公开(公告)号：US08626809B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US12711959

申请日：2010-02-24

申请人： Jun-Seok Yang ,  Won-Cheol Lee ,  Hyung-Min Jang

发明人： Jun-Seok Yang ,  Won-Cheol Lee ,  Hyung-Min Jang

IPC分类号： G06F17/17 ,  G10L13/00

CPC分类号： H03H17/0416 ,  H03H17/0277 ,  H03H21/0012 ,  H03H2017/0222 ,  H03H2017/0477 ,  H03H2021/0089 ,  H04B7/155

摘要： A method and an apparatus for digital up-down conversion using an Infinite Impulse Response (IIR) filter are provided. The method for digital up-down conversion for frequency conversion in a mobile communication system using plural frequency converts, includes IIR-filtering, by a magnitude response IIR filter having the same magnitude response as in Finite Impulse Response (FIR) filtering, an input signal and a stable filter coefficient calculated according to a Levinson polynomial; and receiving, by the magnitude response IIR filter, the IIR filtered signal, and performing IIR filtering by a phase compensation IIR filter having a filter coefficient compensating for a non-linear phase to a linear phase.

摘要翻译： 提供了一种使用无限脉冲响应（IIR）滤波器进行数字上变换的方法和装置。 用于使用多个频率转换的移动通信系统中用于频率转换的数字上变换的方法包括通过具有与有限脉冲响应（FIR）滤波相同的幅度响应的幅度响应IIR滤波器进行IIR滤波，输入信号 和根据Levinson多项式计算的稳定滤波器系数; 并通过幅度响应IIR滤波器接收IIR滤波信号，并且通过补偿非线性相位的滤波器系数到线性相位的相位补偿IIR滤波器进行IIR滤波。

公开(公告)号：US20120100658A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13228201

申请日：2011-09-08

申请人： JONG-WON CHOI ,  Jun-Seok Yang ,  Keon-Yong Cheon ,  Sung-Hyun Yoon

发明人： JONG-WON CHOI ,  Jun-Seok Yang ,  Keon-Yong Cheon ,  Sung-Hyun Yoon

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14689

摘要： Provided is a method of forming a semiconductor device. The method includes forming an insulating film on a semiconductor substrate, a conductive film on the insulating film, and a first structure and a second structure on the conductive film. The semiconductor substrate has first and second regions. The first and second structures are formed on the first and second regions, respectively. An impurity diffused region is formed in the semiconductor substrate using the first structure as a mask. The impurity diffused region overlaps the first structure. A portion of the first structure, and the conductive film are etched to respectively form a gate structure and a capacitor structure on the first and second regions.

摘要翻译： 提供一种形成半导体器件的方法。 该方法包括在半导体衬底上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成导电膜，以及在导电膜上形成第一结构和第二结构。 半导体衬底具有第一和第二区域。 第一和第二结构分别形成在第一和第二区域上。 使用第一结构作为掩模在半导体衬底中形成杂质扩散区域。 杂质扩散区与第一结构重叠。 第一结构的一部分和导电膜被蚀刻以分别在第一和第二区域上形成栅极结构和电容器结构。

公开(公告)号：US20130229229A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：US13883675

申请日：2011-11-11

申请人： Bok-Ju Park ,  Hyung-Sun Lim ,  Hee-Sang Noh ,  Jun-Seok Yang

发明人： Bok-Ju Park ,  Hyung-Sun Lim ,  Hee-Sang Noh ,  Jun-Seok Yang

IPC分类号： G05F3/08 ,  H03G3/00

CPC分类号： G05F3/08 ,  H03F1/02 ,  H03F1/0227 ,  H03F3/24 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/324 ,  H03F2200/451 ,  H03G3/004 ,  H04B1/0483 ,  H04B2001/045

摘要： An apparatus and a method for raising an output efficiency in a mobile communication terminal are provided. The apparatus includes a supply modulator and a power amplifier. The supply modulator includes a DC-DC converter, a voltage regulator, and a switching regulator. The supply modulator modulates an envelope component of an input signal to generate power. The power amplifier amplifies a phase component of the input signal using the power generated by the supply modulator as a power source of a collector/drain. The DC-DC converter raises battery power of the mobile communication terminal. The voltage regulator determines an output voltage of the supply modulator using the power raised by the DC-DC converter. The switching regulator determines an output current of the supply regulator using the battery power of the mobile communication terminal.

摘要翻译： 提供了一种用于提高移动通信终端中的输出效率的装置和方法。 该装置包括电源调制器和功率放大器。 电源调制器包括DC-DC转换器，电压调节器和开关调节器。 电源调制器调制输入信号的包络分量以产生功率。 功率放大器使用由供电调制器产生的功率作为集电极/漏极的电源来放大输入信号的相位分量。 DC-DC转换器提高移动通信终端的电池电力。 电压调节器使用由DC-DC转换器提升的功率来确定电源调制器的输出电压。 开关稳压器使用移动通信终端的电池电力来确定电源调节器的输出电流。

公开(公告)号：US20090137111A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：US12274040

申请日：2008-11-19

申请人： JEONG-HO LEE ,  Yonng-Hoon Park ,  Sang-II Jung ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

发明人： JEONG-HO LEE ,  Yonng-Hoon Park ,  Sang-II Jung ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

摘要： A method of fabricating a metal interconnection and a method of fabricating image sensor using the same are provided. The method of fabricating a metal interconnection including forming a interlayer dielectric layer on a substrate, forming an interconnection formation region in the interlayer dielectric layer, performing an ultraviolet (UV) treatment on the substrate after the interconnection formation region is formed and forming a metal interconnection in the interconnection formation region.

摘要翻译： 提供了一种制造金属互连的方法和使用其制造图像传感器的方法。 一种制造金属互连的方法，包括在衬底上形成层间电介质层，在层间电介质层中形成互连形成区，在互连形成区形成之后对衬底进行紫外（UV）处理，并形成金属互连 在互连形成区域中。

公开(公告)号：US09282519B2

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：US13547625

申请日：2012-07-12

申请人： Bok-Ju Park ,  Young-Eil Kim ,  Jun-Seok Yang

发明人： Bok-Ju Park ,  Young-Eil Kim ,  Jun-Seok Yang

IPC分类号： G08C17/00 ,  H04W52/02

CPC分类号： H04W52/0274 ,  H04W52/0216 ,  Y02D70/1244 ,  Y02D70/1246 ,  Y02D70/1262 ,  Y02D70/142 ,  Y02D70/146 ,  Y02D70/24 ,  Y02D70/25

摘要： An apparatus and a method for controlling transmission and reception control in a wireless communication system are provided. The apparatus includes at least one voltage regulator, a power source consumer, at least one capacitor, and a controller. The at least one voltage regulator provides a power source that is a regulated voltage. The power source consumer processes a Radio Frequency (RF) signal using the power source that is the regulated voltage. The at least one capacitor is connected to an output port of the at least one voltage regulator and a power source input port of the power source consumer. The controller turns off the at least one voltage regulator during a deactivation period of the communication apparatus and turns on the at least one voltage regulator during an activation period of the communication apparatus.

摘要翻译： 提供了一种用于控制无线通信系统中的发送和接收控制的装置和方法。 该设备包括至少一个电压调节器，电源消耗器，至少一个电容器和控制器。 至少一个电压调节器提供作为调节电压的电源。 电源消费者使用作为调节电压的电源处理射频（RF）信号。 所述至少一个电容器连接到所述至少一个电压调节器的输出端口和所述电源消耗器的电源输入端口。 控制器在通信设备的去激活期间关闭至少一个电压调节器，并且在通信设备的激活周期期间接通至少一个电压调节器。

公开(公告)号：US20090130792A1

公开(公告)日：2009-05-21

申请号：US12313067

申请日：2008-11-17

申请人： Jeong-Ho Lee ,  Sang-ll Jung ,  Young-Hoon Park ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

发明人： Jeong-Ho Lee ,  Sang-ll Jung ,  Young-Hoon Park ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L27/14687 ,  H01L27/14643

摘要： A method of fabricating an image sensor includes forming a photoelectric transformation device on a substrate and forming a dielectric layer structure on the substrate. The dielectric layer structure includes multi-layer interlayer dielectric layers and multi-layer metal interconnections which are located between the multi-layer interlayer dielectric layers. A cavity which penetrates the multi-layer interlayer dielectric layers on the photoelectric transformation device is formed. A heat treatment is performed on the substrate on which the cavity is formed.

摘要翻译： 制造图像传感器的方法包括在基板上形成光电转换装置，并在基板上形成电介质层结构。 电介质层结构包括位于多层层间电介质层之间的多层层间电介质层和多层金属互连。 形成穿透光电转换装置上的多层层间电介质层的空腔。 在其上形成有空腔的基板上进行热处理。

公开(公告)号：US09098099B2

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：US13883675

申请日：2011-11-11

申请人： Bok-Ju Park ,  Hyung-Sun Lim ,  Hee-Sang Noh ,  Jun-Seok Yang

发明人： Bok-Ju Park ,  Hyung-Sun Lim ,  Hee-Sang Noh ,  Jun-Seok Yang

IPC分类号： H03G3/20 ,  G05F3/08 ,  H03F1/02 ,  H03F3/24 ,  H04B1/04 ,  H03G3/00

CPC分类号： G05F3/08 ,  H03F1/02 ,  H03F1/0227 ,  H03F3/24 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/324 ,  H03F2200/451 ,  H03G3/004 ,  H04B1/0483 ,  H04B2001/045

摘要： An apparatus and a method for raising an output efficiency in a mobile communication terminal are provided. The apparatus includes a supply modulator and a power amplifier. The supply modulator includes a DC-DC converter, a voltage regulator, and a switching regulator. The supply modulator modulates an envelope component of an input signal to generate power. The power amplifier amplifies a phase component of the input signal using the power generated by the supply modulator as a power source of a collector/drain. The DC-DC converter raises battery power of the mobile communication terminal. The voltage regulator determines an output voltage of the supply modulator using the power raised by the DC-DC converter. The switching regulator determines an output current of the supply regulator using the battery power of the mobile communication terminal.

摘要翻译： 提供了一种用于提高移动通信终端中的输出效率的装置和方法。 该装置包括电源调制器和功率放大器。 电源调制器包括DC-DC转换器，电压调节器和开关调节器。 电源调制器调制输入信号的包络分量以产生功率。 功率放大器使用由供电调制器产生的功率作为集电极/漏极的电源来放大输入信号的相位分量。 DC-DC转换器提高移动通信终端的电池电力。 电压调节器使用由DC-DC转换器提升的功率来确定电源调制器的输出电压。 开关稳压器使用移动通信终端的电池电力来确定电源调节器的输出电流。

公开(公告)号：US08338295B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US13206703

申请日：2011-08-10

申请人： Jeong-Ho Lee ,  Young-Hoon Park ,  Sang-Il Jung ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

发明人： Jeong-Ho Lee ,  Young-Hoon Park ,  Sang-Il Jung ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

IPC分类号： H01L21/441

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

摘要： A method of fabricating a metal interconnection and a method of fabricating image sensor using the same are provided. The method of fabricating a metal interconnection including forming a interlayer dielectric layer on a substrate, forming an interconnection formation region in the interlayer dielectric layer, performing an ultraviolet (UV) treatment on the substrate after the interconnection formation region is formed and forming a metal interconnection in the interconnection formation region.

摘要翻译： 提供了一种制造金属互连的方法和使用其制造图像传感器的方法。 一种制造金属互连的方法，包括在衬底上形成层间电介质层，在层间电介质层中形成互连形成区，在互连形成区形成之后对衬底进行紫外（UV）处理，并形成金属互连 在互连形成区域中。

公开(公告)号：US08026171B2

公开(公告)日：2011-09-27

申请号：US12274040

申请日：2008-11-19

申请人： Jeong-Ho Lee ,  Young-Hoon Park ,  Sang-Il Jung ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

发明人： Jeong-Ho Lee ,  Young-Hoon Park ,  Sang-Il Jung ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

摘要： A method of fabricating a metal interconnection and a method of fabricating image sensor using the same are provided. The method of fabricating a metal interconnection including forming a interlayer dielectric layer on a substrate, forming an interconnection formation region in the interlayer dielectric layer, performing an ultraviolet (UV) treatment on the substrate after the interconnection formation region is formed and forming a metal interconnection in the interconnection formation region.

摘要翻译： 提供了一种制造金属互连的方法和使用其制造图像传感器的方法。 一种制造金属互连的方法，包括在衬底上形成层间电介质层，在层间电介质层中形成互连形成区，在互连形成区形成之后对衬底进行紫外（UV）处理，并形成金属互连 在互连形成区域中。

公开(公告)号：US08420432B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US13228201

申请日：2011-09-08

申请人： Jong-Won Choi ,  Jun-Seok Yang ,  Keon-Yong Cheon ,  Sung-Hyun Yoon

发明人： Jong-Won Choi ,  Jun-Seok Yang ,  Keon-Yong Cheon ,  Sung-Hyun Yoon

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14689

摘要： Provided is a method of forming a semiconductor device. The method includes forming an insulating film on a semiconductor substrate, a conductive film on the insulating film, and a first structure and a second structure on the conductive film. The semiconductor substrate has first and second regions. The first and second structures are formed on the first and second regions, respectively. An impurity diffused region is formed in the semiconductor substrate using the first structure as a mask. The impurity diffused region overlaps the first structure. A portion of the first structure, and the conductive film are etched to respectively form a gate structure and a capacitor structure on the first and second regions.

摘要翻译： 提供一种形成半导体器件的方法。 该方法包括在半导体衬底上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成导电膜，以及在导电膜上形成第一结构和第二结构。 半导体衬底具有第一和第二区域。 第一和第二结构分别形成在第一和第二区域上。 使用第一结构作为掩模在半导体衬底中形成杂质扩散区域。 杂质扩散区与第一结构重叠。 第一结构的一部分和导电膜被蚀刻以分别在第一和第二区域上形成栅极结构和电容器结构。