公开(公告)号：US20060115937A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：US11324934

申请日：2006-01-04

申请人： Joel Barnett ,  Mark Gardner ,  Naim Moumen ,  Jim Gutt

发明人： Joel Barnett ,  Mark Gardner ,  Naim Moumen ,  Jim Gutt

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/31 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02337 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659

摘要： Methods and devices are described for an insulated dielectric interface between a high-k material and silicon for improving electrical characteristics of devices. A method includes forming an oxide layer on a silicon substrate using an in situ steam generation process, etching the oxide layer to form a reduced thickness oxide layer of less than 10 Angstroms, and annealing the reduced thickness oxide layer with ammonia. A semiconductor wafer comprises a silicon substrate, an oxide layer coupled to the silicon substrate where the oxide layer having a thickness of less than 10 Angstroms, and a high-k dielectric material deposited onto the oxide layer.

摘要翻译： 描述了用于高k材料和硅之间的绝缘电介质界面的方法和装置，以改善器件的电特性。 一种方法包括使用原位蒸汽产生工艺在硅衬底上形成氧化物层，蚀刻氧化物层以形成小于10埃的厚度减小的氧化物层，并且用氨将还原厚度的氧化物层退火。 半导体晶片包括硅衬底，耦合到硅衬底的氧化物层，其中氧化物层具有小于10埃的厚度，以及沉积在氧化物层上的高k电介质材料。

公开(公告)号：US20050070120A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：US10911981

申请日：2004-08-05

申请人： Joel Barnett ,  Mark Gardner ,  Naim Moumen ,  Jim Gutt

发明人： Joel Barnett ,  Mark Gardner ,  Naim Moumen ,  Jim Gutt

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/311 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/02337 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659

摘要： Methods and devices are described for an insulated dielectric interface between a high-k material and silicon for improving electrical characteristics of devices. A method includes forming an oxide layer on a silicon substrate using an in situ steam generation process, etching the oxide layer to form a reduced thickness oxide layer of less than 10 Angstroms, and annealing the reduced thickness oxide layer with ammonia. A semiconductor wafer comprises a silicon substrate, an oxide layer coupled to the silicon substrate where the oxide layer having a thickness of less than 10 Angstroms, and a high-k dielectric material deposited onto the oxide layer.

摘要翻译： 描述了用于高k材料和硅之间的绝缘电介质界面的方法和装置，以改善器件的电特性。 一种方法包括使用原位蒸汽产生工艺在硅衬底上形成氧化物层，蚀刻氧化物层以形成小于10埃的厚度减小的氧化物层，并且用氨将还原厚度的氧化物层退火。 半导体晶片包括硅衬底，耦合到硅衬底的氧化物层，其中氧化物层具有小于10埃的厚度，以及沉积在氧化物层上的高k电介质材料。