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    Method of optimizing design for manufacturing (DFM)
    1.
    发明授权
    Method of optimizing design for manufacturing (DFM) 有权
    优化制造设计（DFM）的方法

    公开(公告)号：US08793638B2

    公开(公告)日：2014-07-29

    申请号：US13559081

    申请日：2012-07-26

    申请人： Keuing Hui ,  Yen-Wei Cheng ,  Yen-Di Tsen ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Keuing Hui ,  Yen-Wei Cheng ,  Yen-Di Tsen ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

    摘要： The present disclosure describes a method of optimizing a design for manufacture (DFM) simulation. The method includes receiving an integrated circuit (IC) design data having a feature, receiving a process data having a parameter or a plurality of parameters, performing the DFM simulation, and optimizing the DFM simulation. The performing the DFM simulation includes generating a simulation output data using the IC design data and the process data. The optimizing the DFM simulation includes generating a performance index of the parameter or the plurality of parameters by the DFM simulation. The optimizing the DFM simulation includes adjusting the parameter or the plurality of parameters at outer loop, middle loop, and the inner loop. The optimizing the DFM simulation also includes locating a nadir of the performance index of the parameter or the plurality of parameters over a range of the parameter or the plurality of parameters.

    摘要翻译： 本公开描述了优化用于制造（DFM）仿真的设计的方法。 该方法包括接收具有特征的集成电路（IC）设计数据，接收具有参数或多个参数的处理数据，执行DFM仿真和优化DFM仿真。 执行DFM模拟包括使用IC设计数据和过程数据生成模拟输出数据。 优化DFM模拟包括通过DFM仿真生成参数或多个参数的性能指标。 优化DFM模拟包括调整外循环，中间循环和内循环的参数或多个参数。 优化DFM模拟还包括在参数或多个参数的范围内定位参数或多个参数的性能指标的最低点。

    Method of Optimizing Design for Manufacturing (DFM)
    2.
    发明申请
    Method of Optimizing Design for Manufacturing (DFM) 有权
    优化制造设计的方法（DFM）

    公开(公告)号：US20140033159A1

    公开(公告)日：2014-01-30

    申请号：US13559081

    申请日：2012-07-26

    申请人： Keuing Hui ,  Yen-Wei Cheng ,  Yen-Di Tsen ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Keuing Hui ,  Yen-Wei Cheng ,  Yen-Di Tsen ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

    摘要： The present disclosure describes a method of optimizing a design for manufacture (DFM) simulation. The method includes receiving an integrated circuit (IC) design data having a feature, receiving a process data having a parameter or a plurality of parameters, performing the DFM simulation, and optimizing the DFM simulation. The performing the DFM simulation includes generating a simulation output data using the IC design data and the process data. The optimizing the DFM simulation includes generating a performance index of the parameter or the plurality of parameters by the DFM simulation. The optimizing the DFM simulation includes adjusting the parameter or the plurality of parameters at outer loop, middle loop, and the inner loop. The optimizing the DFM simulation also includes locating a nadir of the performance index of the parameter or the plurality of parameters over a range of the parameter or the plurality of parameters.

    摘要翻译： 本公开描述了优化用于制造（DFM）仿真的设计的方法。 该方法包括接收具有特征的集成电路（IC）设计数据，接收具有参数或多个参数的处理数据，执行DFM仿真和优化DFM仿真。 执行DFM模拟包括使用IC设计数据和过程数据生成模拟输出数据。 优化DFM模拟包括通过DFM仿真生成参数或多个参数的性能指标。 优化DFM模拟包括调整外循环，中间循环和内循环的参数或多个参数。 优化DFM模拟还包括在参数或多个参数的范围内定位参数或多个参数的性能指标的最低点。

    Systems and methods of automatic boundary control for semiconductor processes
    3.
    发明授权
    Systems and methods of automatic boundary control for semiconductor processes 有权
    半导体工艺自动边界控制系统和方法

    公开(公告)号：US09250619B2

    公开(公告)日：2016-02-02

    申请号：US13311601

    申请日：2011-12-06

    申请人： Chih-Wei Hsu ,  Mei-Jen Wu ,  Yen-Di Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Chih-Wei Hsu ,  Mei-Jen Wu ,  Yen-Di Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： G06F19/00 ,  G05B19/18 ,  H01L21/66

    CPC分类号： G05B19/18 ,  G05B2219/45031 ,  H01L22/20

    摘要： A system and method of automatically calculating boundaries for a semiconductor fabrication process. The method includes selecting a first parameter for monitoring during a semiconductor fabrication process. A first set of values for the first parameter are received and a group value of the first set is determined. Each value in the first set of values is normalized. A first weighting factor is selected based on a number of values in the first set. The embodiment also includes generating a first and a second boundary value as a function of the weighting factor, the first set normalized values and the group value of the first set and applying the first and second boundary values to control the semiconductor fabrication process.

    摘要翻译： 一种自动计算半导体制造工艺边界的系统和方法。 该方法包括在半导体制造过程中选择用于监测的第一参数。 接收第一参数的第一组值，并确定第一组的组值。 第一组值中的每个值都被归一化。 基于第一组中的值的数量来选择第一加权因子。 该实施例还包括根据加权因子，第一集合归一化值和第一组的组值产生第一和第二边界值，并施加第一和第二边界值以控制半导体制造过程。

    Processing exception handling
    4.
    发明授权
    Processing exception handling 有权
    处理异常处理

    公开(公告)号：US08549012B2

    公开(公告)日：2013-10-01

    申请号：US12778855

    申请日：2010-05-12

    申请人： Po-Feng Tsai ,  Jin-Ning Sung ,  Yen-Di Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

    发明人： Po-Feng Tsai ,  Jin-Ning Sung ,  Yen-Di Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

    IPC分类号： G06F7/00 ,  G06F17/30

    CPC分类号： G06F7/00 ,  G05B19/41865 ,  G05B2219/31352 ,  G05B2219/33303 ,  G06F17/30

    摘要： In accordance with an embodiment, a method for exception handling comprises accessing an exception type for an exception, filtering historical data based on at least one defined criterion to provide a data train comprising data sets, assigning a weight to each data set, and providing a current control parameter. The data sets each comprise a historical condition and a historical control parameter, and the weight assigned to each data set is based on each historical condition. The current control parameter is provided using the weight and the historical control parameter for each data set.

    摘要翻译： 根据实施例，用于异常处理的方法包括访问异常的异常类型，基于至少一个定义的标准过滤历史数据，以提供包括数据集的数据队列，为每个数据集分配权重，以及提供 电流控制参数。 数据集各自包含历史条件和历史控制参数，并且分配给每个数据集的权重基于每个历史条件。 使用每个数据集的权重和历史控制参数提供当前的控制参数。

    APC Model Extension Using Existing APC Models
    5.
    发明申请
    APC Model Extension Using Existing APC Models 有权
    APC型号扩展使用现有的APC型号

    公开(公告)号：US20110301736A1

    公开(公告)日：2011-12-08

    申请号：US12793307

    申请日：2010-06-03

    申请人： Po-Feng Tsai ,  Yen-Di Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

    发明人： Po-Feng Tsai ,  Yen-Di Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G05B17/02 ,  H01L22/20

    摘要： A method of extending advanced process control (APC) models includes constructing an APC model table including APC model parameters of a plurality of products and a plurality of work stations. The APC model table includes empty cells and cells filled with existing APC model parameters. Average APC model parameters of the existing APC model parameters are calculated, and filled into the empty cells as initial values. An iterative calculation is performed to update the empty cells with updated values.

    摘要翻译： 扩展先进过程控制（APC）模型的方法包括构建包括多个产品的APC模型参数和多个工作站的APC模型表。 APC模型表包括空单元格和填充有现有APC模型参数的单元格。 计算现有APC模型参数的平均APC模型参数，并作为初始值填充到空单元格中。 执行迭代计算以更新值更新空单元格。

    APC model extension using existing APC models
    6.
    发明授权
    APC model extension using existing APC models 有权
    APC型号扩展使用现有的APC型号

    公开(公告)号：US09026239B2

    公开(公告)日：2015-05-05

    申请号：US12793307

    申请日：2010-06-03

    申请人： Po-Feng Tsai ,  Yen-Di Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

    发明人： Po-Feng Tsai ,  Yen-Di Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

    IPC分类号： G06F19/00 ,  G05B11/01 ,  G05B17/02 ,  G05B15/00 ,  H01L21/66

    CPC分类号： G05B17/02 ,  H01L22/20

    摘要： A method of extending advanced process control (APC) models includes constructing an APC model table including APC model parameters of a plurality of products and a plurality of work stations. The APC model table includes empty cells and cells filled with existing APC model parameters. Average APC model parameters of the existing APC model parameters are calculated, and filled into the empty cells as initial values. An iterative calculation is performed to update the empty cells with updated values.

    摘要翻译： 扩展先进过程控制（APC）模型的方法包括构建包括多个产品的APC模型参数和多个工作站的APC模型表。 APC模型表包括空单元格和填充有现有APC模型参数的单元格。 计算现有APC模型参数的平均APC模型参数，并作为初始值填充到空单元格中。 执行迭代计算以更新值更新空单元格。

    Two-dimensional multi-products multi-tools advanced process control
    7.
    发明授权
    Two-dimensional multi-products multi-tools advanced process control 有权
    二维多产品多工具高级过程控制

    公开(公告)号：US08406904B2

    公开(公告)日：2013-03-26

    申请号：US13033413

    申请日：2011-02-23

    申请人： Chih-Wei Hsu ,  Yen-Di Tsen ,  Jong-I Mou

    发明人： Chih-Wei Hsu ,  Yen-Di Tsen ,  Jong-I Mou

    IPC分类号： G05B13/02 ,  G06F19/00

    CPC分类号： G05B19/41865 ,  G05B2219/32135 ,  G05B2219/32267 ,  G05B2219/45031 ,  Y02P90/20 ,  Y02P90/265

    摘要： The present disclosure provides a method. The method includes gathering advanced process control (APC) data from a subset of available wafers and a subset of available processing chambers. The method includes establishing a matrix that contains a plurality of cells. The cells each correspond to one of the available wafers and one of the available processing chambers. The matrix is partially filled by populating cells for which the APC data has been gathered. The method includes determining a plurality of chamber-coverage-rate (CCR) parameters associated with the matrix. The method includes optimizing the CCR parameters through an iteration process to obtain optimized CCR parameters. The method includes predicting an APC data value for a designated cell of the matrix based on the optimized CCR parameters. The designated cell is an empty cell before the predicting and is populated by the predicting.

    摘要翻译： 本公开提供了一种方法。 该方法包括从可用晶片的子集和可用处理室的子集中收集先进的过程控制（APC）数据。 该方法包括建立包含多个单元的矩阵。 每个单元对应于可用晶片之一和可用处理室之一。 通过填充已经收集了APC数据的单元格来部分填充矩阵。 该方法包括确定与矩阵相关联的多个腔室覆盖率（CCR）参数。 该方法包括通过迭代过程优化CCR参数以获得优化的CCR参数。 该方法包括基于优化的CCR参数预测矩阵的指定小区的APC数据值。 指定的单元格是在预测之前的空单元格，并由预测填充。