公开(公告)号：US20140248718A1

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：US14183257

申请日：2014-02-18

申请人： Jisoo Kim ,  Mang-mang Ling ,  Khoi Doan ,  Srinivas D. Nemani

发明人： Jisoo Kim ,  Mang-mang Ling ,  Khoi Doan ,  Srinivas D. Nemani

IPC分类号： H01L43/12

CPC分类号： H01L43/12

摘要： Chemical modification of non-volatile magnetic random access memory (MRAM) magnetic tunnel junctions (MTJs) for film stack etching is described. In an example, a method of etching a MTJ film stack includes modifying one or more layers of the MTJ film stack with a phosphorous trifluoride (PF3) source to provide modified regions of the MTJ film stack. The modified regions of the MTJ film stack are removed by a plasma etch process.

摘要翻译： 描述了用于薄膜叠层蚀刻的非易失磁性随机存取存储器（MRAM）磁隧道结（MTJ）的化学修饰。 在一个实例中，蚀刻MTJ薄膜叠层的方法包括用三氟化磷（PF 3）源修饰MTJ薄膜叠层的一层或多层以提供MTJ薄膜叠层的修饰区域。 通过等离子体蚀刻工艺去除MTJ薄膜叠层的改性区域。

公开(公告)号：US20140038311A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：US13750892

申请日：2013-01-25

申请人： Jisoo Kim ,  Mang-Mang Ling ,  Khoi Doan ,  Chi Hong Ching ,  Srinivas D. Nemani

发明人： Jisoo Kim ,  Mang-Mang Ling ,  Khoi Doan ,  Chi Hong Ching ,  Srinivas D. Nemani

IPC分类号： H01L43/12

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08

摘要： Embodiments of the invention provide methods and apparatus for fabricating magnetic tunnel junction (MTJ) structures on a substrate in magnetoresistive random access memory applications. In one embodiment, a method of forming a MTJ structure on a substrate includes providing a substrate having a insulating tunneling layer disposed between a first and a second ferromagnetic layer disposed on the substrate, wherein the first ferromagnetic layer is disposed on the substrate followed by the insulating tunneling layer and the second ferromagnetic layer sequentially, supplying an ion implantation gas mixture to implant ions into the first ferromagnetic layer exposed by openings defined by the second ferromagnetic layer, and etching the implanted first ferromagnetic layer

摘要翻译： 本发明的实施例提供了用于在磁阻随机存取存储器应用中在衬底上制造磁性隧道结（MTJ）结构的方法和装置。 在一个实施例中，在衬底上形成MTJ结构的方法包括提供衬底，其具有设置在设置在衬底上的第一和第二铁磁层之间的绝缘隧穿层，其中第一铁磁层设置在衬底上， 绝缘隧道层和第二铁磁层，提供离子注入气体混合物以将离子注入到由第二铁磁层限定的开口暴露的第一铁磁层中，并蚀刻所植入的第一铁磁层

公开(公告)号：US20130023123A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13187357

申请日：2011-07-20

申请人： Yifeng Zhou ,  Srinivas D. Nemani ,  Khoi Doan ,  Jeremiah T. P. Pender

发明人： Yifeng Zhou ,  Srinivas D. Nemani ,  Khoi Doan ,  Jeremiah T. P. Pender

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L2221/1063

摘要： Methods of removing photoresists from low-k dielectric films are described. For example, a method includes forming and patterning a photoresist layer above a low-k dielectric layer, the low-k dielectric layer disposed above a substrate. Trenches are formed in the exposed portions of the low-k dielectric layer. A plurality of process cycles is performed to remove the photoresist layer. Each process cycle includes forming a silicon source layer on surfaces of the trenches of the low-k dielectric layer, and exposing the photoresist layer to an oxygen source to form an Si—O-containing layer on the surfaces of the trenches of the low-k dielectric layer and to remove at least a portion of the photoresist layer.

摘要翻译： 描述了从低k电介质膜去除光致抗蚀剂的方法。 例如，一种方法包括在低k电介质层之上形成和图案化光致抗蚀剂层，低k电介质层设置在衬底之上。 沟槽形成在低k电介质层的露出部分。 执行多个处理循环以去除光致抗蚀剂层。 每个处理循环包括在低k电介质层的沟槽的表面上形成硅源层，并且将光致抗蚀剂层暴露于氧源以在低介电层的沟槽的表面上形成含Si-O的层， k电介质层并去除光致抗蚀剂层的至少一部分。

公开(公告)号：US20120077344A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13070913

申请日：2011-03-24

申请人： Yifeng Zhou ,  Srinivas D. Nemani ,  Khoi Doan ,  Jeremiah T. P. Pender

发明人： Yifeng Zhou ,  Srinivas D. Nemani ,  Khoi Doan ,  Jeremiah T. P. Pender

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L2221/1063

摘要： Methods of patterning low-k dielectric films are described.

摘要翻译： 描述了低k介电膜图案的方法。

公开(公告)号：US08647990B2

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：US13653177

申请日：2012-10-16

申请人： Yifeng Zhou ,  Srinivas D. Nemani ,  Khoi Doan ,  Jeremiah T. Pender

发明人： Yifeng Zhou ,  Srinivas D. Nemani ,  Khoi Doan ,  Jeremiah T. Pender

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L2221/1063

摘要： Methods of patterning low-k dielectric films are described.

摘要翻译： 描述了低k介电膜图案的方法。

公开(公告)号：US08314033B2

公开(公告)日：2012-11-20

申请号：US13070913

申请日：2011-03-24

申请人： Yifeng Zhou ,  Srinivas D. Nemani ,  Khoi Doan ,  Jeremiah T. P. Pender

发明人： Yifeng Zhou ,  Srinivas D. Nemani ,  Khoi Doan ,  Jeremiah T. P. Pender

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L2221/1063

摘要： A significantly improved low-k dielectric patterning method is described herein using plasma comprising an oxygen radical source and a silicon source to remove the photo-resist layer.

摘要翻译： 本文描述了使用包含氧自由基源和硅源的等离子体去除光致抗蚀剂层的显着改进的低k电介质图案化方法。

公开(公告)号：US08980754B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US13187357

申请日：2011-07-20

申请人： Yifeng Zhou ,  Srinivas D. Nemani ,  Khoi Doan ,  Jeremiah T. P. Pender

发明人： Yifeng Zhou ,  Srinivas D. Nemani ,  Khoi Doan ,  Jeremiah T. P. Pender

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L2221/1063

摘要： Methods of removing photoresists from low-k dielectric films are described. For example, a method includes forming and patterning a photoresist layer above a low-k dielectric layer, the low-k dielectric layer disposed above a substrate. Trenches are formed in the exposed portions of the low-k dielectric layer. A plurality of process cycles is performed to remove the photoresist layer. Each process cycle includes forming a silicon source layer on surfaces of the trenches of the low-k dielectric layer, and exposing the photoresist layer to an oxygen source to form an Si—O-containing layer on the surfaces of the trenches of the low-k dielectric layer and to remove at least a portion of the photoresist layer.

摘要翻译： 描述了从低k电介质膜去除光致抗蚀剂的方法。 例如，一种方法包括在低k电介质层之上形成和图案化光致抗蚀剂层，低k电介质层设置在衬底之上。 沟槽形成在低k电介质层的露出部分。 执行多个处理循环以去除光致抗蚀剂层。 每个处理循环包括在低k电介质层的沟槽的表面上形成硅源层，并且将光致抗蚀剂层暴露于氧源以在低介电层的沟槽的表面上形成含Si-O的层， k电介质层并去除光致抗蚀剂层的至少一部分。

公开(公告)号：US20130040464A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：US13653177

申请日：2012-10-16

申请人： Yifeng Zhou ,  Srinivas D. Nemani ,  Khoi Doan ,  Jeremiah T. Pender

发明人： Yifeng Zhou ,  Srinivas D. Nemani ,  Khoi Doan ,  Jeremiah T. Pender

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L2221/1063

摘要： Methods of patterning low-k dielectric films are described.

摘要翻译： 描述了低k介电膜图案的方法。

公开(公告)号：US20130023122A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13187304

申请日：2011-07-20

申请人： Srinivas D. Nemani ,  Yifeng Zhou ,  Dmitry Lubomirsky ,  Ellie Yieh

发明人： Srinivas D. Nemani ,  Yifeng Zhou ,  Dmitry Lubomirsky ,  Ellie Yieh

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76826

摘要： Methods of multiple patterning of low-k dielectric films are described. For example, a method includes forming and patterning a first mask layer above a low-k dielectric layer, the low-k dielectric layer disposed above a substrate. A second mask layer is formed and patterned above the first mask layer. A pattern of the second mask layer is transferred at least partially into the low-k dielectric layer by modifying first exposed portions of the low-k dielectric layer with a first plasma process and removing the modified portions of the low-k dielectric layer. Subsequently, a pattern of the first mask layer is transferred at least partially into the low-k dielectric layer by modifying second exposed portions of the low-k dielectric layer with a second plasma process and removing the modified portions of the low-k dielectric layer.

摘要翻译： 描述了低k电介质膜的多次图案化方法。 例如，一种方法包括在低k电介质层上形成和图案化第一掩模层，低k电介质层设置在衬底之上。 第二掩模层在第一掩模层之上形成并图案化。 通过用第一等离子体处理修改低k电介质层的第一暴露部分并去除低k电介质层的修改部分，将第二掩模层的图案至少部分地转移到低k电介质层中。 随后，通过用第二等离子体处理修改低k电介质层的第二暴露部分，将第一掩模层的图案至少部分地转移到低k电介质层中，并且去除低k电介质层的修饰部分 。

公开(公告)号：US20110014798A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12891426

申请日：2010-09-27

申请人： Abhijit Basu Mallick ,  Srinivas D. Nemani ,  Ellie Yieh

发明人： Abhijit Basu Mallick ,  Srinivas D. Nemani ,  Ellie Yieh

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56

摘要： A method of depositing a silicon and nitrogen containing film on a substrate. The method includes introducing silicon-containing precursor to a deposition chamber that contains the substrate, wherein the silicon-containing precursor comprises at least two silicon atoms. The method further includes generating at least one radical nitrogen precursor with a remote plasma system located outside the deposition chamber. Moreover, the method includes introducing the radical nitrogen precursor to the deposition chamber, wherein the radical nitrogen and silicon-containing precursors react and deposit the silicon and nitrogen containing film on the substrate. Furthermore, the method includes annealing the silicon and nitrogen containing film in a steam environment to form a silicon oxide film, wherein the steam environment includes water and acidic vapor.

摘要翻译： 一种在衬底上沉积含硅和氮的膜的方法。 该方法包括将含硅前体引入到包含基底的沉积室中，其中含硅前体包含至少两个硅原子。 该方法还包括用位于沉积室外部的远程等离子体系统产生至少一种自由基氮前体。 此外，该方法包括将自由基氮前体引入沉积室，其中自由基含氮和含硅前体将含硅和氮的膜反应并沉积在基底上。 此外，该方法包括在蒸汽环境中退火含硅和氮的膜以形成氧化硅膜，其中蒸汽环境包括水和酸性蒸汽。