公开(公告)号：US20070036190A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11140602

申请日：2005-05-27

申请人： Joseph Abeles ,  Alan Braun ,  Viktor Khalfin ,  Martin Kwakernaak ,  Ramon Martinelli ,  Hooman Mohseni

发明人： Joseph Abeles ,  Alan Braun ,  Viktor Khalfin ,  Martin Kwakernaak ,  Ramon Martinelli ,  Hooman Mohseni

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S3/08

CPC分类号： H01S5/42 ,  H01S5/141 ,  H01S5/2031

摘要： A high power laser system including: a plurality of emitters each including a large area waveguide and a plurality of quantum well regions optically coupled to the large area waveguide, wherein each of the quantum well regions exhibits a low modal overlap with the large area waveguide; a collimator optically coupled to the emitters; a diffraction grating optically coupled through the collimator to the emitters; and, an output coupler optically coupled through the diffraction grating to the emitters.

摘要翻译： 一种高功率激光系统，包括：多个发射器，每个发射器包括大面积波导和光耦合到大面积波导的多个量子阱区域，其中每个量子阱区域与大面积波导呈现低模态重叠; 光学耦合到发射器的准直器; 通过准直器光学耦合到发射器的衍射光栅; 以及通过衍射光栅光学耦合到发射器的输出耦合器。

公开(公告)号：US20050147356A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：US11002403

申请日：2004-12-02

申请人： Hooman Mohseni ,  Joseph Abeles ,  Martin Kwakernaak ,  Viktor Khalfin

发明人： Hooman Mohseni ,  Joseph Abeles ,  Martin Kwakernaak ,  Viktor Khalfin

IPC分类号： G02B20060101 ,  G02B6/26 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/30 ,  H01S5/32 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/50

CPC分类号： H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/122 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/323 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/50 ,  H01S2301/18

摘要： A monolithic light amplification system including: an un-doped waveguide; a ridge waveguide positioned over the un-doped waveguide; and, at least a doped layer between the un-doped waveguide and ridge waveguide; wherein, the un-doped waveguide and ridge waveguide cooperate to amplify light input to the un-doped waveguide.

摘要翻译： 一种单片式光放大系统，包括：未掺杂波导; 位于未掺杂波导上的脊波导; 并且至少在未掺杂波导和脊波导之间的掺杂层; 其中，未掺杂的波导和脊波导协作放大到未掺杂波导的光输入。

公开(公告)号：US20050259937A1

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：US11091186

申请日：2005-03-28

申请人： Ralph Whaley ,  Joseph Abeles ,  Martin Kwakernaak ,  Viktor Khalfin ,  Winston Chan ,  Haiyan An ,  Steven Lipp

发明人： Ralph Whaley ,  Joseph Abeles ,  Martin Kwakernaak ,  Viktor Khalfin ,  Winston Chan ,  Haiyan An ,  Steven Lipp

IPC分类号： G02B6/10 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  H01L21/00

CPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/10 ,  G02B2006/12097

摘要： An optical system including: a substrate having a recess; and, a substantially planar, semiconductor waveguiding membrane suspended over the recess and having a thickness less than about 200 nm; wherein, the optical system supports a propagating optical mode having a majority of its energy external to the semiconductor waveguiding membrane.

摘要翻译： 一种光学系统，包括：具有凹部的基板; 以及悬挂在所述凹部上并且具有小于约200nm的厚度的基本上平面的半导体波导膜; 其中，光学系统支持其半导体波导膜外部具有大部分能量的传播光学模式。

公开(公告)号：US20050152424A1

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：US10922795

申请日：2004-08-20

申请人： Viktor Khalfin ,  Joseph Abeles ,  Martin Kwakernaak ,  Ralph Whaley ,  Haiyan An

发明人： Viktor Khalfin ,  Joseph Abeles ,  Martin Kwakernaak ,  Ralph Whaley ,  Haiyan An

IPC分类号： B32B5/18 ,  H01S3/03 ,  H01S5/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/32

CPC分类号： H01S5/20 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/105 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/204 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2238 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3213 ,  H01S2304/12

摘要： A high efficiency, low voltage defect laser, and a method of forming a high efficiency laser. The low voltage defect laser includes at least one p-clad layer, at least one n-clad layer, and at least one waveguide of at least a plurality of quantum wells. The at least one waveguide is sandwiched at least between the p-clad layer and the n-clad layer, and at least one permeable crystal layer may be embedded in the p-clad layer and immediately adjacent to the at least one waveguide. The method includes growing an AlGaAs layer atop a GaAs layer, etching of the AlGaAs into submicron structure, oxidizing the AlGaAs, SAG undoped growing of an SAG undoped GaAs atop the GaAs layer, and regrowing, with p++ doped GaAs, of a planar-buried p++ GaAs.

摘要翻译： 一种高效率，低电压缺陷激光器和形成高效激光器的方法。 所述低电压缺陷激光器包括至少一个p覆盖层，至少一个n覆层和至少多个量子阱的至少一个波导。 所述至少一个波导至少夹在所述p覆盖层和所述n覆层之间，并且至少一个可透过的晶体层可以嵌入所述p覆盖层中并且紧邻所述至少一个波导。 该方法包括在GaAs层之上生长AlGaAs层，将AlGaAs蚀刻成亚微米结构，在GaAs层顶上氧化AlGaAs，SAG未掺杂的GaAs的SAG未掺杂生长，并用p + >掺杂GaAs，一个平面埋置的p ++ GaAs。