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    Semiconductor Memory Devices Including Support Patterns
    2.
    发明申请
    Semiconductor Memory Devices Including Support Patterns 有权
    包括支持模式的半导体存储器件

    公开(公告)号：US20120217560A1

    公开(公告)日：2012-08-30

    申请号：US13371127

    申请日：2012-02-10

    申请人： Kyungmun Byun ,  Hyongsoo Kim ,  Eunkee Hong ,  Mansug Kang

    发明人： Kyungmun Byun ,  Hyongsoo Kim ,  Eunkee Hong ,  Mansug Kang

    IPC分类号： H01L27/108

    CPC分类号： H01L27/10808 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

    摘要： A capacitor dielectric can be between the storage node and the electrode layer. A supporting pattern can be connected to the storage node, where the supporting pattern can include at least one first pattern and at least one second pattern layered on one another, where the first pattern can include a material having an etch selectivity with respect to the second pattern.

    摘要翻译： 电容器电介质可以在存储节点和电极层之间。 支撑图案可以连接到存储节点，其中支撑图案可以包括至少一个第一图案和彼此分层的至少一个第二图案，其中第一图案可以包括具有相对于第二图案的蚀刻选择性的材料 模式。

    Semiconductor devices and methods of fabricating the same
    3.
    发明授权
    Semiconductor devices and methods of fabricating the same 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08927389B2

    公开(公告)日：2015-01-06

    申请号：US13369476

    申请日：2012-02-09

    申请人： Kyungmun Byun ,  Byoungdeog Choi ,  Eunkee Hong ,  Mansug Kang

    发明人： Kyungmun Byun ,  Byoungdeog Choi ,  Eunkee Hong ,  Mansug Kang

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/94 ,  H01L21/762 ,  H01L27/115

    CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/945

    摘要： A method of fabricating a semiconductor device includes providing a substrate including a first region and a second region, forming a first trench having a first width in the first region and a second trench having a second width in the second region, and the second width is greater than the first width. The method also includes forming a first insulation layer in the first and second trenches, removing the first insulation layer in the second trench to form a first insulation pattern that includes the first insulation layer remaining in the first trench, forming on the substrate a second insulation layer that fills the second trench, and the second insulation layer includes a different material from the first insulation layer.

    摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括提供包括第一区域和第二区域的衬底，在第一区域中形成具有第一宽度的第一沟槽和在第二区域中具有第二宽度的第二沟槽，第二宽度为 大于第一宽度。 该方法还包括在第一沟槽和第二沟槽中形成第一绝缘层，去除第二沟槽中的第一绝缘层以形成第一绝缘图案，其包括残留在第一沟槽中的第一绝缘层，在衬底上形成第二绝缘层 层，其填充第二沟槽，并且第二绝缘层包括与第一绝缘层不同的材料。

    SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
    4.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20120252182A1

    公开(公告)日：2012-10-04

    申请号：US13369476

    申请日：2012-02-09

    申请人： Kyungmun BYUN ,  Byoungdeog Choi ,  Eunkee Hong ,  Mansug Kang

    发明人： Kyungmun BYUN ,  Byoungdeog Choi ,  Eunkee Hong ,  Mansug Kang

    IPC分类号： H01L21/8239

    CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/945

    摘要： A method of fabricating a semiconductor device includes providing a substrate including a first region and a second region, forming a first trench having a first width in the first region and a second trench having a second width in the second region, and the second width is greater than the first width. The method also includes forming a first insulation layer in the first and second trenches, removing the first insulation layer in the second trench to form a first insulation pattern that includes the first insulation layer remaining in the first trench, forming on the substrate a second insulation layer that fills the second trench, and the second insulation layer includes a different material from the first insulation layer.

    摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括提供包括第一区域和第二区域的衬底，在第一区域中形成具有第一宽度的第一沟槽和在第二区域中具有第二宽度的第二沟槽，第二宽度为 大于第一宽度。 该方法还包括在第一沟槽和第二沟槽中形成第一绝缘层，去除第二沟槽中的第一绝缘层以形成第一绝缘图案，其包括残留在第一沟槽中的第一绝缘层，在衬底上形成第二绝缘层 层，其填充第二沟槽，并且第二绝缘层包括与第一绝缘层不同的材料。

    METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE
    5.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20130095637A1

    公开(公告)日：2013-04-18

    申请号：US13586325

    申请日：2012-08-15

    申请人： Honggun KIM ,  Seung-Heon Lee ,  Mansug Kang ,  ByeongJu Bae ,  Eunkee Hong

    发明人： Honggun KIM ,  Seung-Heon Lee ,  Mansug Kang ,  ByeongJu Bae ,  Eunkee Hong

    IPC分类号： H01L21/762

    CPC分类号： H01L21/76229

    摘要： A method of fabricating a semiconductor device, the method including forming a mask layer on a semiconductor substrate; forming a trench in the semiconductor substrate using the mask layer as an etch mask; forming a first layer in the trench; and performing a first thermal treatment process on the first layer such that the first thermal treatment process is performed under an atmosphere that includes ozone and water vapor and transforms the first layer into a second layer.

    摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括在半导体衬底上形成掩模层; 在所述半导体衬底中使用所述掩模层作为蚀刻掩模形成沟槽; 在沟槽中形成第一层; 以及在所述第一层上进行第一热处理工艺，使得所述第一热处理工艺在包括臭氧和水蒸气的气氛下进行，并将所述第一层转化为第二层。

    Methods of fabricating a semiconductor device comprising a conformal interfacial layer
    6.
    发明授权
    Methods of fabricating a semiconductor device comprising a conformal interfacial layer 有权
    制造包括保形界面层的半导体器件的方法

    公开(公告)号：US08748263B2

    公开(公告)日：2014-06-10

    申请号：US13546518

    申请日：2012-07-11

    申请人： Honggun Kim ,  ByeongJu Bae ,  Seung-Heon Lee ,  Mansug Kang ,  Eunkee Hong

    发明人： Honggun Kim ,  ByeongJu Bae ,  Seung-Heon Lee ,  Mansug Kang ,  Eunkee Hong

    IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/02164 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894

    摘要： In a method of fabricating a semiconductor device, isolation structures are formed in a substrate to define active regions. Conductive structures are formed on the substrate to cross over at least two of the active regions and the isolation structures, the conductive structures extending in a first direction. An interfacial layer is conformally formed on the substrate in contact with the conductive structures. A first insulation layer is provided on the interfacial layer, wherein the first insulation layer is formed using a flowable chemical vapor deposition (CVD) process, and wherein the interfacial layer reduces a tensile stress generated at an interface between the conductive structures and the first insulation layer while the first insulation layer is formed.

    摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，隔离结构形成在衬底中以限定有源区。 导电结构形成在衬底上以交叉至少两个有源区和隔离结构，导电结构沿第一方向延伸。 在与导电结构接触的衬底上共形形成界面层。 第一绝缘层设置在界面层上，其中使用可流动化学气相沉积（CVD）工艺形成第一绝缘层，并且其中界面层减小在导电结构和第一绝缘体之间的界面处产生的拉伸应力 同时形成第一绝缘层。

    SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
    7.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20130052780A1

    公开(公告)日：2013-02-28

    申请号：US13546518

    申请日：2012-07-11

    申请人： Honggun Kim ,  ByeongJu Bae ,  Seung-Heon Lee ,  Mansug Kang ,  Eunkee Hong

    发明人： Honggun Kim ,  ByeongJu Bae ,  Seung-Heon Lee ,  Mansug Kang ,  Eunkee Hong

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/02164 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894

    摘要： In a method of fabricating a semiconductor device, isolation structures are formed in a substrate to define active regions. Conductive structures are formed on the substrate to cross over at least two of the active regions and the isolation structures, the conductive structures extending in a first direction. An interfacial layer is conformally formed on the substrate in contact with the conductive structures. A first insulation layer is provided on the interfacial layer, wherein the first insulation layer is formed using a flowable chemical vapor deposition (CVD) process, and wherein the interfacial layer reduces a tensile stress generated at an interface between the conductive structures and the first insulation layer while the first insulation layer is formed.

    摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，隔离结构形成在衬底中以限定有源区。 导电结构形成在衬底上以交叉至少两个有源区和隔离结构，导电结构沿第一方向延伸。 在与导电结构接触的衬底上共形形成界面层。 第一绝缘层设置在界面层上，其中使用可流动化学气相沉积（CVD）工艺形成第一绝缘层，并且其中界面层减小在导电结构和第一绝缘体之间的界面处产生的拉伸应力 同时形成第一绝缘层。

    Highly integrated semiconductor devices including capacitors
    8.
    发明授权
    Highly integrated semiconductor devices including capacitors 有权
    高度集成的半导体器件包括电容器

    公开(公告)号：US08614498B2

    公开(公告)日：2013-12-24

    申请号：US13360957

    申请日：2012-01-30

    申请人： Dongkyun Park ,  Mansug Kang

    发明人： Dongkyun Park ,  Mansug Kang

    IPC分类号： H01L29/92

    CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L28/91

    摘要： A capacitor of semiconductor device is provided including a lower electrode on a semiconductor substrate; a dielectric film covering a surface of the lower electrode; and an upper electrode covering the dielectric film. The lower electrode includes a first conductive pattern having a groove region defined by a bottom portion and a sidewall portion; and a first core support pattern disposed in the groove region of the first conductive pattern and exposing a portion of inner sidewall of the first conductive pattern. Related methods are also provided herein.

    摘要翻译： 提供一种半导体器件的电容器，其包括在半导体衬底上的下电极; 覆盖下电极的表面的电介质膜; 以及覆盖电介质膜的上电极。 下电极包括具有由底部和侧壁部分限定的沟槽区域的第一导电图案; 以及设置在所述第一导电图案的所述沟槽区域中并且暴露所述第一导电图案的内侧壁的一部分的第一芯支撑图案。 本文还提供了相关方法。