公开(公告)号：US20060211202A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：US11084450

申请日：2005-03-18

申请人： Jeong Byun ,  Jianxin Lei ,  Lisa Yang ,  Hien-Minh Le

发明人： Jeong Byun ,  Jianxin Lei ,  Lisa Yang ,  Hien-Minh Le

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： C23C14/165 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

摘要： A metal suicide layer is formed on silicon-containing features of a substrate in a chamber. A metal film is sputter deposited on the substrate and a portion of the sputter deposited metal film is silicided. In the process, sputtering gas is energized by applying an electrical bias potential across the metal sputtering target and the substrate support to sputter deposit metal from a target onto the substrate. At least a portion of the deposited sputtered metal is silicided by heating the substrate to a silicidation temperature exceeding about 200° C. to form a combined sputtered metal and metal silicide layer on the substrate. The remaining sputtered metal can be silicided by maintaining the substrate at the silicidation temperature to form the metal silicide layer.

摘要翻译： 在室中的衬底的含硅特征上形成金属硅化物层。 金属膜被溅射沉积在衬底上，溅射沉积的金属膜的一部分被硅化。 在该过程中，溅射气体通过在金属溅射靶和衬底支撑件上施加电偏压来激发，以将金属从靶溅射到衬底上。 沉积的溅射金属的至少一部分通过将衬底加热到​​超过约200℃的硅化温度来硅化，以在衬底上形成组合的溅射金属和金属硅化物层。 剩余的溅射金属可以通过将衬底保持在硅化温度下来硅化，形成金属硅化物层。

公开(公告)号：US07485556B2

公开(公告)日：2009-02-03

申请号：US11084450

申请日：2005-03-18

申请人： Jeong Soo Byun ,  Jianxin Lei ,  Lisa Yang ,  Hien-Minh Huu Le

发明人： Jeong Soo Byun ,  Jianxin Lei ,  Lisa Yang ,  Hien-Minh Huu Le

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： C23C14/165 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

摘要： A metal silicide layer is formed on silicon-containing features of a substrate in a chamber. A metal film is sputter deposited on the substrate and a portion of the sputter deposited metal film is silicided. In the process, sputtering gas is energized by applying an electrical bias potential across the metal sputtering target and the substrate support to sputter deposit metal from a target onto the substrate. At least a portion of the deposited sputtered metal is silicided by heating the substrate to a silicidation temperature exceeding about 200° C. to form a combined sputtered metal and metal silicide layer on the substrate. The remaining sputtered metal can be silicided by maintaining the substrate at the silicidation temperature to form the metal silicide layer.

摘要翻译： 在室中的衬底的含硅特征上形成金属硅化物层。 金属膜被溅射沉积在衬底上，溅射沉积的金属膜的一部分被硅化。 在该过程中，溅射气体通过在金属溅射靶和衬底支撑件上施加电偏压来激发，以将金属从靶溅射到衬底上。 沉积的溅射金属的至少一部分通过将衬底加热到​​超过约200℃的硅化温度来硅化，以在衬底上形成组合的溅射金属和金属硅化物层。 剩余的溅射金属可以通过将衬底保持在硅化温度下来硅化，形成金属硅化物层。

公开(公告)号：US08580630B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13278335

申请日：2011-10-21

申请人： Jianxin Lei ,  Xinyu Fu ,  Srinivas Gandikota ,  Jian Z. Ren

发明人： Jianxin Lei ,  Xinyu Fu ,  Srinivas Gandikota ,  Jian Z. Ren

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L29/4966

摘要： Methods for forming a metal gate structure on a substrate are provided herein. In some embodiments, a method for forming a metal gate structure on a substrate having a dielectric layer formed on the substrate may include depositing a metal layer while providing a process gas comprising oxygen to form an oxygen doped work function layer atop the dielectric layer; and depositing a metal gate layer atop dielectric layer.

摘要翻译： 本文提供了在基板上形成金属栅极结构的方法。 在一些实施例中，在衬底上形成具有介电层的衬底上形成金属栅极结构的方法可以包括沉积金属层，同时提供包含氧的工艺气体，以在电介质层的顶部形成氧掺杂的功函数层; 以及在电介质层顶上沉积金属栅极层。

公开(公告)号：US08580094B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13163817

申请日：2011-06-20

申请人： Rongjun Wang ,  Sally Lou ,  Muhammad Rasheed ,  Jianxin Lei ,  Xianmin Tang ,  Srinivas Gandikota ,  Ryan Hanson ,  Tza-Jing Gung ,  Keith A. Miller ,  Thanh X. Nguyen

发明人： Rongjun Wang ,  Sally Lou ,  Muhammad Rasheed ,  Jianxin Lei ,  Xianmin Tang ,  Srinivas Gandikota ,  Ryan Hanson ,  Tza-Jing Gung ,  Keith A. Miller ,  Thanh X. Nguyen

IPC分类号： C23C14/35

CPC分类号： C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3461

摘要： Methods and apparatus to improve target life and deposition uniformity in PVD chambers are provided herein. In some embodiments, a magnetron assembly includes a shunt plate having a central axis, the shunt plate rotatable about the central axis, a first open loop magnetic pole arc coupled to the shunt plate at a first radius from the central axis, and a second open loop magnetic pole arc coupled the shunt plate at a first distance from the first open loop magnetic pole arc, wherein at least one of the first radius varies along the first open loop magnetic pole arc or the first distance varies along the second open loop magnetic pole arc. In some embodiments, a first polarity of the first open loop magnetic pole arc opposes a second polarity of the second open loop magnetic pole arc.

摘要翻译： 本文提供了改善PVD室中的目标寿命和沉积均匀性的方法和装置。 在一些实施例中，磁控管组件包括具有中心轴线的分流板，分流板可围绕中心轴线旋转，第一开环磁极电弧在与中心轴线成第一半径处耦合到分流板，第二开路 环形磁极以与第一开环磁极弧成第一距离的方式将分流板电弧耦合，其中第一半径中的至少一个沿第一开环磁极弧变化，或者第一距离沿第二开环磁极变化 弧。 在一些实施例中，第一开环磁极的第一极性与第二开环磁极的第二极性相反。