METHOD OF FORMING METAL OXIDE FILM
    1.
    发明申请
    METHOD OF FORMING METAL OXIDE FILM 审中-公开
    形成金属氧化物膜的方法

    公开(公告)号:US20120237691A1

    公开(公告)日:2012-09-20

    申请号:US13369317

    申请日:2012-02-09

    IPC分类号: B05D5/12 B05D3/06 C23C14/48

    CPC分类号: C23C26/02 C23C4/123

    摘要: Provided is a method of forming a metal oxide film. In the method, a metal oxide film is formed on a substrate using a coating solution including a metal precursor, and electrical conductivity of the metal oxide film is controlled.

    摘要翻译: 提供一种形成金属氧化物膜的方法。 在该方法中,使用包含金属前体的涂布液在基板上形成金属氧化物膜,并且控制金属氧化物膜的导电性。