公开(公告)号：US20050074689A1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：US10679782

申请日：2003-10-06

申请人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Scooriyakumaren

发明人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Scooriyakumaren

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0754 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an Si-containing polymer having pendant chromophore moieties are useful antireflective coating/hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions are especially useful in lithographic processes used to configure underlying material layers on a substrate, especially metal or semiconductor layers.

摘要翻译： 特征在于存在具有侧生发色团部分的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻工艺中有用的抗反射涂层/硬掩模组合物。 这些组合物提供突出的光学，机械和蚀刻选择性，同时适用于使用旋涂应用技术。 所述组合物在用于在基材上，尤其是金属或半导体层上配置下层材料层的光刻工艺中特别有用。

公开(公告)号：US20060058489A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US11263430

申请日：2005-10-31

申请人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyekumaren

发明人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyekumaren

IPC分类号： C08G77/26

CPC分类号： G03F7/0754 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an Si-containing polymer having pendant chromophore moieties are useful antireflective coating/hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions are especially useful in lithographic processes used to configure underlying material layers on a substrate, especially metal or semiconductor layers.

摘要翻译： 特征在于存在具有侧生发色团部分的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻工艺中有用的抗反射涂层/硬掩模组合物。 这些组合物提供突出的光学，机械和蚀刻选择性，同时适用于使用旋涂应用技术。 所述组合物在用于在基材上，尤其是金属或半导体层上配置下层材料层的光刻工艺中特别有用。

公开(公告)号：US07276327B2

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：US11263430

申请日：2005-10-31

申请人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyekumaren

发明人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyekumaren

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36 ,  G03C1/825

CPC分类号： G03F7/0754 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an Si-containing polymer having pendant chromophore moieties are useful antireflective coating/hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions are especially useful in lithographic processes used to configure underlying material layers on a substrate, especially metal or semiconductor layers.

摘要翻译： 特征在于存在具有侧生发色团部分的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻工艺中有用的抗反射涂层/硬掩模组合物。 这些组合物提供突出的光学，机械和蚀刻选择性，同时适用于使用旋涂应用技术。 所述组合物在用于在基材上，尤其是金属或半导体层上配置下层材料层的光刻工艺中特别有用。

公开(公告)号：US07270931B2

公开(公告)日：2007-09-18

申请号：US10679782

申请日：2003-10-06

申请人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03C1/73 ,  G03C1/825 ,  G03C1/835

CPC分类号： G03F7/0754 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an Si-containing polymer having pendant chromophore moieties are useful antireflective coating/hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions are especially useful in lithographic processes used to configure underlying material layers on a substrate, especially metal or semiconductor layers.

摘要翻译： 特征在于存在具有侧生发色团部分的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻工艺中有用的抗反射涂层/硬掩模组合物。 这些组合物提供突出的光学，机械和蚀刻选择性，同时适用于使用旋涂应用技术。 所述组合物在用于在基材上，尤其是金属或半导体层上配置下层材料层的光刻工艺中特别有用。

公开(公告)号：US07901864B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US10948826

申请日：2004-09-23

申请人： Wu-Song Huang ,  Marie Angelopoulos ,  Timothy A. Brunner ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Wu-Song Huang ,  Marie Angelopoulos ,  Timothy A. Brunner ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03C1/00 ,  H01L21/00 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F7/0755 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392

摘要： A radiation-sensitive composition (and method of fabricating a device using the composition) includes a nonpolymeric silsesquioxane including at least one acid labile moiety, a polymer including at least one member selected from the group consisting of an aqueous base soluble moiety and an acid labile moiety, and a radiation-sensitive acid generator. Another radiation-senstive composition (and method of fabricating a device using the composition) includes a nonpolymerc silsesquioxane including at least one aqueous base soluble moiety, a polymer including an aqueous base soluble moiety, a crosslinker, and a radiation-sensitive acid generator.

摘要翻译： 辐射敏感性组合物（以及使用该组合物制造器件的方法）包括非聚合倍半硅氧烷，其包含至少一种酸不稳定部分，包含至少一种选自碱性水溶性部分和酸不稳定性的成员的聚合物 部分和辐射敏感性酸产生剂。 另一种辐射敏感组合物（以及使用该组合物制造器件的方法）包括非聚合物倍半硅氧烷，其包括至少一种水溶性基团可溶部分，包含水溶性基团可溶部分的聚合物，交联剂和辐射敏感性酸发生剂。

公开(公告)号：US06730454B2

公开(公告)日：2004-05-04

申请号：US10124087

申请日：2002-04-16

申请人： Dirk Pfeiffer ,  Marie Angelopoulos ,  Katherina Babich ,  Phillip Brock ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Dirk Pfeiffer ,  Marie Angelopoulos ,  Katherina Babich ,  Phillip Brock ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F700

CPC分类号： H01L21/0276 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/151

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an SiO-containing polymer having chromophore moieties and transparent moieties are useful antireflective hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions of the invention are advantageously useful with shorter wavelength lithographic processes and/or have minimal residual acid content.

摘要翻译： 存在具有发色团部分和透明部分的含SiO聚合物的抗反射组合物是光刻工艺中有用的抗反射硬掩模组​​合物。 这些组合物提供突出的光学，机械和蚀刻选择性，同时适用于使用旋涂应用技术。 本发明的组合物有利地用于较短波长的光刻工艺和/或具有最小的残留酸含量。

公开(公告)号：US20060063103A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US10948826

申请日：2004-09-23

申请人： Wu-Song Huang ,  Marie Angelopoulos ,  Timothy Brunner ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Wu-Song Huang ,  Marie Angelopoulos ,  Timothy Brunner ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/0755 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392

摘要： A radiation-sensitive composition (and method of fabricating a device using the composition) includes a nonpolymeric silsesquioxane including at least one acid labile moiety, a polymer including at least one member selected from the group consisting of an aqueous base soluble moiety and an acid labile moiety, and a radiation-sensitive acid generator. Another radiation-senstive composition (and method of fabricating a device using the composition) includes a nonpolymerc silsesquioxane including at least one aqueous base soluble moiety, a polymer including an aqueous base soluble moiety, a crosslinker, and a radiation-sensitive acid generator.

摘要翻译： 辐射敏感性组合物（以及使用该组合物制造器件的方法）包括非聚合倍半硅氧烷，其包含至少一种酸不稳定部分，包含至少一种选自碱性水溶性部分和酸不稳定性的成员的聚合物 部分和辐射敏感性酸产生剂。 另一种辐射敏感组合物（以及使用该组合物制造器件的方法）包括非聚合物倍半硅氧烷，包括至少一种水溶性基团可溶部分，包含碱性水溶性部分的聚合物，交联剂和辐射敏感性酸产生剂。

公开(公告)号：US20130017486A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：US13617634

申请日：2012-09-14

申请人： Marie Angelopoulos ,  Katherina E. Babich ,  Sean D. Burns ,  Allen H. Gabor ,  Scott D. Halle ,  Arpan P. Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer

发明人： Marie Angelopoulos ,  Katherina E. Babich ,  Sean D. Burns ,  Allen H. Gabor ,  Scott D. Halle ,  Arpan P. Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer

IPC分类号： G03F7/004 ,  B32B7/02 ,  B32B27/06 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/0757 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/31663

摘要： A lithographic structure comprising: an organic antireflective material disposed on a substrate, and a silicon antireflective material disposed on the organic antireflective material. The silicon antireflective material comprises a crosslinked polymer with a SiOx backbone, a chromophore, and a transparent organic group that is substantially transparent to 193 nm or 157 nm radiation. In combination, the organic antireflective material and the silicon antireflective material provide an antireflective material suitable for deep ultraviolet lithography. The invention is also directed to a process of making the lithographic structure.

摘要翻译： 一种光刻结构，包括：设置在基板上的有机抗反射材料和设置在有机抗反射材料上的硅抗反射材料。 硅抗反射材料包括具有SiO x主链，发色团和对193nm或157nm辐射基本上透明的透明有机基团的交联聚合物。 组合地，有机抗反射材料和硅抗反射材料提供适用于深紫外光刻的抗反射材料。 本发明还涉及制备光刻结构的方法。

公开(公告)号：US08293454B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12199253

申请日：2008-11-18

申请人： Marie Angelopoulos ,  Katherina E. Babich ,  Sean D. Burns ,  Allen H. Gabor ,  Scott D. Halle ,  Arpan P. Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer

发明人： Marie Angelopoulos ,  Katherina E. Babich ,  Sean D. Burns ,  Allen H. Gabor ,  Scott D. Halle ,  Arpan P. Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer

IPC分类号： B32B9/04 ,  G03F7/075

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/0757 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/31663

摘要： A lithographic structure comprising: an organic antireflective material disposed on a substrate; and a silicon antireflective material disposed on the organic antireflective material. The silicon antireflective material comprises a crosslinked polymer with a SiOx backbone, a chromophore, and a transparent organic group that is substantially transparent to 193 nm or 157 nm radiation. In combination, the organic antireflective material and the silicon antireflective material provide an antireflective material suitable for deep ultraviolet lithography. The invention is also directed to a process of making the lithographic structure.

摘要翻译： 一种光刻结构，包括：设置在基板上的有机抗反射材料; 以及设置在有机抗反射材料上的硅抗反射材料。 硅抗反射材料包括具有SiO x主链，发色团和对193nm或157nm辐射基本透明的透明有机基团的交联聚合物。 组合地，有机抗反射材料和硅抗反射材料提供适用于深紫外光刻的抗反射材料。 本发明还涉及制备光刻结构的方法。

公开(公告)号：US20050112382A1

公开(公告)日：2005-05-26

申请号：US10721302

申请日：2003-11-24

申请人： Robert Allen ,  Wu-Song Huang ,  Mahmoud Khojasteh ,  Qinghuang Lin ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa Truong

发明人： Robert Allen ,  Wu-Song Huang ,  Mahmoud Khojasteh ,  Qinghuang Lin ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa Truong

IPC分类号： B32B25/20 ,  C07F7/21 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075

CPC分类号： C07F7/21 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0755 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/127 ,  Y10T428/31663

摘要： A nonpolymeric silsesquioxane is provided wherein at least one silicon atom of the silsesquioxane is directly or indirectly bound to an acid-cleavable substituent RCL. The silsesquioxane has a glass transition temperature Tg of greater than 50° C, and the RCL substituent can be cleaved from the silsesquioxane at a temperature below Tg, generally at least 5° C. below Tg. The remainder of the silicon atoms within the silsesquioxane structure may be bound to additional acid-cleavable groups, acid-inert polar groups RP, and/or acid-inert nonpolar groups RNP. The nonpolymeric silsesquioxane can be a polyhedral silsesquioxane optionally having one to three open vertices, such that the polyhedron appears to be a “partial cage” structure, or a macromer of two to four such polyhedral silsesquioxanes. Photoresist compositions containing the novel nonpolymeric silsesquioxanes are also provided, as is a method for using the compositions in preparing a patterned substrate.

摘要翻译： 提供了一种非聚合倍半硅氧烷，其中倍半硅氧烷的至少一个硅原子直接或间接地结合到酸可裂解的取代基R CL上。 倍半硅氧烷的玻璃化转变温度T 大于50℃，R CL取代基可以在低于T T的温度下从倍半硅氧烷中裂解 通常在T T以下至少5℃。 倍半硅氧烷结构中的剩余硅原子可以与另外的酸可裂解基团，酸惰性极性基团R和P和/或酸惰性非极性基团R SUP>。 非聚合倍半硅氧烷可以是任选具有一至三个开放顶点的多面体倍半硅氧烷，使得多面体看起来是“部分笼”结构，或两至四个这样的多面体倍半硅氧烷的大分子单体。 还提供了含有新型非聚合倍半硅氧烷的光致抗蚀剂组合物，以及在制备图案化基材时使用该组合物的方法。