利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

117 条记录 (耗时 0.031 秒)

    METHOD OF ANNEALING A DIELECTRIC LAYER
    2.
    发明申请
    METHOD OF ANNEALING A DIELECTRIC LAYER 有权
    退火电介质层的方法

    公开(公告)号：US20100240206A1

    公开(公告)日：2010-09-23

    申请号：US12408444

    申请日：2009-03-20

    申请人： Jinmiao J. Shen ,  Cheong M. Hong ,  Sung-Taeg Kang ,  Marc A. Rossow

    发明人： Jinmiao J. Shen ,  Cheong M. Hong ,  Sung-Taeg Kang ,  Marc A. Rossow

    IPC分类号： H01L21/283

    CPC分类号： H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/3105 ,  Y10S977/774

    摘要： A method includes forming a first dielectric layer over a substrate; forming nanoclusters over the first dielectric layer; forming a second dielectric layer over the nanoclusters; annealing the second dielectric layer using nitrous oxide; and after the annealing the second dielectric layer, forming a gate electrode over the second dielectric layer.

    摘要翻译： 一种方法包括在衬底上形成第一介电层; 在第一介电层上形成纳米团簇; 在纳米团簇上形成第二电介质层; 使用一氧化二氮对第二电介质层进行退火; 并且在对所述第二介电层进行退火之后，在所述第二介电层上形成栅电极。

    Method of forming nanocrystals
    3.
    发明授权
    Method of forming nanocrystals 有权
    形成纳米晶体的方法

    公开(公告)号：US07799634B2

    公开(公告)日：2010-09-21

    申请号：US12339262

    申请日：2008-12-19

    申请人： Jinmiao J. Shen ,  Horacio P. Gasquet ,  Sung-Taeg Kang ,  Marc A. Rossow

    发明人： Jinmiao J. Shen ,  Horacio P. Gasquet ,  Sung-Taeg Kang ,  Marc A. Rossow

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/02532 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282

    摘要： Nanocrystals are formed over an insulating layer by depositing a semiconductor layer over the insulating layer. The semiconductor layer is annealed to form a plurality of globules from the semiconductor layer. The globules are annealed using oxygen. Semiconductor material is deposited on the plurality of globules to add semiconductor material to the globules. After depositing the semiconductor material, the globules are annealed to form the nanocrystals. The nanocrystals can then be used in a storage layer of a non-volatile memory cell, especially a split-gate non-volatile memory cell having a select gate over the nanocrystals and a control gate adjacent to the select gate.

    摘要翻译： 通过在绝缘层上沉积半导体层，在绝缘层上形成纳米晶体。 将半导体层退火以从半导体层形成多个球。 使用氧气对小球进行退火。 半导体材料沉积在多个小球上以将半导体材料加入到球体中。 在沉积半导体材料之后，将小球退火以形成纳米晶体。 然后可以将纳米晶体用于非易失性存储单元的存储层，特别是在纳米晶体上具有选择栅极的分离栅非易失性存储单元和与选择栅极相邻的控制栅极。

    METHOD OF FORMING NANOCRYSTALS
    4.
    发明申请
    METHOD OF FORMING NANOCRYSTALS 有权
    形成纳米晶的方法

    公开(公告)号：US20100159651A1

    公开(公告)日：2010-06-24

    申请号：US12339262

    申请日：2008-12-19

    申请人： Jinmiao J. Shen ,  Horacio P. Gasquet ,  Sung-Taeg Kang ,  Marc A. Rossow

    发明人： Jinmiao J. Shen ,  Horacio P. Gasquet ,  Sung-Taeg Kang ,  Marc A. Rossow

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205

    CPC分类号： H01L21/02532 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282

    摘要： Nanocrystals are formed over an insulating layer by depositing a semiconductor layer over the insulating layer. The semiconductor layer is annealed to form a plurality of globules from the semiconductor layer. The globules are annealed using oxygen. Semiconductor material is deposited on the plurality of globules to add semiconductor material to the globules. After depositing the semiconductor material, the globules are annealed to form the nanocrystals. The nanocrystals can then be used in a storage layer of a non-volatile memory cell, especially a split-gate non-volatile memory cell having a select gate over the nanocrystals and a control gate adjacent to the select gate.

    摘要翻译： 通过在绝缘层上沉积半导体层，在绝缘层上形成纳米晶体。 将半导体层退火以从半导体层形成多个球。 使用氧气对小球进行退火。 半导体材料沉积在多个小球上以将半导体材料加入到球体中。 在沉积半导体材料之后，将小球退火以形成纳米晶体。 然后可以将纳米晶体用于非易失性存储单元的存储层，特别是在纳米晶体上具有选择栅极的分离栅非易失性存储单元和与选择栅极相邻的控制栅极。

    METHODS AND STRUCTURES FOR SPLIT GATE MEMORY
    5.
    发明申请
    METHODS AND STRUCTURES FOR SPLIT GATE MEMORY 审中-公开
    分离器存储器的方法和结构

    公开(公告)号：US20140357072A1

    公开(公告)日：2014-12-04

    申请号：US13907845

    申请日：2013-05-31

    申请人： JINMIAO J. SHEN ,  Sung-Taeg Kang ,  Brian A. Winstead

    发明人： JINMIAO J. SHEN ,  Sung-Taeg Kang ,  Brian A. Winstead

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： H01L29/40117 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

    摘要： A method of making a non-volatile memory (NVM) cell using a substrate having a top surface of silicon includes forming a select gate stack over the substrate. An oxide layer is grown on the top surface of the substrate. Nanocrystals of silicon are formed on the thermal oxide layer adjacent to a first side the select gate stack. The nanocrystals are partially oxidized to result in partially oxidized nanocrystals and further growing the thermal oxide layer. A control gate is formed over the partially oxidized nanocrystals. A first doped region is formed in the substrate adjacent to a first side of the control gate and a second doped region in the substrate adjacent to a second side of the select gate.

    摘要翻译： 使用具有硅顶表面的衬底制造非易失性存储器（NVM）单元的方法包括在衬底上形成选择栅叠层。 在衬底的顶表面上生长氧化物层。 硅的纳米晶体形成在与选择栅极堆叠的第一侧相邻的热氧化物层上。 纳米晶体被部分氧化，导致部分氧化的纳米晶体，并进一步生长热氧化物层。 在部分氧化的纳米晶体上形成控制栅极。 第一掺杂区域形成在邻近控制栅极的第一侧的衬底中的衬底中，并且衬底中的第二掺杂区域与选择栅极的第二侧相邻。

    METHOD OF REMOVING NANOCRYSTALS
    6.
    发明申请
    METHOD OF REMOVING NANOCRYSTALS 审中-公开
    去除纳米晶体的方法

    公开(公告)号：US20120135596A1

    公开(公告)日：2012-05-31

    申请号：US12022800

    申请日：2008-01-30

    申请人： Sung-Taeg Kang ,  Jinmiao J. Shen

    发明人： Sung-Taeg Kang ,  Jinmiao J. Shen

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/31

    CPC分类号： H01L21/0206 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/30604 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

    摘要： A method for forming a semiconductor structure includes providing a semiconductor layer, forming nanocrystals over the semiconductor layer, and using a solution comprising pure water, hydrogen peroxide, and ammonium hydroxide to remove at least a portion of the nanocrystals. A ratio by volume of pure water to ammonium hydroxide of the solution may be equivalent to or less than a ratio by volume of 10:1 of pure water to ammonium hydroxide when ammonium hydroxide has a concentration of 29% ammonia by weight. The step of using the solution to remove the at least a portion of the nanocrystals may be performed at a temperature of 50 degrees Celsius or more.

    摘要翻译： 一种用于形成半导体结构的方法包括提供半导体层，在半导体层上形成纳米晶体，以及使用包含纯水，过氧化氢和氢氧化铵的溶液以除去至少一部分纳米晶体。 当氢氧化铵的浓度为29重量％时，纯水与氢氧化铵的体积比可以等于或小于纯水与氢氧化铵的体积比为10:1。 使用溶液去除至少一部分纳米晶体的步骤可以在50摄氏度或更高的温度下进行。

    Memory having P-type split gate memory cells and method of operation
    8.
    发明授权
    Memory having P-type split gate memory cells and method of operation 有权
    具有P型分离栅极存储单元的存储器及其操作方法

    公开(公告)号：US07957190B2

    公开(公告)日：2011-06-07

    申请号：US12130197

    申请日：2008-05-30

    申请人： Cheong M. Hong ,  Sung-Taeg Kang ,  Brian A. Winstead

    发明人： Cheong M. Hong ,  Sung-Taeg Kang ,  Brian A. Winstead

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G11C16/0425

    摘要： A memory comprising a plurality of P-channel split-gate memory cells are organized in rows and columns. Each of the plurality of P-channel split-gate memory cells comprises a select gate, a control gate, a source region, a drain region, a channel region, and a charge storage layer comprising nanocrystals. Programming a memory cell of the plurality of P-channel split-gate memory cells comprises injecting electrons from a channel region of the memory cell to the charge storage layer. Erasing the memory cell comprises injecting holes from the channel region to the charge storage region.

    摘要翻译： 包括多个P沟道分裂门存储器单元的存储器以行和列组织。 多个P沟道分离栅极存储单元中的每一个包括选择栅极，控制栅极，源极区域，漏极区域，沟道区域和包含纳米晶体的电荷存储层。 编程多个P沟道分离栅极存储单元的存储单元包括将电子从存储单元的沟道区域注入电荷存储层。 擦除存储单元包括从通道区域向电荷存储区域注入空穴。

    MEMORY HAVING P-TYPE SPLIT GATE MEMORY CELLS AND METHOD OF OPERATION
    9.
    发明申请
    MEMORY HAVING P-TYPE SPLIT GATE MEMORY CELLS AND METHOD OF OPERATION 有权
    具有P型分离栅存储器细胞的记忆和操作方法

    公开(公告)号：US20090296491A1

    公开(公告)日：2009-12-03

    申请号：US12130197

    申请日：2008-05-30

    申请人： Cheong M. Hong ,  Sung-Taeg Kang ,  Brian A. Winstead

    发明人： Cheong M. Hong ,  Sung-Taeg Kang ,  Brian A. Winstead

    IPC分类号： G11C16/06

    CPC分类号： G11C16/0425

    摘要： A memory comprising a plurality of P-channel split-gate memory cells are organized in rows and columns. Each of the plurality of P-channel split-gate memory cells comprises a select gate, a control gate, a source region, a drain region, a channel region, and a charge storage layer comprising nanocrystals. Programming a memory cell of the plurality of P-channel split-gate memory cells comprises injecting electrons from a channel region of the memory cell to the charge storage layer. Erasing the memory cell comprises injecting holes from the channel region to the charge storage region.

    摘要翻译： 包括多个P沟道分裂门存储器单元的存储器以行和列组织。 多个P沟道分离栅极存储单元中的每一个包括选择栅极，控制栅极，源极区域，漏极区域，沟道区域和包含纳米晶体的电荷存储层。 编程多个P沟道分离栅极存储单元的存储单元包括将电子从存储单元的沟道区域注入电荷存储层。 擦除存储单元包括从通道区域向电荷存储区域注入空穴。

    Method of making a semiconductor structure useful in making a split gate non-volatile memory cell
    10.
    发明授权
    Method of making a semiconductor structure useful in making a split gate non-volatile memory cell 有权
    制造半导体结构的方法，其用于制造分离栅极非易失性存储单元

    公开(公告)号：US07985649B1

    公开(公告)日：2011-07-26

    申请号：US12683972

    申请日：2010-01-07

    申请人： Brian A. Winstead ,  Cheong M. Hong ,  Sung-Taeg Kang ,  Konstantin V. Loiko ,  Spencer E. Williams

    发明人： Brian A. Winstead ,  Cheong M. Hong ,  Sung-Taeg Kang ,  Konstantin V. Loiko ,  Spencer E. Williams

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/66825 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

    摘要： A method of making a semiconductor device on a semiconductor layer is provided. The method includes: forming a select gate dielectric layer over the semiconductor layer; forming a select gate layer over the select gate dielectric layer; and forming a sidewall of the select gate layer by removing at least a portion of the select gate layer. The method further includes growing a sacrificial layer on at least a portion of the sidewall of the select gate layer and under at least a portion of the select gate layer and removing the sacrificial layer to expose a surface of the at least portion of the sidewall of the select gate layer and a surface of the semiconductor layer under the select gate layer. The method further includes forming a control gate dielectric layer, a charge storage layer, and a control gate layer.

    摘要翻译： 提供了在半导体层上制造半导体器件的方法。 该方法包括：在半导体层上形成选择栅介质层; 在所述选择栅介质层上形成选择栅层; 以及通过去除所述选择栅极层的至少一部分来形成所述选择栅极层的侧壁。 该方法还包括在选择栅极层的侧壁的至少一部分上并在选择栅极层的至少一部分下方生长牺牲层，并且去除牺牲层以暴露侧壁的至少部分的表面 选择栅极层和选择栅极层下方的半导体层的表面。 该方法还包括形成控制栅介质层，电荷存储层和控制栅层。