公开(公告)号：US07270931B2

公开(公告)日：2007-09-18

申请号：US10679782

申请日：2003-10-06

申请人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03C1/73 ,  G03C1/825 ,  G03C1/835

CPC分类号： G03F7/0754 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an Si-containing polymer having pendant chromophore moieties are useful antireflective coating/hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions are especially useful in lithographic processes used to configure underlying material layers on a substrate, especially metal or semiconductor layers.

摘要翻译： 特征在于存在具有侧生发色团部分的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻工艺中有用的抗反射涂层/硬掩模组合物。 这些组合物提供突出的光学，机械和蚀刻选择性，同时适用于使用旋涂应用技术。 所述组合物在用于在基材上，尤其是金属或半导体层上配置下层材料层的光刻工艺中特别有用。

公开(公告)号：US07276327B2

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：US11263430

申请日：2005-10-31

申请人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyekumaren

发明人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyekumaren

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36 ,  G03C1/825

CPC分类号： G03F7/0754 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an Si-containing polymer having pendant chromophore moieties are useful antireflective coating/hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions are especially useful in lithographic processes used to configure underlying material layers on a substrate, especially metal or semiconductor layers.

摘要翻译： 特征在于存在具有侧生发色团部分的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻工艺中有用的抗反射涂层/硬掩模组合物。 这些组合物提供突出的光学，机械和蚀刻选择性，同时适用于使用旋涂应用技术。 所述组合物在用于在基材上，尤其是金属或半导体层上配置下层材料层的光刻工艺中特别有用。

公开(公告)号：US20060058489A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US11263430

申请日：2005-10-31

申请人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyekumaren

发明人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyekumaren

IPC分类号： C08G77/26

CPC分类号： G03F7/0754 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an Si-containing polymer having pendant chromophore moieties are useful antireflective coating/hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions are especially useful in lithographic processes used to configure underlying material layers on a substrate, especially metal or semiconductor layers.

摘要翻译： 特征在于存在具有侧生发色团部分的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻工艺中有用的抗反射涂层/硬掩模组合物。 这些组合物提供突出的光学，机械和蚀刻选择性，同时适用于使用旋涂应用技术。 所述组合物在用于在基材上，尤其是金属或半导体层上配置下层材料层的光刻工艺中特别有用。

公开(公告)号：US20050074689A1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：US10679782

申请日：2003-10-06

申请人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Scooriyakumaren

发明人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Scooriyakumaren

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0754 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an Si-containing polymer having pendant chromophore moieties are useful antireflective coating/hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions are especially useful in lithographic processes used to configure underlying material layers on a substrate, especially metal or semiconductor layers.

摘要翻译： 特征在于存在具有侧生发色团部分的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻工艺中有用的抗反射涂层/硬掩模组合物。 这些组合物提供突出的光学，机械和蚀刻选择性，同时适用于使用旋涂应用技术。 所述组合物在用于在基材上，尤其是金属或半导体层上配置下层材料层的光刻工艺中特别有用。

公开(公告)号：US20060127800A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US10537259

申请日：2002-12-05

申请人： Wu-Song Huang ,  Wenjie Li ,  Wayne Moreau ,  David Medeiros ,  Karen Petrillo ,  Robert Lang ,  Marie Angelopoulos

发明人： Wu-Song Huang ,  Wenjie Li ,  Wayne Moreau ,  David Medeiros ,  Karen Petrillo ,  Robert Lang ,  Marie Angelopoulos

IPC分类号： G03C1/76

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0392

摘要： The resist compositions having an acid sensitive imaging polymer and a radiation sensitive acid generator component comprising: (i) a first radiation sensitive acid generator selected from the group consisting of dissolution-inhibiting acid generators, and (ii) a second radiation sensitive acid generator selected from the group consisting of unprotected acidic group-functionalized acid generators and acid labile group-protected acidic group-functionalized radiation sensitive acid generators; enables formation of high sensitivity resists suitable for use in EPL, EUV, soft x-ray, and other low energy intensity lithographic imaging applications. The resist compositions may be useful in other lithographic processes as well.

摘要翻译： 具有酸敏感成像聚合物和辐射敏感性酸产生剂组分的抗蚀剂组合物包含：（i）选自溶解抑制酸产生剂的第一辐射敏感性酸产生剂，和（ii）选择的第二辐射敏感酸产生剂 由不受保护的酸性官能化酸产生剂和酸不稳定基团保护的酸性官能化辐射敏感酸发生剂组成的组; 能够形成适用于EPL，EUV，软X射线和其他低能量光刻成像应用的高灵敏度抗蚀剂。 抗蚀剂组合物也可用于其它平版印刷工艺。

公开(公告)号：US07314700B2

公开(公告)日：2008-01-01

申请号：US10537259

申请日：2002-12-05

申请人： Wu-Song Huang ,  Wenjie Li ,  Wayne Moreau ,  David R. Medeiros ,  Karen E. Petrillo ,  Robert N. Lang ,  Marie Angelopoulos

发明人： Wu-Song Huang ,  Wenjie Li ,  Wayne Moreau ,  David R. Medeiros ,  Karen E. Petrillo ,  Robert N. Lang ,  Marie Angelopoulos

IPC分类号： G03C1/492 ,  G03C1/494 ,  G03C1/76 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0392

摘要： The resist compositions having an acid sensitive imaging polymer and a radiation sensitive acid generator component comprising: (i) a first radiation sensitive acid generator selected from the group consisting of dissolution-inhibiting acid generators, and (ii) a second radiation sensitive acid generator selected from the group consisting of unprotected acidic group-functionalized acid generators and acid labile group-protected acidic group-functionalized radiation sensitive acid generators; enables formation of high sensitivity resists suitable for use in EPL, EUV, soft x-ray, and other low energy intensity lithographic imaging applications. The resist compositions may be useful in other lithographic processes as well.

摘要翻译： 具有酸敏感成像聚合物和辐射敏感性酸产生剂组分的抗蚀剂组合物包含：（i）选自溶解抑制酸产生剂的第一辐射敏感性酸产生剂，和（ii）选择的第二辐射敏感酸产生剂 由不受保护的酸性官能化酸产生剂和酸不稳定基团保护的酸性官能化辐射敏感酸发生剂组成的组; 能够形成适用于EPL，EUV，软X射线和其他低能量光刻成像应用的高灵敏度抗蚀剂。 抗蚀剂组合物也可用于其它平版印刷工艺。

公开(公告)号：US20060035167A1

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：US10916755

申请日：2004-08-12

申请人： Marie Angelopoulos ,  Gregory Breyta ,  Wu-Song Huang ,  Robert Lang ,  Wenjie Li ,  David Medeiros ,  Wayne Moreau ,  Karen Petrillo

发明人： Marie Angelopoulos ,  Gregory Breyta ,  Wu-Song Huang ,  Robert Lang ,  Wenjie Li ,  David Medeiros ,  Wayne Moreau ,  Karen Petrillo

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： C08F220/14 ,  C08F220/38 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/095

摘要： A barrier layer for fabricating at least one of a device and a mask includes a polymeric photoacid generator formed between a substrate and a resist layer. The barrier layer may be used, for example, in forming a resist image, and forming a patterned material feature on a substrate.

公开(公告)号：US20050224748A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：US10966301

申请日：2004-10-15

申请人： John Cotte ,  Dario Goldfarb ,  Pamela Jones ,  Kenneth McCullough ,  Wayne Moreau ,  Keith Pope ,  John Simons ,  Charles Taft

发明人： John Cotte ,  Dario Goldfarb ,  Pamela Jones ,  Kenneth McCullough ,  Wayne Moreau ,  Keith Pope ,  John Simons ,  Charles Taft

IPC分类号： B08B7/00 ,  C11D7/08 ,  C11D7/26 ,  C11D7/28 ,  C11D7/50 ,  C11D11/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C23G1/00

CPC分类号： H01L21/02071 ,  B08B7/0021 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/28 ,  C11D7/50 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/31116

摘要： A composition which includes liquid or supercritical carbon dioxide and an acid having a pKa of less than about 4. The composition is employed in a process of removing residue from a precision surface, such as a semiconductor sample, in which the precision surface is contacted with the composition under thermodynamic conditions consistent with the retention of the liquid or supercritical carbon dioxide in the liquid or supercritical state.

摘要翻译： 包括液体或超临界二氧化碳和pKa小于约4的酸的组合物。该组合物用于从精密表面与精密表面接触的精密表面（例如半导体样品）中除去残余物的方法 在热力学条件下的组成与液体或超临界二氧化碳在液体或超临界状态下的保留一致。

公开(公告)号：US20060180922A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11399579

申请日：2006-04-06

申请人： John Cotte ,  Kenneth McCullough ,  Wayne Moreau ,  Kevin Petrarca ,  John Simons ,  Charles Taft ,  Richard Volant

发明人： John Cotte ,  Kenneth McCullough ,  Wayne Moreau ,  Kevin Petrarca ,  John Simons ,  Charles Taft ,  Richard Volant

IPC分类号： H01L23/14

CPC分类号： H01L21/02118 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T428/249978 ,  Y10T428/24999 ,  H01L2924/00

摘要： A dielectric material formed by contacting a low dielectric constant polymer with liquid or supercritical carbon dioxide, under thermodynamic conditions which maintain the carbon dioxide in the liquid or supercritical state, wherein a porous product is formed. Thereupon, thermodynamic conditions are changed to ambient wherein carbon dioxide escapes from the pores and is replaced with air.

公开(公告)号：US6107177A

公开(公告)日：2000-08-22

申请号：US382933

申请日：1999-08-25

申请人： Zhijian Lu ,  Wayne Moreau

发明人： Zhijian Lu ,  Wayne Moreau

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/0273 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813

摘要： A method for reducing critical dimension loss and resist loss dimensions during etching includes providing a dielectric layer having an anti-reflection layer formed thereon and patterning a resist layer on the anti-reflection layer. The resist layer is exposed to an agent including silicon, and the agent is reacted with the resist to form a silylation region on exposed surfaces of the resist layer. The anti-reflection layer is etched by employing the silylation regions as an etch mask wherein the silylation regions have a greater resistance to etching than the antireflection layer and the resist layer.

摘要翻译： 一种在蚀刻期间减小临界尺寸损失并抵抗损耗尺寸的方法包括提供其上形成有抗反射层并在抗反射层上图案化抗蚀剂层的电介质层。 将抗蚀剂层暴露于包含硅的试剂，并使试剂与抗蚀剂反应，以在抗蚀剂层的暴露表面上形成甲硅烷基化区域。 通过使用甲硅烷基化区域作为蚀刻掩模蚀刻抗反射层，其中甲硅烷基化区域具有比防反射层和抗蚀剂层更大的抗蚀刻性。