公开(公告)号：US20060185591A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11344854

申请日：2006-02-01

申请人： Lakshmipathy Muralidharan ,  Demetrius Sarigiannis ,  Patricia Hubbard ,  Marc Schaepkens ,  Atul Pant

发明人： Lakshmipathy Muralidharan ,  Demetrius Sarigiannis ,  Patricia Hubbard ,  Marc Schaepkens ,  Atul Pant

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/342 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4558

摘要： Embodiments for an apparatus and method for depositing one or more layers onto a substrate or a freestanding shape inside a reaction chamber operating at a temperature of at least 700° C. and 100 torr are provided. The apparatus is provided with a feeding system having injection means for differential pre-reactions and/or pre-treating of a plurality of gases or gas mixtures, tailoring the distribution of a plurality of gas-phase species, yielding a deposit that is substantially uniform in thickness and chemical composition along the substrate surface. In one embodiment, the apparatus further comprises a sacrificial substrate that further helps achieving thickness and chemical uniformity on the substrate, by imitating a continuous surface to deposit on and thus preventing any disturbances in the flow pattern especially towards the edge of the substrate.

摘要翻译： 提供了一种用于在至少700℃和100托的温度下操作的反应室内将一个或多个层沉积到基底或独立形状上的装置和方法的实施例。 该装置设置有具有用于差分预反应和/或预处理多种气体或气体混合物的注射装置的进料系统，调整多种气相物质的分布，产生基本均匀的沉积物 沿着基板表面的厚度和化学成分。 在一个实施例中，该设备还包括牺牲衬底，其进一步有助于实现衬底上的厚度和化学均匀性，通过模仿连续表面沉积在衬底上，从而防止流动图案中的任何干扰，特别是朝向衬底的边缘。

公开(公告)号：US20060165994A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US11175236

申请日：2005-07-06

申请人： George Dalakos ,  Toshiki Ebata ,  Patricia Hubbard ,  Charles Iacovangelo ,  Jeffrey Lennartz ,  Henry Marek ,  Yuji Morikawa ,  Xiang Liu

发明人： George Dalakos ,  Toshiki Ebata ,  Patricia Hubbard ,  Charles Iacovangelo ,  Jeffrey Lennartz ,  Henry Marek ,  Yuji Morikawa ,  Xiang Liu

IPC分类号： B32B9/00

CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/5063 ,  C04B41/52 ,  C04B41/87 ,  C04B41/89 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/22 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/513 ,  H01L21/68757 ,  Y10T428/30 ,  C04B41/4529 ,  C04B41/4531 ,  C04B41/5064 ,  C04B41/5057 ,  C04B41/522 ,  C04B35/522 ,  C04B35/583

摘要： Disclosed herein is a crack-free protective coating comprising at least one of aluminum nitride, aluminum oxide, aluminum oxynitride or combinations thereof. Disclosed herein too is a method for making an article comprising disposing a protective coating comprising at least one of aluminum nitride, aluminum oxide, aluminum oxynitride or combinations thereof upon a substrate comprising pyrolytic boron nitride, pyrolytic graphite and/or carbon doped boron nitride.

摘要翻译： 本文公开了包含氮化铝，氧化铝，氮氧化铝或其组合中的至少一种的无裂纹保护涂层。 本文还公开了一种制造制品的方法，包括将包含氮化铝，氧化铝，氮氧化铝或其组合中的至少一种的保护涂层设置在包含热解氮化硼，热解石墨和/或掺碳氮化硼的基板上。

公开(公告)号：US20070237668A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：US11699140

申请日：2007-01-29

申请人： Sergio Martins Loureiro ,  Venkat Venkataramani ,  Lucas Clarke ,  Kevin McEvoy ,  Carl Vess ,  Thomas McNulty ,  Steven Duclos ,  Adrian Ivan ,  Patricia Hubbard

发明人： Sergio Martins Loureiro ,  Venkat Venkataramani ,  Lucas Clarke ,  Kevin McEvoy ,  Carl Vess ,  Thomas McNulty ,  Steven Duclos ,  Adrian Ivan ,  Patricia Hubbard

IPC分类号： B23K20/00 ,  G01T1/00

CPC分类号： G01T1/202 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/5152 ,  C04B35/553 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2235/9661 ,  C09K11/616 ,  C09K11/7772 ,  G21K4/00

摘要： A method of making a cubic halide scintillator material includes pressing a powder mixture of cubic halide and at least one activator under conditions of pressure, temperature, residence time and particle size effective to provide a polycrystalline sintered cubic halide scintillator having a pulse height resolution of from about 7% to about 20%. The conditions include a temperature ranging from about ambient temperature up to about 90% of the melting point of the cubic halide, a pressure of from about 30,000 psi to about 200,000 psi, a pressing residence time of from about 5 minutes to about 120 minutes and an average cubic halide particle size of from about 60 micrometers to about 275 micrometers.

摘要翻译： 制备立方体卤化物闪烁体材料的方法包括在有压力，温度，停留时间和粒度的条件下压制立方卤化物和至少一种活化剂的粉末混合物，以提供具有脉冲高度分辨率的多晶烧结立方体卤化物闪烁体 约7％至约20％。 条件包括温度范围为约室温至立方卤化物熔点的约90％，压力为约30,000psi至约200,000psi，约5分钟至约120分钟的按压停留时间，以及 平均立方体卤化物粒度为约60微米至约275微米。