公开(公告)号：US20080206530A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US11833542

申请日：2007-08-03

申请人： Ki Yong SONG ,  Sung Hen CHO ,  Sang Eun PARK

发明人： Ki Yong SONG ,  Sung Hen CHO ,  Sang Eun PARK

IPC分类号： B32B3/00 ,  B05D5/12 ,  B44C1/22

CPC分类号： H01B13/0026 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1889 ,  C23C18/30 ,  C23C18/31 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H05K3/108 ,  H05K3/24 ,  H05K3/388 ,  H05K2203/0716 ,  H05K2203/072 ,  Y10T428/24917

摘要： Disclosed herein is a method of forming low-resistance metal pattern, which can be used to obtain a metal pattern having stable and excellent characteristics by performing sensitization treatment using a copper compound before an activation treatment for forming uniform and dense metal cores, a patterned metal structure, and display devices using the same.

摘要翻译： 本文公开了一种形成低电阻金属图案的方法，其可用于通过在用于形成均匀且致密的金属芯的活化处理之前通过使用铜化合物进行敏化处理来获得具有稳定和优异特性的金属图案，图案化金属 结构和使用其的显示装置。

公开(公告)号：US20080223253A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US11833615

申请日：2007-08-03

申请人： Ki Yong SONG ,  Sung Hen CHO

发明人： Ki Yong SONG ,  Sung Hen CHO

IPC分类号： C09D1/00 ,  B05D1/18

CPC分类号： C09D1/00 ,  C23C18/40

摘要： Disclosed herein is an electroless copper plating solution, including a copper salt, a completing agent, a reductant and a pH adjuster, in which the plating solution includes a 2,2-dipyridyl acid solution and the hydrogen ion concentration (pH) thereof is about 11.5 to about 13.0, a method of producing the same, and an electroless copper plating method. According to the plating solution of the present invention, an electroless copper plating film having stable and improved adhesivity and low electrical resistance can be obtained. Further, display devices including a metal pattern formed with the electroless copper plating solution can improve the reliability and price competitiveness of products prepared therefrom.

摘要翻译： 本发明公开了一种化学镀铜溶液，其包括铜盐，完成剂，还原剂和pH调节剂，其中电镀液包含2,2-二吡啶基酸溶液，其氢离子浓度（pH）约为 11.5至约13.0，其制备方法和无电镀铜方法。 根据本发明的电镀液，可以获得具有稳定且改善的粘附性和低电阻的化学镀铜膜。 此外，包括由化学镀铜溶液形成的金属图案的显示装置可以提高由其制备的产品的可靠性和价格竞争力。

公开(公告)号：US20080314628A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12021698

申请日：2008-01-29

申请人： Ki Yong SONG ,  Sung-Hen CHO ,  Jun Hyuk MOON ,  Chang Oh JEONG ,  Hong Long NING

发明人： Ki Yong SONG ,  Sung-Hen CHO ,  Jun Hyuk MOON ,  Chang Oh JEONG ,  Hong Long NING

IPC分类号： H05K1/09 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2202/42 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H05K3/002 ,  H05K3/0041 ,  H05K3/048 ,  H05K3/107 ,  H05K3/184 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0166 ,  H05K2203/0565

摘要： Disclosed is a method of forming a metal pattern, the method comprising depositing a dielectric substrate on a supporting substrate; forming a latent mask pattern of a metal pattern on the dielectric substrate; etching the dielectric substrate exposed by the latent mask pattern; forming a seed layer on the supporting substrate by activating the supporting substrate; removing the latent mask pattern and the portion of the seed layer disposed on the latent mask pattern through a lift-off process; and plating a metal layer on the patterned seed layer.

摘要翻译： 公开了一种形成金属图案的方法，所述方法包括在支撑衬底上沉积电介质衬底; 在所述电介质基板上形成金属图案的潜像图案; 蚀刻由潜像图案曝光的电介质基片; 通过激活支撑衬底在支撑衬底上形成种子层; 通过剥离过程去除潜在掩模图案和设置在潜像图案上的种子层的部分; 并且在图案化种子层上镀覆金属层。

公开(公告)号：US20110168669A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US12843422

申请日：2010-07-26

申请人： Sung Hen CHO ,  Ki Yong SONG ,  Sang Eun PARK

发明人： Sung Hen CHO ,  Ki Yong SONG ,  Sang Eun PARK

IPC分类号： C23F1/00 ,  B05D1/18 ,  B05D1/00 ,  C23C16/00 ,  B05D5/00 ,  B05D3/02 ,  C25D5/02

CPC分类号： H05K3/048 ,  C23C18/1603 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/40 ,  C23C18/405 ,  H05K3/181 ,  H05K3/389 ,  Y10T428/12493

摘要： Disclosed herein is a method of preparing a low resistance metal line, in which a wet plating technique is used instead of a vacuum film forming process in order to simplify the process and decrease the manufacturing cost. In addition, a self-assembled monolayer is formed that facilitates the increased adsorption density and strength of the metal catalyst resulting in the formation of a high-density metal catalyst layer, thereby obtaining a high-quality metal line. Also disclosed herein, are a patterned metal line structure, and a display device using the same.

摘要翻译： 本文公开了一种制备低电阻金属线的方法，其中使用湿电镀技术代替真空成膜工艺，以简化工艺并降低制造成本。 此外，形成自组装单层，其有助于增加金属催化剂的吸附密度和强度，导致形成高密度金属催化剂层，从而获得高质量的金属线。 这里也公开了图案化的金属线结构，以及使用该结构的显示装置。

公开(公告)号：US20080268280A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US12018650

申请日：2008-01-23

申请人： Sung Hen CHO ,  Ki Yong SONG ,  Sang Eun PARK

发明人： Sung Hen CHO ,  Ki Yong SONG ,  Sang Eun PARK

IPC分类号： B32B15/04 ,  C23C16/00 ,  B05D3/12 ,  B05D1/32 ,  B05D1/36 ,  C25D5/02

CPC分类号： H05K3/048 ,  C23C18/1603 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/40 ,  C23C18/405 ,  H05K3/181 ,  H05K3/389 ,  Y10T428/12493

摘要： Disclosed herein is a method of preparing a low resistance metal line, in which a wet plating technique is used instead of a vacuum film forming process in order to simplify the process and decrease the manufacturing cost. In addition, a self-assembled monolayer is formed that facilitates the increased adsorption density and strength of the metal catalyst resulting in the formation of a high-density metal catalyst layer, thereby obtaining a high-quality metal line. Also disclosed herein, are a patterned metal line structure, and a display device using the same.

摘要翻译： 本文公开了一种制备低电阻金属线的方法，其中使用湿电镀技术代替真空成膜工艺，以简化工艺并降低制造成本。 此外，形成自组装单层，其有助于增加金属催化剂的吸附密度和强度，导致形成高密度金属催化剂层，从而获得高质量的金属线。 这里也公开了图案化的金属线结构，以及使用该结构的显示装置。