公开(公告)号：US20100148262A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12336702

申请日：2008-12-17

申请人： Knut Stahrenberg ,  Karl-Heinz Bach ,  Manfred Eller ,  Roland Hampp ,  Jin-Ping Han ,  O Sung Kwon

发明人： Knut Stahrenberg ,  Karl-Heinz Bach ,  Manfred Eller ,  Roland Hampp ,  Jin-Ping Han ,  O Sung Kwon

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01L27/0629

摘要： Resistors, semiconductor devices, and methods of manufacture thereof are disclosed. In one embodiment, a method of fabricating a resistor includes forming a semiconductive material over a workpiece, and patterning at least the semiconductive material, forming a gate of a transistor in a first region of the workpiece and forming a resistor in a second region of the workpiece. At least one substance is implanted into the semiconductive material of the gate of the transistor or the resistor so that the semiconductive material is different for the gate of the transistor and the resistor.

摘要翻译： 公开了电阻器，半导体器件及其制造方法。 在一个实施例中，制造电阻器的方法包括在工件上形成半导体材料，并且至少构图半导体材料，在工件的第一区域中形成晶体管的栅极，并在第二区域中形成电阻器 工件。 将至少一种物质注入到晶体管或电阻器的栅极的半导体材料中，使得半导体材料对于晶体管和电阻器的栅极是不同的。

公开(公告)号：US07795107B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US12552352

申请日：2009-09-02

申请人： Roland Hampp ,  Alois Gutmann ,  Jin-Ping Han ,  O Sung Kwon

发明人： Roland Hampp ,  Alois Gutmann ,  Jin-Ping Han ,  O Sung Kwon

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/823878 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7846

摘要： A trench is formed in the surface of a provided semiconductor body. An oxide is deposited in the trench and a cap is deposited on the oxide, wherein the combination of the cap and the oxide impart a mechanical stress on the semiconductor body.

摘要翻译： 在所提供的半导体本体的表面中形成沟槽。 在沟槽中沉积氧化物，并且在氧化物上沉积帽，其中帽和氧化物的组合在半导体本体上赋予机械应力。

公开(公告)号：US20090317957A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12552352

申请日：2009-09-02

申请人： Roland Hampp ,  Alois Gutmann ,  Jin-Ping Han ,  O Sung Kwon

发明人： Roland Hampp ,  Alois Gutmann ,  Jin-Ping Han ,  O Sung Kwon

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823878 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7846

摘要： A trench is formed in the surface of a provided semiconductor body. An oxide is deposited in the trench and a cap is deposited on the oxide, wherein the combination of the cap and the oxide impart a mechanical stress on the semiconductor body.

摘要翻译： 在所提供的半导体本体的表面中形成沟槽。 在沟槽中沉积氧化物，并且在氧化物上沉积帽，其中帽和氧化物的组合在半导体本体上赋予机械应力。

公开(公告)号：US20080315267A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US11766234

申请日：2007-06-21

申请人： Roland Hampp ,  Alois Gutmann ,  Jin-Ping Han ,  O Sung Kwon

发明人： Roland Hampp ,  Alois Gutmann ,  Jin-Ping Han ,  O Sung Kwon

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/823878 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7846

摘要： A trench is formed in the surface of a provided semiconductor body. An oxide is deposited in the trench and a cap is deposited on the oxide, wherein the combination of the cap and the oxide impart a mechanical stress on the semiconductor body.

摘要翻译： 在所提供的半导体本体的表面中形成沟槽。 在沟槽中沉积氧化物，并且在氧化物上沉积帽，其中帽和氧化物的组合在半导体本体上赋予机械应力。

公开(公告)号：US07615840B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US11766234

申请日：2007-06-21

申请人： Roland Hampp ,  Alois Gutmann ,  Jin-Ping Han ,  O Sung Kwon

发明人： Roland Hampp ,  Alois Gutmann ,  Jin-Ping Han ,  O Sung Kwon

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L21/823878 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7846

摘要： A trench is formed in the surface of a provided semiconductor body. An oxide is deposited in the trench and a cap is deposited on the oxide, wherein the combination of the cap and the oxide impart a mechanical stress on the semiconductor body.

摘要翻译： 在所提供的半导体本体的表面中形成沟槽。 在沟槽中沉积氧化物，并且在氧化物上沉积帽，其中帽和氧化物的组合在半导体本体上赋予机械应力。

公开(公告)号：US20080119025A1

公开(公告)日：2008-05-22

申请号：US11603276

申请日：2006-11-21

申请人： O Sung Kwon ,  Oh Jung Kwon ,  Jin-Ping Han ,  Henry Utomo

发明人： O Sung Kwon ,  Oh Jung Kwon ,  Jin-Ping Han ,  Henry Utomo

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

摘要： In a method of making a semiconductor device, a recess is formed in an upper surface of the semiconductor body of a first material. An embedded semiconductor region is formed in the recess. The embedded semiconductor region is formed from a second semiconductor material that is different than the first semiconductor material. An upper surface of the embedded semiconductor region is amorphized to create an amorphous region. A silicide is then formed over the amorphous region.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，在第一材料的半导体本体的上表面中形成凹部。 嵌入式半导体区域形成在凹部中。 嵌入式半导体区域由与第一半导体材料不同的第二半导体材料形成。 嵌入式半导体区域的上表面非晶化以产生非晶区域。 然后在无定形区域上形成硅化物。

公开(公告)号：US20080290370A1

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：US11804773

申请日：2007-05-21

申请人： Jin-Ping Han ,  Henry Utomo ,  O Sung Kwon ,  Oh Jung Kwon ,  Judson Robert Holt ,  Thomas N. Adam

发明人： Jin-Ping Han ,  Henry Utomo ,  O Sung Kwon ,  Oh Jung Kwon ,  Judson Robert Holt ,  Thomas N. Adam

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

摘要： Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof are disclosed. In a preferred embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device includes providing a workpiece, and forming a recess in the workpiece. The recess has a depth having a first dimension. A first semiconductive material is formed in the recess to partially fill the recess in a central region to a height having a second dimension. The second dimension is about one-half or greater of the first dimension. A second semiconductive material is formed over the first semiconductive material in the recess to completely fill the recess, the second semiconductive material being different than the first semiconductive material.

摘要翻译： 公开了半导体器件及其制造方法。 在优选实施例中，制造半导体器件的方法包括提供工件，并在工件中形成凹部。 凹部具有第一尺寸的深度。 在凹部中形成第一半导体材料以将中心区域中的凹部部分地填充到具有第二尺寸的高度。 第二维度约为第一维度的一半或更大。 第二半导体材料形成在凹部中的第一半导体材料上，以完全填充凹部，第二半导体材料不同于第一半导体材料。

公开(公告)号：US07737468B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US11804773

申请日：2007-05-21

申请人： Jin-Ping Han ,  Henry Utomo ,  O Sung Kwon ,  Oh Jung Kwon ,  Judson Robert Holt ,  Thomas N. Adam

发明人： Jin-Ping Han ,  Henry Utomo ,  O Sung Kwon ,  Oh Jung Kwon ,  Judson Robert Holt ,  Thomas N. Adam

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

摘要： Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof are disclosed. In a preferred embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device includes providing a workpiece, and forming a recess in the workpiece. The recess has a depth having a first dimension. A first semiconductive material is formed in the recess to partially fill the recess in a central region to a height having a second dimension. The second dimension is about one-half or greater of the first dimension. A second semiconductive material is formed over the first semiconductive material in the recess to completely fill the recess, the second semiconductive material being different than the first semiconductive material.

摘要翻译： 公开了半导体器件及其制造方法。 在优选实施例中，制造半导体器件的方法包括提供工件，并在工件中形成凹部。 凹部具有第一尺寸的深度。 在凹部中形成第一半导体材料以将中心区域中的凹部部分地填充到具有第二尺寸的高度。 第二维度约为第一维度的一半或更大。 第二半导体材料形成在凹部中的第一半导体材料上，以完全填充凹部，第二半导体材料不同于第一半导体材料。

公开(公告)号：US08266944B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US12478811

申请日：2009-06-05

申请人： Kee Hae Kwon ,  Il Jin Kim ,  Hyung Rang Moon ,  Jae Bum Park ,  Seong Ho Kong ,  O Sung Kwon

发明人： Kee Hae Kwon ,  Il Jin Kim ,  Hyung Rang Moon ,  Jae Bum Park ,  Seong Ho Kong ,  O Sung Kwon

IPC分类号： G01N3/56

CPC分类号： G01N3/46

摘要： Disclosed herein is a method for evaluating scratch resistance of a plastic resin comprising scratching a surface of a test sample of plastic resin using a scratch apparatus to form a scratch of the surface having a scratch profile; scanning the scratched test sample with a surface profile analysis apparatus to measure the scratch profile; and creating a scratch resistance evaluation index based on the measured scratch profile to evaluate the scratch resistance of the test sample. The method has good reliability and reproducibility, reduces measurement time and errors caused by measurers and measuring conditions, provides easy measurement and can be widely applied to all plastic resins.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于评价塑料树脂的耐刮擦性的方法，包括使用刮擦装置刮擦塑料树脂的测试样品的表面以形成具有划痕轮廓的表面的划痕; 用表面轮廓分析装置扫描划痕的测试样品以测量划痕; 以及基于所测量的刮擦轮廓来产生耐擦伤性评估指数，以评估测试样品的耐擦伤性。 该方法具有良好的可靠性和可重复性，减少测量时间和测量误差，测量条件，提供易于测量，可广泛应用于所有塑料树脂。

公开(公告)号：US08262939B2

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：US11477758

申请日：2006-06-29

申请人： Il Jin Kim ,  O Sung Kwon ,  Jae Bum Park

发明人： Il Jin Kim ,  O Sung Kwon ,  Jae Bum Park

IPC分类号： H01B1/00

CPC分类号： C08F8/42 ,  C08F292/00 ,  C08L51/10 ,  C08L55/02 ,  Y10T428/31663 ,  C08L2666/02 ,  C08L2666/24

摘要： A polymer composite material includes metal (oxide) nanoparticles chemically bonded to a vinyl polymer. Some embodiments may additionally comprise thermoplastic resin through which the nanoparticles and vinyl polymer are dispersed. In some embodiments, the composite materials have improved impact strength, tensile strength, heat resistance, and flexural modulus.

摘要翻译： 聚合物复合材料包括化学键合到乙烯基聚合物上的金属（氧化物）纳米颗粒。 一些实施方案可另外包含分散有纳米颗粒和乙烯基聚合物的热塑性树脂。 在一些实施方案中，复合材料具有改进的冲击强度，拉伸强度，耐热性和挠曲模量。