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    ACTIVE OPTICAL DEVICE AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE SAME
    2.
    发明申请
    ACTIVE OPTICAL DEVICE AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE SAME 审中-公开
    活动的光学装置和显示装置包括它们

    公开(公告)号：US20120242927A1

    公开(公告)日：2012-09-27

    申请号：US13290516

    申请日：2011-11-07

    申请人： Un-jeong Kim ,  Sun-il Kim ,  Sang-jin Lee

    发明人： Un-jeong Kim ,  Sun-il Kim ,  Sang-jin Lee

    IPC分类号： G02F1/1335 ,  G02F1/1341

    CPC分类号： G02F1/13439 ,  H04N13/305 ,  H04N13/359 ,  H04N13/361

    摘要： An active optical device and a display apparatus are provided. The active optical device includes a graphene layer; a plurality of carbon nanotubes (CNTs) disposed on the graphene layer; a transparent electrode layer spaced apart from the plurality of CNTs; and a liquid crystal layer disposed between the graphene layer and the transparent electrode layer. The display apparatus includes a display unit for displaying at least one of two-dimensional (2D) and three-dimensional (3D) images; and the active optical device disposed on the display unit.

    摘要翻译： 提供有源光学装置和显示装置。 有源光学器件包括石墨烯层; 设置在石墨烯层上的多个碳纳米管（CNT）; 与所述多个CNT间隔开的透明电极层; 以及设置在石墨烯层和透明电极层之间的液晶层。 显示装置包括用于显示二维（2D）和三维（3D）图像中的至少一个的显示单元; 以及设置在显示单元上的有源光学装置。

    Convertible logic circuits comprising carbon nanotube transistors having ambipolar charateristics
    6.
    发明授权
    Convertible logic circuits comprising carbon nanotube transistors having ambipolar charateristics 有权
    包括具有双极性特征的碳纳米管晶体管的可转换逻辑电路

    公开(公告)号：US08022725B2

    公开(公告)日：2011-09-20

    申请号：US12232956

    申请日：2008-09-26

    申请人： Un-jeong Kim ,  Young-hee Lee ,  Eun-hong Lee ,  Woo-jong Yu

    发明人： Un-jeong Kim ,  Young-hee Lee ,  Eun-hong Lee ,  Woo-jong Yu

    IPC分类号： H03K19/173

    CPC分类号： H03K19/173 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0545

    摘要： A convertible logic circuit includes a plurality of carbon nanotube transistors. Each carbon nanotube transistors are configurable as p-type or an n-type transistors according to a voltage of a power source voltage. Each carbon nanotube transistor includes a source electrode, a drain electrode, a channel formed of a carbon nanotube between the source electrode and the drain electrode, a gate insulating layer formed on the carbon nanotubes, and a gate electrode formed on the gate insulating layer.

    摘要翻译： 可转换逻辑电路包括多个碳纳米管晶体管。 根据电源电压的电压，每个碳纳米管晶体管可配置为p型或n型晶体管。 每个碳纳米管晶体管包括源电极，漏电极，在源电极和漏电极之间由碳纳米管形成的沟道，形成在碳纳米管上的栅极绝缘层和形成在栅极绝缘层上的栅电极。

    Static random access memories having carbon nanotube thin films
    8.
    发明授权
    Static random access memories having carbon nanotube thin films 有权
    具有碳纳米管薄膜的静态随机存取存储器

    公开(公告)号：US08796667B2

    公开(公告)日：2014-08-05

    申请号：US12591773

    申请日：2009-12-01

    申请人： Eun-hong Lee ,  Un-jeong Kim ,  Woo-jong Yu ,  Young-hee Lee

    发明人： Eun-hong Lee ,  Un-jeong Kim ,  Woo-jong Yu ,  Young-hee Lee

    IPC分类号： H01L29/06

    CPC分类号： G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/412 ,  G11C13/0033 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

    摘要： A static random access memory (SRAM) includes: a first carbon nanotube (CNT) inverter, a second CNT inverter, a first switching transistor, and a second switching transistor. The first CNT inverter includes at least a first CNT transistor. The second CNT inverter is connected to the first CNT inverter and includes at least one second CNT transistor. The first switching transistor is connected to the first CNT inverter. The second switching transistor is connected to the second CNT inverter.

    摘要翻译： 静态随机存取存储器（SRAM）包括：第一碳纳米管（CNT）反相器，第二CNT反相器，第一开关晶体管和第二开关晶体管。 第一CNT反相器至少包括第一CNT晶体管。 第二CNT反相器连接到第一CNT反相器并且包括至少一个第二CNT晶体管。 第一开关晶体管连接到第一CNT逆变器。 第二开关晶体管连接到第二CNT反相器。