利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

90 条记录 (耗时 0.052 秒)

    GMR configuration with enhanced spin filtering
    1.
    发明授权
    GMR configuration with enhanced spin filtering 失效
    GMR配置与增强的自旋过滤

    公开(公告)号：US06770382B1

    公开(公告)日：2004-08-03

    申请号：US09443447

    申请日：1999-11-22

    申请人： Jei-Wei Chang ,  Bernard Dieny ,  Mao-Min Chen ,  Cheng Horng ,  Kochan Ju ,  Simon Liao

    发明人： Jei-Wei Chang ,  Bernard Dieny ,  Mao-Min Chen ,  Cheng Horng ,  Kochan Ju ,  Simon Liao

    IPC分类号： G11B5127

    CPC分类号： H01F10/30 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3133 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1129 ,  Y10T428/1157 ,  Y10T428/1171 ,  Y10T428/12944 ,  Y10T428/2495

    摘要： A Spin Valve GMR and Spin Filter SVGMR configuration where in the first embodiment an important buffer layer is composed of an metal oxide having a crystal lattice constant that is close the 1st FM free layer's crystal lattice constant and has the same crystal structure (e.g., FCC, BCC, etc.). The metal oxide buffer layer enhances the specular scattering. The spin valve giant magnetoresistance (SVGMR) sensor comprises: a seed layer over the substrate. An important metal oxide buffer layer (buffer layer) over the seed layer. The metal oxide layer preferably is comprised of NiO or alpha-Fe2O3. A free ferromagnetic layer over the metal oxide layer. A non-magnetic conductor spacer layer over the free ferromagnetic layer. A pinned ferromagnetic layer (2nd FM pinned) over the non-magnetic conductor spacer layer and a pinning material layer over the pinned ferromagnetic layer. In the second embodiment, a high conductivity layer (HCL) is formed over the buffer layer to create a spin filter -SVGMR. The HCL layer enhances the GMR ratio of the spin filter SVGMR. The third embodiment is a pinned FM layer comprised of a three layer structure of an lower AP layer, a spacer layer (e.g., Ru) and an upper AP layer.

    摘要翻译： 自旋阀GMR和自旋滤波器SVGMR配置，其中在第一实施例中，重要的缓冲层由具有接近第1个FM自由层的晶格常数的晶格常数的金属氧化物组成并且具有相同的晶体结构 例如FCC，BCC等）。 金属氧化物缓冲层增强了镜面散射。 自旋阀巨磁阻（SVGMR）传感器包括：衬底上的种子层。 种子层上重要的金属氧化物缓冲层（缓冲层）。 金属氧化物层优选由NiO或α-Fe2O3组成。 在金属氧化物层上的自由铁磁层。 在自由铁磁层上的非磁性导体间隔层。 在非磁性导体间隔层上方的钉扎铁磁层（第二个FM被钉住）和钉扎铁磁层上的钉扎材料层。 在第二实施例中，在缓冲层上形成高电导率层（HCL）以产生自旋滤波器-SVGMR。 HCL层增强了旋转过滤器SVGMR的GMR比。 第三实施例是由下AP层，间隔层（例如Ru）和上AP层组成的三层结构的钉扎FM层。

    Multilayered structures comprising magnetic nano-oxide layers for current perpindicular to plane GMR heads
    10.
    发明授权
    Multilayered structures comprising magnetic nano-oxide layers for current perpindicular to plane GMR heads 失效
    包括磁性纳米氧化物层的多层结构，用于与平面GMR头垂直

    公开(公告)号：US06888703B2

    公开(公告)日：2005-05-03

    申请号：US09953539

    申请日：2001-09-17

    申请人： Bernard Dieny ,  Cheng Horng ,  Kochan Ju ,  Min Li ,  Simon Liao

    发明人： Bernard Dieny ,  Cheng Horng ,  Kochan Ju ,  Min Li ,  Simon Liao

    IPC分类号： G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01F41/14 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

    CPC分类号： H01F41/302 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272

    摘要： Nano-oxide based current-perpendicular-to-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor stacks are provided, together with methods for forming such stacks. Such stacks have increased resistance and enhanced magnetoresistive properties relative to CPP stacks made entirely of metallic layers. Said enhanced properties are provided by the insertion of magnetic nano-oxide layers between ferromagnetic layers and non-magnetic spacer layers, whereby said nano-oxide layers increase resistance and exhibit spin filtering properties. CPP sensor stacks of various types are provided, all having nano-oxide layers formed therein, including the spin-valve type and the synthetic antiferromagnetic pinned layer spin-valve type. Said stacks can also be formed upon each other to provide laminated stacks of different types.

    摘要翻译： 提供基于纳米氧化物的电流 - 垂直平面（CPP）磁阻（MR）传感器堆叠，以及用于形成这种堆叠的方法。 相对于完全由金属层制成的CPP叠层，这种堆叠具有增加的电阻和增强的磁阻特性。 通过在铁磁层和非磁性间隔层之间插入磁性纳米氧化物层来提供所述增强的性质，由此所述纳米氧化物层增加电阻并显示自旋过滤性质。 提供了各种类型的CPP传感器堆叠，其中都具有形成在其中的纳米氧化物层，包括自旋阀型和合成反铁磁性钉扎层型旋转阀型。 所述堆叠也可以彼此形成以提供不同类型的叠层。