利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

9 条记录 (耗时 0.026 秒)

    MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME
    3.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME 审中-公开
    包括其中的磁性元件和存储器件

    公开(公告)号：US20140339660A1

    公开(公告)日：2014-11-20

    申请号：US14247245

    申请日：2014-04-07

    申请人： Sung-chul LEE ,  Kwang-seok KIM ,  Kee-won KIM ,  Young-man JANG ,  Ung-hwan PI

    发明人： Sung-chul LEE ,  Kwang-seok KIM ,  Kee-won KIM ,  Young-man JANG ,  Ung-hwan PI

    IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L27/22

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228

    摘要： Provided are magnetoresistive elements, memory devices including the same, and an operation methods thereof. A magnetoresistive element may include a free layer, and the free layer may include a plurality of regions (layers) having different properties. The free layer may include a plurality of regions (layers) having different Curie temperatures. The Curie temperature of the free layer may change regionally or gradually away from the pinned layer. The free layer may include a first region having ferromagnetic characteristics at a first temperature and a second region having paramagnetic characteristics at the first temperature. The first region and the second region both may have ferromagnetic characteristics at a second temperature lower than the first temperature. The effective thickness of the free layer may change with temperature.

    摘要翻译： 提供了磁阻元件，包括其的存储器件及其操作方法。 磁阻元件可以包括自由层，并且自由层可以包括具有不同特性的多个区域（层）。 自由层可以包括具有不同居里温度的多个区域（层）。 自由层的居里温度可以在区域上或逐渐地远离被钉扎层的位置改变。 自由层可以包括在第一温度下具有铁磁特性的第一区域和在第一温度下具有顺磁特性的第二区域。 第一区域和第二区域在低于第一温度的第二温度下都可以具有铁磁特性。 自由层的有效厚度可随温度而变化。

    MAGNETIC MEMORY DEVICES AND METHODS OF WRITING DATA TO THE SAME
    4.
    发明申请
    MAGNETIC MEMORY DEVICES AND METHODS OF WRITING DATA TO THE SAME 有权
    磁记忆装置及将数据写入其中的方法

    公开(公告)号：US20140269036A1

    公开(公告)日：2014-09-18

    申请号：US14184043

    申请日：2014-02-19

    申请人： Ung-hwan PI ,  Kwang-seok KIM ,  Kee-won KIM ,  Sung-chul LEE ,  Young-man JANG

    发明人： Ung-hwan PI ,  Kwang-seok KIM ,  Kee-won KIM ,  Sung-chul LEE ,  Young-man JANG

    IPC分类号： G11C11/16

    CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18

    摘要： Magnetic memory devices include a magnetoresistive cell including a free layer having a variable magnetization direction and a pinned layer having a fixed magnetization direction, a bit line on the magnetoresistive cell and including a spin Hall effect material layer exhibiting a spin Hall effect and contacting the free layer; and a lower electrode under the magnetoresistive cell. A voltage is applied between the bit line and the lower electrode so that current passes through the magnetoresistive cell.

    摘要翻译： 磁存储器件包括磁阻单元，其包括具有可变磁化方向的自由层和具有固定磁化方向的固定层，磁阻单元上的位线，并且包括具有旋转霍尔效应的旋转霍尔效应材料层， 层; 和位于磁阻电池下方的下电极。 在位线和下电极之间施加电压，使得电流通过磁阻电池。

    MAGNETORESISTIVE ELEMENTS AND MEMORY DEVICES INCLUDING THE SAME
    8.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE ELEMENTS AND MEMORY DEVICES INCLUDING THE SAME 有权
    磁性元件和包括其的存储器件

    公开(公告)号：US20130161769A1

    公开(公告)日：2013-06-27

    申请号：US13591809

    申请日：2012-08-22

    申请人： Sung-chul LEE ,  Kwang-seok KIM ,  Kee-won KIM ,  Young-man JANG ,  Ung-hwan PI

    发明人： Sung-chul LEE ,  Kwang-seok KIM ,  Kee-won KIM ,  Young-man JANG ,  Ung-hwan PI

    IPC分类号： H01L29/82 ,  G11B5/39

    CPC分类号： G11C11/161 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1121

    摘要： Magnetoresistive elements, and memory devices including the same, include a free layer having a changeable magnetization direction, a pinned layer facing the free layer and having a fixed magnetization direction, and an auxiliary element on a surface of the pinned layer. The auxiliary element has a width smaller than a width of the pinned layer, and a magnetization direction fixed to a direction the same as a direction of the fixed magnetization direction of the pinned layer.

    摘要翻译： 磁阻元件和包括它们的存储器件包括具有可变磁化方向的自由层，面向自由层的固定层并且具有固定的磁化方向，以及在被钉扎层的表面上的辅助元件。 辅助元件的宽度小于钉扎层的宽度，并且固定在与被钉扎层的固定磁化方向的方向相同的方向上的磁化方向。