公开(公告)号：US20050255616A1

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：US10507770

申请日：2003-02-21

申请人： Mark Childs ,  David Fish ,  Jason Hector ,  Nigel Young

发明人： Mark Childs ,  David Fish ,  Jason Hector ,  Nigel Young

IPC分类号： G02F1/1339 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  G09F9/35 ,  H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L27/00 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26

CPC分类号： H01L27/3276 ,  H01L27/3246

摘要： Physical barriers (210) are present between neighbouring pixels (200) on a circuit substrate (100) of an active-matrix display device, such as an electroluminescent display formed with LEDs (25) of organic semiconductor materials. The invention forms at least parts of the barriers (210) with metal or other electrically-conductive material (240) that is insulated (40) from the LEDs but connected to the circuitry (4, 5, 6, 9, 140, 150, 160, T1, T2, Tm, Tg, Ch etc.) within the substrate (100). This conductive barrier material (240) may back up or replace, for example, matrix addressing lines (150) and/or form an additional component either within the pixel array or outside. The additional component comprising the conductive barrier material (240) is advantageously a capacitor (Ch), or an inductor (L) or transformer (W), or even an aerial.

摘要翻译： 在诸如由有机半导体材料的LED（25）形成的电致发光显示器的有源矩阵显示装置的电路基板（100）上的相邻像素（200）之间存在物理屏障（210）。 本发明使用与LED绝缘（40）但连接到电路（4,5,6,9,101,150,150）的金属或其它导电材料（240）形成屏障（210）的至少一部分， 160，T 1，T 2，Tm，Tg，Ch等）。 该导电阻挡材料（240）可以备用或替换例如矩阵寻址线（150）和/或在像素阵列内或外部形成附加组件。 包括导电阻挡材料（240）的附加部件有利地是电容器（Ch）或电感器（L）或变压器（W），甚至天线。

公开(公告)号：US20050146279A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：US10507771

申请日：2003-03-19

申请人： Jason Hector ,  Nigel Young ,  David Fish ,  Mark Childs

发明人： Jason Hector ,  Nigel Young ,  David Fish ,  Mark Childs

IPC分类号： H05B33/22 ,  G09G3/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14

CPC分类号： H01L27/3276 ,  H01L27/3246

摘要： Physical barriers (210) are present between neighbouring pixels (200) on a circuit substrate (100) of an active-matrix electroluminescent display device, particularly with LEDs (25) of organic semi conductor materials. The invention forms these barriers (210) with metal or other electrically-conductive material (240), that is insulated (40) from the LEDs but connected circuitry within the substrate (100). This conductive barrier material (240) backs-up or replaces at least a part of the drive supply line (140,240) to which the LEDs are connected by a drive element T1. This transfers the problem of line resistance and associated voltage drop from within the circuit substrate (100), where it is severely constrained, to the much freer environment of the pixel barriers (210) on the substrate (100) where the conductive barrier material (240) can provide much lower resistance. Very large displays can be made with low voltage drops along this composite drive supply line (140,240). Furthermore, the structure can be optimised to form a smoothing capacitor (Cs) between this drive supply line (240,240) with its conductive barrier material (240) and the further supply line (230) of the LED upper electrodes (23) extending on an insulating coating (40) over the top of the conductive barrier material (240).

摘要翻译： 物理屏障（210）存在于有源矩阵电致发光显示装置的电路基板（100）上的相邻像素（200）之间，特别是有机半导体材料的LED（25）。 本发明与金属或其它导电材料（240）形成这些障碍物（210），其与LED但是在衬底（100）内的连接的电路绝缘（40）。 该导电阻挡材料（240）备份或替代由驱动元件T 1连接LED的驱动电源线（140,240）的至少一部分。这将线路电阻和相关联的电压降的问题从内部 电路基板（100）被严格限制在衬底（100）上的像素屏障（210）的更自由的环境，其中导电阻挡材料（240）可以提供低得多的电阻。 这种复合驱动电源线（140,240）可以通过低压降制造非常大的显示器。 此外，该结构可以被优化以在该驱动电源线（240,240）与其导电阻挡材料（240）之间形成平滑电容器（Cs），并且在其上延伸的LED上电极（23）的另一供电线（230） 绝缘涂层（40）在导电阻挡材料（240）的顶部之上。

公开(公告)号：US20050122288A1

公开(公告)日：2005-06-09

申请号：US10507768

申请日：2003-02-21

申请人： David Fish ,  Mark Childs ,  Jason Hector ,  Nigel Young

发明人： David Fish ,  Mark Childs ,  Jason Hector ,  Nigel Young

IPC分类号： H05B33/22 ,  G09F9/30 ,  G09G3/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L27/00 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3276 ,  H01L27/3279

摘要： Physical barriers (210) are present between neighbouring pixels (200) on a circuit substrate (100) of an active-matrix electroluminescent display device, particularly with LEDs (25) of organic semiconductor materials. In order to reduce parasitic capacitance in the circuit substrate, the invention forms these barriers (210) with metal or other electrically-conductive material (240) that provides at least part of the signal lines (160) at a higher level than the circuit substrate (100). This conductive barrier material (240) is connected to the matrix circuitry within the substrate (100) but is insulated (40) at least at the sides adjacent to the LEDs (25). Preferably, an inter-capacitance guard line (9) is included in the circuit substrate (100) between the signal lines (160) and the circuitry in the substrate (100).

摘要翻译： 物理屏障（210）存在于有源矩阵电致发光显示装置的电路基板（100）上的相邻像素（200）之间，特别是有机半导体材料的LED（25）。 为了减少电路基板中的寄生电容，本发明用金属或其它导电材料（240）形成这些屏障（210），该导电材料（240）提供至少部分信号线（160）比电路基板 （100）。 该导电阻挡材料（240）连接到衬底（100）内的矩阵电路，但至少在与LED（25）相邻的侧面处绝缘（40）。 优选地，在信号线（160）和衬底（100）中的电路之间的电路衬底（100）中包括电容间保护线（9）。

公开(公告)号：US20050127376A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US10507769

申请日：2003-03-19

申请人： Nigel Young ,  Mark Childs ,  David Fish ,  Jason Roderick Hector

发明人： Nigel Young ,  Mark Childs ,  David Fish ,  Jason Roderick Hector

IPC分类号： H05B33/22 ,  G09F9/30 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14

CPC分类号： H01L27/3276 ,  H01L27/3204 ,  H01L27/3225 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246

摘要： Physical barriers (210) are present between neighbouring pixels (200) on a circuit substrate (100) of an active-matrix electroluminescent display device, particularly with LEDs (25) of organic semiconductor materials. The invention forms these barriers (210) with metal or other electrically-conductive material (240) that serves as an interconnection between a first circuit element (21, 4, 5, 6, 140, 150, 160, T1, T2, Tm, Tg, Ch) of the circuit substrate and a second circuit element (400, 400s, 23), for example, a sensor (400s) of a sensor array supported over the pixel array. The conductive barrier material (240) is insulated (40) at the sides of the barriers adjacent to the LEDs and has an un-insulated top connection area (240t) at which the second circuit element is connected to the conductive barrier material (240).

摘要翻译： 物理屏障（210）存在于有源矩阵电致发光显示装置的电路基板（100）上的相邻像素（200）之间，特别是有机半导体材料的LED（25）。 本发明通过用作第一电路元件（21,4,5,6,140,​​150,160，T 1，T 2，...）之间的互连的金属或其它导电材料（240）形成这些屏障（210） Tm，Tg，Ch）和第二电路元件（400,400s，23），例如支撑在像素阵列上的传感器阵列的传感器（400s）。 导电阻挡材料（240）在靠近LED的屏障的侧面被绝缘（40），并且具有绝缘的顶部连接区域（240t），第二电路元件连接到导电阻挡材料（240） ）。

公开(公告)号：US20070241998A1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：US10598822

申请日：2005-03-02

申请人： David Fish ,  Nigel Young ,  Herbert Lifka ,  Andrea Giraldo ,  Wouter Oepts

发明人： David Fish ,  Nigel Young ,  Herbert Lifka ,  Andrea Giraldo ,  Wouter Oepts

IPC分类号： G09G3/14

CPC分类号： H01L27/1214 ,  G09G3/2014 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2310/0262 ,  G09G2320/043 ,  G09G2320/045 ,  G09G2360/148 ,  H01L23/552 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3269 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An active matrix display device comprises an array of display pixels, with each pixel comprising an EL display element, a light-dependent device for detecting the brightness of the display element and a drive transistor circuit for driving a current through the display element. The drive transistor is controlled in response to the light-dependent device output so that ageing compensation can be implemented. The light-dependent device is located laterally of the area of light emitting material of the EL display element. In this way, the light-dependent device does not cause step coverage problems and can be integrated into the pixel layout without affecting the pixel aperture. Furthermore, the light dependent device can extend alongside the full length of the area of light emitting material so that it receives light input from a large part of the display element area.

摘要翻译： 有源矩阵显示装置包括显示像素阵列，每个像素包括EL显示元件，用于检测显示元件的亮度的依赖光的装置和用于驱动通过显示元件的电流的驱动晶体管电路。 响应于依赖于光的器件输出来控制驱动晶体管，从而可以实现老化补偿。 光依赖装置位于EL显示元件的发光材料的区域的横向。 以这种方式，光依赖装置不会引起步骤覆盖问题，并且可以将其集成到像素布局中而不影响像素孔径。 此外，依赖于光的装置可以沿着发光材料区域的全长延伸，从而接收来自显示元件区域的大部分的光输入。

公开(公告)号：US20050176226A1

公开(公告)日：2005-08-11

申请号：US10513099

申请日：2003-04-25

申请人： Nigel Young

发明人： Nigel Young

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L21/425

CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78678

摘要： A method of manufacturing an electronic device comprising a bottom-gate TFT (12) is provided, the method comprising the steps of: forming a doped amorphous silicon gate layer (26′) on a substrate, the gate layer defining a gate (26), forming a gate insulating layer (32) over the gate, forming an amorphous silicon active layer (28′) over the gate insulating layer and overlying at least part of the gate, and annealing the amorphous silicon active layer to form a polysilicon active layer (28). A thinner gate insulating layer can be used giving a TFT having a low threshold voltage.

摘要翻译： 提供一种制造包括底栅TFT（12）的电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底上形成掺杂的非晶硅栅极层（26'），所述栅极层限定栅极（26） ，在所述栅极上形成栅极绝缘层（32），在所述栅极绝缘层上方形成非晶硅有源层（28'），并且覆盖所述栅极的至少一部分，以及退火所述非晶硅有源层以形成多晶硅有源层 （28）。 可以使用更薄的栅极绝缘层，给出具有低阈值电压的TFT。

公开(公告)号：US20060049428A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US10520229

申请日：2002-06-25

申请人： Pieter Van Der Zaag ,  Nigel Young ,  Ian French ,  Jeffrey Chapman

发明人： Pieter Van Der Zaag ,  Nigel Young ,  Ian French ,  Jeffrey Chapman

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/745

CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78678

摘要： An electronic device (70) comprises a thin film transistor (TFT) (9,59), the TFT including a channel (16) defined in a layer of polycrystalline semiconductor material (10,48). The polycrystalline semiconductor material is produced by crystallising amorphous semiconductor material (2) using metal atoms (6) to promote the crystallisation process. The polycrystalline semiconductor material (10) includes an average concentration of metal atoms in the range 1.3×1018 to 7.5×1018 atoms/cm3. This enables polycrystalline semiconductor TFTs to be formed with leakage properties acceptable for use in active matrix displays using a metal induced crystallisation process of duration significantly less that previously thought necessary. Furthermore, this process duration reduction facilitates the reliable fabrication of poly-Si TFTs having bottom gates formed of metal.

摘要翻译： 电子器件（70）包括薄膜晶体管（TFT）（9,59），TFT包括限定在多晶半导体材料层（10,48）中的沟道（16）。 通过使用金属原子（6）使非晶半导体材料（2）结晶以促进结晶过程来生产多晶半导体材料。 多晶半导体材料（10）包括在1.3×10 18至7.5×10 18原子/ cm 3之间的金属原子的平均浓度。 这使得多晶半导体TFT可以形成为可用于有源矩阵显示器中的泄漏特性，其使用的金属诱导结晶过程的持续时间明显少于以前认为必要的时间。 此外，该工艺持续时间缩短有助于可靠地制造具有由金属形成的底部栅极的多晶硅TFT。

公开(公告)号：US20070205420A1

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：US10599082

申请日：2005-03-22

申请人： Marc Ponjee ,  Wouter Oepts ,  Johannes Rosink ,  Hans-Helmut Bechtel ,  Nigel Young

发明人： Marc Ponjee ,  Wouter Oepts ,  Johannes Rosink ,  Hans-Helmut Bechtel ,  Nigel Young

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： H01L27/3269 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5203 ,  H01L2251/5315

摘要： An active matrix display device comprises an array of display pixels provided over a common substrate (60). Each pixel has an upwardly emitting current-driven light emitting display element (2) comprising a lower electrode (74) and an upper substantially transparent electrode (80a. A light sensitive device (27) for sensing the display element (2) light output is positioned between the substrate (60) and the display element (2), and a drive transistor (22) is controlled in response to the light-sensitive device (27) output. The lower electrode (74) of the display element is partially transmissive to transmit at most 20% of the light incident on the lower electrode, at least a portion of the transmitted light being directed to the underlying light-sensitive device (27).

摘要翻译： 有源矩阵显示装置包括设置在公共基板（60）上的显示像素阵列。 每个像素具有向上发射电流驱动的发光显示元件（2），包括下电极（74）和上基本上透明的电极（80a），用于感测显示元件（2）的光输出 位于所述基板（60）和所述显示元件（2）之间，并且响应于所述感光装置（27）输出来控制驱动晶体管（22），所述显示元件的下电极（74）部分地 透射以透射入射在下电极上的光的至多20％，至少一部分透射光被引导到下面的感光装置（27）。

公开(公告)号：US20060054896A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US10515163

申请日：2003-05-15

申请人： Pieter Van Der Zaag ,  Soo Yoon ,  Nigel Young

发明人： Pieter Van Der Zaag ,  Soo Yoon ,  Nigel Young

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L31/113 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/6675 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L29/78672

摘要： An active plate (2) for an active matrix display device (16), the active plate (2) comprising a substrate (4), a pixel area (6) and an adjacent drive circuit area (8). Both areas include polycrystalline silicon material formed by a process in which a metal is used to enhance the crystallisation process (MIC poly-Si), but only the MIC poly-Si in the drive circuit area (8) is subjected to an irradiation process using an energy beam (10). TFTs are fabricated with MIC poly-Si which have leakage currents in the off state sufficiently low for them to be acceptable for use as switching elements in the pixel area of matrix display devices. As only the drive circuit area (8) need be irradiated to provide poly-Si having the desired mobility, the time taken by the irradiation process can be significantly reduced.

摘要翻译： 一种用于有源矩阵显示装置（16）的有源板（2），所述有源板（2）包括衬底（4），像素区域（6）和相邻的驱动电路区域（8）。 两个区域包括通过使用金属来增强结晶过程（MIC多晶硅）的方法形成的多晶硅材料，但仅驱动电路区域（8）中的MIC多晶硅经受使用 能量束（10）。 TFT是用MIC多晶硅制造的，其泄漏电流处于断开状态足够低，使得它们可以被用作矩阵显示装置的像素区域中的开关元件。 由于仅需要照射驱动电路区域（8）以提供具有所需移动性的多晶硅，所以可以显着地减少照射过程所花费的时间。

公开(公告)号：US20050282316A1

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：US10529117

申请日：2003-09-12

申请人： Nigel Young ,  Soo Yoon ,  Ian French ,  David McCulloch

发明人： Nigel Young ,  Soo Yoon ,  Ian French ,  David McCulloch

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

摘要： A method of manufacturing an electronic device comprising a thin film transistor (42), comprises forming a hydrogen-containing layer (22) over a semiconductor layer (10; 20), irradiating the hydrogen-containing layer so as to hydrogenate the semiconductor layer, and then forming electrodes (24; 26, 28) over the semiconductor layer. A short diffusion length and direct path is provided for the hydrogen thus allowing rapid hydrogenation of the semiconductor layer using relatively few, high-fluence laser pulses. The supporting substrate (12) is not heated significantly making the method particularly useful for TFFs on polymer substrates. Crystallisation and hydrogenation of the semiconductor layer can be executed in the same irradiation step.

摘要翻译： 一种制造包括薄膜晶体管（42）的电子器件的方法，包括在半导体层（10; 20）上形成含氢层（22），照射含氢层以氢化半导体层， 然后在半导体层上形成电极（24; 26,28）。 为氢提供了一个短的扩散长度和直接路径，从而允许使用相对较少的高通量激光脉冲来快速氢化半导体层。 支撑衬底（12）不被显着加热，使得该方法对聚合物衬底上的TFF特别有用。 可以在相同的照射步骤中执行半导体层的结晶和氢化。