公开(公告)号：US20070128563A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11296139

申请日：2005-12-07

申请人： Kanakasabapathi Subramanian ,  Richard Saia ,  Aaron Knobloch ,  Nicholas Okruch ,  David Najewicz

发明人： Kanakasabapathi Subramanian ,  Richard Saia ,  Aaron Knobloch ,  Nicholas Okruch ,  David Najewicz

IPC分类号： F23Q9/00 ,  F23Q9/08

CPC分类号： H01C7/008 ,  H01C17/08

摘要： An ignition device for a gas appliance is provided. The ignition device includes a membrane and a plurality of heating elements embedded in the membrane, wherein the heating elements comprise a plurality of patterned resistors and wherein the plurality of heating elements are configured to heat a surface on application of voltage through the heating elements. The ignition device also includes a cavity disposed adjacent to the heating elements and configured to provide thermal isolation of the heating elements.

摘要翻译： 提供一种用于燃气器具的点火装置。 点火装置包括膜和嵌入在膜中的多个加热元件，其中加热元件包括多个图案化的电阻器，并且其中多个加热元件构造成通过加热元件施加电压来加热表面。 点火装置还包括邻近加热元件设置的空腔，并且构造成提供加热元件的热​​隔离。

公开(公告)号：US20070125745A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11296247

申请日：2005-12-07

申请人： Kanakasabapathi Subramanian ,  Richard Saia ,  Aaron Knobloch ,  David Najewicz ,  Nicholas Okruch

发明人： Kanakasabapathi Subramanian ,  Richard Saia ,  Aaron Knobloch ,  David Najewicz ,  Nicholas Okruch

IPC分类号： C23F1/00 ,  H01B13/00

CPC分类号： C23C8/40 ,  C23C8/12 ,  F23Q7/22 ,  F24C3/103

摘要： A method of manufacturing an ignition device is provided. The method includes patterning a plurality of resistors on a membrane to form heating elements and thermally isolating the heating elements from an external environment via a cavity disposed adjacent to the heating elements.

摘要翻译： 提供一种制造点火装置的方法。 该方法包括在膜上图形化多个电阻器以形成加热元件并且通过邻近加热元件设置的空腔将加热元件与外部环境热隔离。

公开(公告)号：US20060057520A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US10942717

申请日：2004-09-16

申请人： Richard Saia ,  David Najewicz ,  Charles Seeley ,  Guanghua Wu ,  Aaron Knobloch

发明人： Richard Saia ,  David Najewicz ,  Charles Seeley ,  Guanghua Wu ,  Aaron Knobloch

IPC分类号： F23Q9/08 ,  F24C3/00

CPC分类号： F24C3/12 ,  F23C2900/03001 ,  F23N1/005 ,  F23N2035/18 ,  F23N2037/02 ,  F23N2041/08

摘要： A control valve assembly includes an inlet for receiving a gas flow and an outlet for providing the gas flow to a gas burner. The assembly also includes a positive-shutoff valve for interrupting the gas flow from the inlet. A micro electromechanical system (MEMS) valve is coupled in series to the positive-shutoff value between the inlet and the outlet for regulating the gas flow from the inlet to the outlet.

摘要翻译： 控制阀组件包括用于接收气流的入口和用于将气流提供给气体燃烧器的出口。 组件还包括用于中断来自入口的气流的正截止阀。 微机电系统（MEMS）阀与入口和出口之间的正断路值串联耦合，用于调节从入口到出口的气流。

公开(公告)号：US20050133751A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：US10740969

申请日：2003-12-17

申请人： Charles Seeley ,  Richard Saia ,  Christopher Kapusta ,  David Najewicz ,  Anis Zribi ,  Guanghua (George) Wu

发明人： Charles Seeley ,  Richard Saia ,  Christopher Kapusta ,  David Najewicz ,  Anis Zribi ,  Guanghua (George) Wu

IPC分类号： F15C5/00 ,  F16K31/00 ,  F16K31/02 ,  F16K99/00

CPC分类号： F16K99/0001 ,  F15C5/00 ,  F16K31/005 ,  F16K99/0007 ,  F16K99/0048 ,  F16K2099/008

摘要： A piezoelectric microvalve and method for controlling a fluid flow through a piezoelectric microvalve are provided. The microvalve includes an inlet plenum and a flow directing structure for directing a fluid flow, wherein a first side of the structure is in fluid communication with the inlet plenum. The microvalve also includes a piezoelectric bending actuator comprising a flap portion responsive to a command signal for controlling a fluid flow through the flow directing structure. The microvalve further includes an outlet plenum in fluid communication with a second side of the flow directing structure.

摘要翻译： 提供一种用于控制通过压电微型阀的流体流动的压电微型阀和方法。 微型阀包括入口气室和用于引导流体流动的流动引导结构，其中该结构的第一侧与入口气室流体连通。 微型阀还包括压电弯曲致动器，其包括响应于用于控制通过流动引导结构的流体流的命令信号的挡板部分。 微型阀还包括与流动引导结构的第二侧流体连通的出口增压室。

公开(公告)号：US20070015373A1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：US11181427

申请日：2005-07-13

申请人： Christopher Cowen ,  Larry Rowland ,  Jesse Tucker ,  Jeffrey Fedison ,  Richard Saia ,  Kevin Durocher

发明人： Christopher Cowen ,  Larry Rowland ,  Jesse Tucker ,  Jeffrey Fedison ,  Richard Saia ,  Kevin Durocher

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02115 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/046 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3146

摘要： A method of processing a semiconductor substrate is provided. The method includes depositing an amorphous hydrogenated carbon film on a semiconductor substrate using a low temperature plasma deposition process and performing at least one high temperature processing step on the semiconductor substrate. The SiC substrate is processed by ion implanting at least one dopant species into at least one selected region of the SiC substrate, depositing a amorphous hydrogenated carbon film on the SiC substrate using a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process, performing at least one high temperature processing step on the SiC substrate and removing the amorphous hydrogenated carbon film after performing the high temperature processing step.

摘要翻译： 提供一种处理半导体衬底的方法。 该方法包括使用低温等离子体沉积工艺在半导体衬底上沉积无定形氢化碳膜，并在半导体衬底上执行至少一个高温处理步骤。 通过将至少一种掺杂剂物质离子注入到SiC衬底的至少一个选定区域中来处理SiC衬底，使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺在SiC衬底上沉积无定形氢化碳膜，执行至少一个 高温处理步骤，并且在进行高温处理步骤之后除去无定形氢化碳膜。