公开(公告)号：US20120218533A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13403538

申请日：2012-02-23

申请人： Irina LYULINA ,  Hubertus Johannes Gertrudus Simons ,  Manfred Gawein Tenner ,  Pieter Jacob Heres ,  Marc Van Kemenade ,  Daan Maurits Slotboom ,  Stefan Cornelis Theodorus Van Der Sanden

发明人： Irina LYULINA ,  Hubertus Johannes Gertrudus Simons ,  Manfred Gawein Tenner ,  Pieter Jacob Heres ,  Marc Van Kemenade ,  Daan Maurits Slotboom ,  Stefan Cornelis Theodorus Van Der Sanden

IPC分类号： G03B27/53 ,  G06F17/10

CPC分类号： G03F9/7003 ,  G03F9/7046

摘要： Estimating model parameters of a lithographic apparatus and controlling lithographic processing by a lithographic apparatus includes performing an exposure using a lithographic apparatus projecting a pattern onto a wafer. A set of predetermined wafer measurement locations is measured. Predetermined and measured locations of the marks are used to generate radial basis functions. Model parameters of said substrate are calculated using the generated radial basis functions as a basis function across said substrate. Finally, the estimated model parameters are used to control the lithographic apparatus in order to expose the substrate.

摘要翻译： 估计光刻设备的模型参数并通过光刻设备控制光刻处理包括使用将图案投影到晶片上的光刻设备进行曝光。 测量一组预定的晶片测量位置。 标记的预定和测量位置用于产生径向基函数。 使用生成的径向基函数作为跨越所述基板的基函数来计算所述基板的模型参数。 最后，使用估计的模型参数来控制光刻设备以暴露衬底。

公开(公告)号：US08711329B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US13042972

申请日：2011-03-08

申请人： Marc Van Kemenade

发明人： Marc Van Kemenade

IPC分类号： G03B27/42 ,  G03B27/32 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F7/705 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70633 ,  G03F9/7003

摘要： A lithographic apparatus and method are used for manufacturing a device. A projection system is configured to project a patterned radiation beam onto a target portion of the substrate. A Higher Order Wafer Alignment (HOWA) model is applied so as to model higher order distortions across the substrate. The model is applied using at least one input parameter for which at least one intra-field effect has been taken into account. In an example, the intra-field effect taken into account is the ScanUp-ScanDown effect and/or the ScanLeft-ScanRight effect.

摘要翻译： 光刻设备和方法用于制造器件。 投影系统被配置为将图案化的辐射束投影到基板的目标部分上。 应用更高阶的晶圆对准（HOWA）模型，以便模拟跨越衬底的高阶失真。 使用至少一个已经考虑了至少一个场内效应的输入参数来应用该模型。 在一个例子中，考虑到的场内效果是ScanUp-ScanDown效果和/或ScanLeft-ScanRight效果。

公开(公告)号：US20120057142A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：US13042972

申请日：2011-03-08

申请人： Marc Van Kemenade

发明人： Marc Van Kemenade

IPC分类号： G03B27/54

CPC分类号： G03F7/705 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70633 ,  G03F9/7003

摘要： A lithographic apparatus and method are used for manufacturing a device. A projection system is configured to project a patterned radiation beam onto a target portion of the substrate. A Higher Order Wafer Alignment (HOWA) model is applied so as to model higher order distortions across the substrate. The model is applied using at least one input parameter for which at least one intra-field effect has been taken into account. In an example, the intra-field effect taken into account is the ScanUp-ScanDown effect and/or the ScanLeft-ScanRight effect.

摘要翻译： 光刻设备和方法用于制造器件。 投影系统被配置为将图案化的辐射束投影到基板的目标部分上。 应用更高阶晶片对准（HOWA）模型，以便模拟跨衬底的高阶失真。 使用至少一个已经考虑了至少一个场内效应的输入参数来应用该模型。 在一个例子中，考虑到的场内效果是ScanUp-ScanDown效果和/或ScanLeft-ScanRight效果。

公开(公告)号：US20100123886A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12621143

申请日：2009-11-18

申请人： Franciscus Godefridus Casper BIJNEN ,  Jozef Cornelis Antonius Roijers ,  Patrick Warnaar ,  Marc Van Kemenade ,  Hoite Pieter Theodoor Tolsma

发明人： Franciscus Godefridus Casper BIJNEN ,  Jozef Cornelis Antonius Roijers ,  Patrick Warnaar ,  Marc Van Kemenade ,  Hoite Pieter Theodoor Tolsma

IPC分类号： G03B27/42 ,  G03B27/32

CPC分类号： G03F9/7049 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/7084

摘要： A method for manufacturing a device includes providing a substrate, the substrate including a plurality of exposure fields, each exposure field including one or more target portions and at least one mark structure, the mark structure being arranged as positional mark for the exposure field; scanning and measuring the mark of each exposure field to obtain alignment information for the respective exposure field; determining an absolute position of each exposure field from the alignment information for the respective exposure field; determining a relative position of each exposure field with respect to at least one other exposure field by use of additional information on the relative parameters of the exposure field and the at least one other exposure field relative to each other; and combining the absolute positions and the determined relative positions into improved absolute positions for each of the plurality of exposure fields.

摘要翻译： 一种制造器件的方法包括：提供衬底，所述衬底包括多个曝光场，每个曝光场包括一个或多个目标部分和至少一个标记结构，所述标记结构被布置为所述曝光场的位置标记; 扫描和测量每个曝光场的标记以获得相应曝光场的对准信息; 根据相应曝光场的对准信息确定每个曝光场的绝对位置; 通过使用关于相对于彼此的曝光场和至少一个其他曝光场的相对参数的附加信息来确定每个曝光场相对于至少一个其它曝光场的相对位置; 以及将所述绝对位置和所确定的相对位置组合为所述多个曝光场中的每一个的改进的绝对位置。

公开(公告)号：US08908152B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US12621143

申请日：2009-11-18

申请人： Franciscus Godefridus Casper Bijnen ,  Jozef Cornelis Antonius Roijers ,  Patrick Warnaar ,  Marc Van Kemenade ,  Hoite Pieter Theodoor Tolsma

发明人： Franciscus Godefridus Casper Bijnen ,  Jozef Cornelis Antonius Roijers ,  Patrick Warnaar ,  Marc Van Kemenade ,  Hoite Pieter Theodoor Tolsma

IPC分类号： G03B27/32 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F9/7049 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/7084

摘要： A method for manufacturing a device includes providing a substrate, the substrate including a plurality of exposure fields, each exposure field including one or more target portions and at least one mark structure, the mark structure being arranged as positional mark for the exposure field; scanning and measuring the mark of each exposure field to obtain alignment information for the respective exposure field; determining an absolute position of each exposure field from the alignment information for the respective exposure field; determining a relative position of each exposure field with respect to at least one other exposure field by use of additional information on the relative parameters of the exposure field and the at least one other exposure field relative to each other; and combining the absolute positions and the determined relative positions into improved absolute positions for each of the plurality of exposure fields.

摘要翻译： 一种制造器件的方法包括：提供衬底，所述衬底包括多个曝光场，每个曝光场包括一个或多个目标部分和至少一个标记结构，所述标记结构被布置为所述曝光场的位置标记; 扫描和测量每个曝光场的标记以获得相应曝光场的对准信息; 根据相应曝光场的对准信息确定每个曝光场的绝对位置; 通过使用关于相对于彼此的曝光场和至少一个其他曝光场的相对参数的附加信息来确定每个曝光场相对于至少一个其它曝光场的相对位置; 以及将所述绝对位置和所确定的相对位置组合为所述多个曝光场中的每一个的改进的绝对位置。

公开(公告)号：US08208121B2

公开(公告)日：2012-06-26

申请号：US12363320

申请日：2009-01-30

申请人： Franciscus Godefridus Casper Bijnen ,  Manfred Gawein Tenner ,  Patrick Warnaar ,  Marc Van Kemenade

发明人： Franciscus Godefridus Casper Bijnen ,  Manfred Gawein Tenner ,  Patrick Warnaar ,  Marc Van Kemenade

IPC分类号： G03B27/42 ,  G03B27/58

CPC分类号： G03B27/32 ,  G03F9/7076

摘要： An alignment mark comprising a periodic structure formed by mark lines is described. In an embodiment, the alignment mark is formed in a scribe lane of a substrate, the scribe lane extending in a scribe lane direction. The alignment mark includes: a first area including a first periodic structure formed by first mark lines extending in a first direction, the first direction being at a first angle α with respect to the scribe lane direction: 0°

摘要翻译： 描述包括由标记线形成的周期性结构的对准标记。 在一个实施例中，对准标记形成在基板的划线中，刻划线在划线方向延伸。 对准标记包括：第一区域，包括由第一方向延伸的第一标记线形成的第一周期性结构，第一方向相对于划线方向为第一角度α：0°<α<90°， 第二区域包括由沿第二方向延伸的第二标记线形成的第二周期性结构，第二方向为第二角度＆amp; bgr; 相对于划线方向：-90°＆nlE;＆bgr; <0°。

公开(公告)号：US20090195768A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12363320

申请日：2009-01-30

申请人： Franciscus Godefridus Casper Bijnen ,  Manfred Gawein Tenner ,  Patrick Warnaar ,  Marc Van Kemenade

发明人： Franciscus Godefridus Casper Bijnen ,  Manfred Gawein Tenner ,  Patrick Warnaar ,  Marc Van Kemenade

IPC分类号： G01B11/00 ,  G03B27/32

CPC分类号： G03B27/32 ,  G03F9/7076

摘要： An alignment mark comprising a periodic structure formed by mark lines is described. In an embodiment, the alignment mark is formed in a scribe lane of a substrate, the scribe lane extending in a scribe lane direction. The alignment mark includes: a first area including a first periodic structure formed by first mark lines extending in a first direction, the first direction being at a first angle α with respect to the scribe lane direction: 0°

摘要翻译： 描述包括由标记线形成的周期性结构的对准标记。 在一个实施例中，对准标记形成在基板的划线中，刻划线在划线方向延伸。 对准标记包括：第一区域，包括由沿第一方向延伸的第一标记线形成的第一周期性结构，第一方向相对于划线方向为第一角度α：0°<α<90°， 第二区域包括由沿第二方向延伸的第二标记线形成的第二周期性结构，第二方向相对于划线方向为第二角度β：-90°<=β<0°。