公开(公告)号：US07795107B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US12552352

申请日：2009-09-02

申请人： Roland Hampp ,  Alois Gutmann ,  Jin-Ping Han ,  O Sung Kwon

发明人： Roland Hampp ,  Alois Gutmann ,  Jin-Ping Han ,  O Sung Kwon

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/823878 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7846

摘要： A trench is formed in the surface of a provided semiconductor body. An oxide is deposited in the trench and a cap is deposited on the oxide, wherein the combination of the cap and the oxide impart a mechanical stress on the semiconductor body.

摘要翻译： 在所提供的半导体本体的表面中形成沟槽。 在沟槽中沉积氧化物，并且在氧化物上沉积帽，其中帽和氧化物的组合在半导体本体上赋予机械应力。

公开(公告)号：US20090317957A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12552352

申请日：2009-09-02

申请人： Roland Hampp ,  Alois Gutmann ,  Jin-Ping Han ,  O Sung Kwon

发明人： Roland Hampp ,  Alois Gutmann ,  Jin-Ping Han ,  O Sung Kwon

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823878 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7846

摘要： A trench is formed in the surface of a provided semiconductor body. An oxide is deposited in the trench and a cap is deposited on the oxide, wherein the combination of the cap and the oxide impart a mechanical stress on the semiconductor body.

摘要翻译： 在所提供的半导体本体的表面中形成沟槽。 在沟槽中沉积氧化物，并且在氧化物上沉积帽，其中帽和氧化物的组合在半导体本体上赋予机械应力。

公开(公告)号：US20080315267A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US11766234

申请日：2007-06-21

申请人： Roland Hampp ,  Alois Gutmann ,  Jin-Ping Han ,  O Sung Kwon

发明人： Roland Hampp ,  Alois Gutmann ,  Jin-Ping Han ,  O Sung Kwon

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/823878 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7846

摘要： A trench is formed in the surface of a provided semiconductor body. An oxide is deposited in the trench and a cap is deposited on the oxide, wherein the combination of the cap and the oxide impart a mechanical stress on the semiconductor body.

摘要翻译： 在所提供的半导体本体的表面中形成沟槽。 在沟槽中沉积氧化物，并且在氧化物上沉积帽，其中帽和氧化物的组合在半导体本体上赋予机械应力。

公开(公告)号：US07615840B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US11766234

申请日：2007-06-21

申请人： Roland Hampp ,  Alois Gutmann ,  Jin-Ping Han ,  O Sung Kwon

发明人： Roland Hampp ,  Alois Gutmann ,  Jin-Ping Han ,  O Sung Kwon

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L21/823878 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7846

摘要： A trench is formed in the surface of a provided semiconductor body. An oxide is deposited in the trench and a cap is deposited on the oxide, wherein the combination of the cap and the oxide impart a mechanical stress on the semiconductor body.

摘要翻译： 在所提供的半导体本体的表面中形成沟槽。 在沟槽中沉积氧化物，并且在氧化物上沉积帽，其中帽和氧化物的组合在半导体本体上赋予机械应力。

公开(公告)号：US07947606B2

公开(公告)日：2011-05-24

申请号：US12129479

申请日：2008-05-29

申请人： Jiang Yan ,  Roland Hampp ,  Jin-Ping Han ,  Manfred Eller ,  Alois Gutmann

发明人： Jiang Yan ,  Roland Hampp ,  Jin-Ping Han ,  Manfred Eller ,  Alois Gutmann

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76804 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming features and structures thereof are disclosed. In one embodiment, a method of forming a feature includes forming a first material over a workpiece, forming a first pattern for a lower portion of the feature in the first material, and filling the first pattern with a sacrificial material. A second material is formed over the first material and the sacrificial material, and a second pattern for an upper portion of the feature is formed in the second material. The sacrificial material is removed. The first pattern and the second pattern are filled with a third material.

摘要翻译： 公开了形成特征及其结构的方法。 在一个实施例中，形成特征的方法包括在工件上形成第一材料，形成用于第一材料中特征的下部的第一图案，以及用牺牲材料填充第一图案。 在第一材料和牺牲材料上形成第二材料，并且在第二材料中形成用于特征的上部的第二图案。 牺牲材料被去除。 第一图案和第二图案填充有第三材料。

公开(公告)号：US20090294986A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12129479

申请日：2008-05-29

申请人： Jiang Yan ,  Roland Hampp ,  Jin-Ping Han ,  Manfred Eller ,  Alois Gutmann

发明人： Jiang Yan ,  Roland Hampp ,  Jin-Ping Han ,  Manfred Eller ,  Alois Gutmann

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/76804 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming features and structures thereof are disclosed. In one embodiment, a method of forming a feature includes forming a first material over a workpiece, forming a first pattern for a lower portion of the feature in the first material, and filling the first pattern with a sacrificial material. A second material is formed over the first material and the sacrificial material, and a second pattern for an upper portion of the feature is formed in the second material. The sacrificial material is removed. The first pattern and the second pattern are filled with a third material.

摘要翻译： 公开了形成特征及其结构的方法。 在一个实施例中，形成特征的方法包括在工件上形成第一材料，形成用于第一材料中特征的下部的第一图案，以及用牺牲材料填充第一图案。 在第一材料和牺牲材料上形成第二材料，并且在第二材料中形成用于特征的上部的第二图案。 牺牲材料被去除。 第一图案和第二图案填充有第三材料。

公开(公告)号：US20110175148A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US13074888

申请日：2011-03-29

申请人： Jiang Yan ,  Roland Hampp ,  Jin-Ping Han ,  Manfred Eller ,  Alois Gutmann

发明人： Jiang Yan ,  Roland Hampp ,  Jin-Ping Han ,  Manfred Eller ,  Alois Gutmann

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L21/76804 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming features and structures thereof are disclosed. In one embodiment, a method of forming a feature includes forming a first material over a workpiece, forming a first pattern for a lower portion of the feature in the first material, and filling the first pattern with a sacrificial material. A second material is formed over the first material and the sacrificial material, and a second pattern for an upper portion of the feature is formed in the second material. The sacrificial material is removed. The first pattern and the second pattern are filled with a third material.

摘要翻译： 公开了形成特征及其结构的方法。 在一个实施例中，形成特征的方法包括在工件上形成第一材料，形成用于第一材料中特征的下部的第一图案，以及用牺牲材料填充第一图案。 在第一材料和牺牲材料上形成第二材料，并且在第二材料中形成用于特征的上部的第二图案。 牺牲材料被去除。 第一图案和第二图案填充有第三材料。

公开(公告)号：US08361879B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US12122849

申请日：2008-05-19

申请人： Alois Gutmann ,  Roland Hampp ,  Scott Jansen

发明人： Alois Gutmann ,  Roland Hampp ,  Scott Jansen

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L29/7846 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

摘要： Stress-inducing structures, methods, and materials are disclosed. In one embodiment, an isolation region includes an insulating material in a lower portion of a trench formed in a workpiece and a stress-inducing material disposed in a top portion of the trench over the insulating material.

摘要翻译： 公开了应力诱导结构，方法和材料。 在一个实施例中，隔离区域包括在工件中形成的沟槽的下部中的绝缘材料和设置在绝缘材料上方的沟槽顶部的应力诱导材料。

公开(公告)号：US20090283852A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：US12122849

申请日：2008-05-19

申请人： Alois Gutmann ,  Roland Hampp ,  Scott Jansen

发明人： Alois Gutmann ,  Roland Hampp ,  Scott Jansen

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L29/7846 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

摘要： Stress-inducing structures, methods, and materials are disclosed. In one embodiment, an isolation region includes an insulating material in a lower portion of a trench formed in a workpiece and a stress-inducing material disposed in a top portion of the trench over the insulating material.

摘要翻译： 公开了应力诱导结构，方法和材料。 在一个实施例中，隔离区域包括在工件中形成的沟槽的下部中的绝缘材料和设置在绝缘材料上方的沟槽顶部的应力诱导材料。

公开(公告)号：US20070249128A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11379285

申请日：2006-04-19

申请人： Junjung Kim ,  JaeEon Park ,  Johnny Widodo ,  Andre Schenk ,  Alois Gutmann ,  Roland Hampp

发明人： Junjung Kim ,  JaeEon Park ,  Johnny Widodo ,  Andre Schenk ,  Alois Gutmann ,  Roland Hampp

IPC分类号： H01L21/473

CPC分类号： H01L21/76825 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31612

摘要： Dielectric layers are formed on a substrate by performing Subatmospheric Chemical Vapor Deposition (SACVD) of ozone-tetraethoxysilane (O3-TEOS) to form a layer of O3-TEOS on the substrate, and treating the layer of O3-TEOS with ultraviolet (UV) radiation. The UV radiation treatment can increase the tensile stress in the O3-TEOS layer by reducing the amount of water in the layer. Moreover, the UV treatment may also reduce the amount of silanol in the O3-TEOS layer, which can also increase reliability of the device.

摘要翻译： 通过执行臭氧四乙氧基硅烷（O 3 3 -TEOS）的低气压化学气相沉积（SACVD）在基底上形成介电层，以形成一层O 3 3 -TEOS 底物，并用紫外线（UV）辐射处理O 3 -TEOS层。 UV辐射处理可以通过减少层中的水的量来增加O 3/3层的拉伸应力。 此外，紫外线处理也可以减少O 3 3 -TEOS层中的硅烷醇的量，这也可以提高装置的可靠性。