,  C07C13/567 ,  C07C15/54 ,  C07C17/263 ,  C07C22/08 ,  C07C321/30 ,  C07C43/285 ,  C07F9/5325 ,  C07C2103/18

摘要： Compounds of ethynyl aromatic compounds form polymers which have high thermal stability. The monomers are useful for coating a wide variety of substances such as dielectric coatings where high thermal resistance is desirable including electronic components such as computer chips.

摘要翻译： 乙炔基芳族化合物的化合物形成具有高热稳定性的聚合物。 单体可用于涂覆各种各样的物质，例如需要高耐热性的电介质涂层，包括电子部件如计算机芯片。

公开(公告)号：US06252001B1

公开(公告)日：2001-06-26

申请号：US09482438

申请日：2000-01-13

申请人： David A. Babb ,  Dennis W. Smith, Jr. ,  Steven J. Martin ,  James P. Godschalx

发明人： David A. Babb ,  Dennis W. Smith, Jr. ,  Steven J. Martin ,  James P. Godschalx

IPC分类号： C08L4900

CPC分类号： C08F38/00 ,  C07C17/263 ,  C07C43/285 ,  C07F9/5325 ,  C07C22/08

摘要： Compounds of ethynyl aromatic compounds form polymers which have high thermal stability. The monomers are useful for coating a wide variety of substances such as dielectric coatings where high thermal resistance is desirable including electronic components such as computer chips.

摘要翻译： 乙炔基芳族化合物的化合物形成具有高热稳定性的聚合物。 单体可用于涂覆各种各样的物质，例如需要高耐热性的电介质涂层，包括电子部件如计算机芯片。

公开(公告)号：US06359091B1

公开(公告)日：2002-03-19

申请号：US09447012

申请日：1999-11-22

申请人： James P. Godschalx ,  Kenneth J. Bruza ,  Qing Shan J. Niu ,  Clark H. Cummins ,  Paul H. Townsend, III

发明人： James P. Godschalx ,  Kenneth J. Bruza ,  Qing Shan J. Niu ,  Clark H. Cummins ,  Paul H. Townsend, III

IPC分类号： C08F3800

CPC分类号： H01L23/5329 ,  C08G61/00 ,  C08G61/10 ,  C08G2261/46 ,  C08G2261/80 ,  C08L65/00 ,  C08L65/02 ,  H01L2924/0002 ,  C08L2666/04 ,  H01L2924/00

摘要： This invention is a polyarylene composition in which resin does not undergo a significant drop in modulus at temperatures above 300° C. during cure. This feature enables one to form porous films by avoiding pore collapse and/or using a wider variety of poragen materials.

摘要翻译： 本发明是聚酰亚胺组合物，其中树脂在固化期间在高于300℃的温度下不会发生显着的模量降低。 该特征使得能够通过避免孔塌陷和/或使用更多种类的成孔材料来形成多孔膜。

公开(公告)号：US06790792B2

公开(公告)日：2004-09-14

申请号：US10135099

申请日：2002-04-29

申请人： Edward O. Shaffer, II ,  Kevin E. Howard ,  James P. Godschalx ,  Paul H. Townsend, III

发明人： Edward O. Shaffer, II ,  Kevin E. Howard ,  James P. Godschalx ,  Paul H. Townsend, III

IPC分类号： H01L2102

CPC分类号： C08G61/10 ,  C08G2261/312 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0326 ,  H01L2924/00

摘要： A cured polyphenylene polymer having a glass transition temperature no greater than 465° C. An integrated circuit article having a fracture toughness as determined by the modified edge liftoff test of at least 0.3 MPa-m1/2.

摘要翻译： 玻璃化转变温度不高于465℃的固化聚苯聚合物。通过改性边缘剥离试验测定的具有至少0.3MPa-m 1/2的断裂韧性的集成电路制品。