公开(公告)号：US07276327B2

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：US11263430

申请日：2005-10-31

申请人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyekumaren

发明人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyekumaren

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36 ,  G03C1/825

CPC分类号： G03F7/0754 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an Si-containing polymer having pendant chromophore moieties are useful antireflective coating/hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions are especially useful in lithographic processes used to configure underlying material layers on a substrate, especially metal or semiconductor layers.

摘要翻译： 特征在于存在具有侧生发色团部分的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻工艺中有用的抗反射涂层/硬掩模组合物。 这些组合物提供突出的光学，机械和蚀刻选择性，同时适用于使用旋涂应用技术。 所述组合物在用于在基材上，尤其是金属或半导体层上配置下层材料层的光刻工艺中特别有用。

公开(公告)号：US07270931B2

公开(公告)日：2007-09-18

申请号：US10679782

申请日：2003-10-06

申请人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03C1/73 ,  G03C1/825 ,  G03C1/835

CPC分类号： G03F7/0754 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an Si-containing polymer having pendant chromophore moieties are useful antireflective coating/hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions are especially useful in lithographic processes used to configure underlying material layers on a substrate, especially metal or semiconductor layers.

摘要翻译： 特征在于存在具有侧生发色团部分的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻工艺中有用的抗反射涂层/硬掩模组合物。 这些组合物提供突出的光学，机械和蚀刻选择性，同时适用于使用旋涂应用技术。 所述组合物在用于在基材上，尤其是金属或半导体层上配置下层材料层的光刻工艺中特别有用。

公开(公告)号：US20060058489A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US11263430

申请日：2005-10-31

申请人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyekumaren

发明人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyekumaren

IPC分类号： C08G77/26

CPC分类号： G03F7/0754 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an Si-containing polymer having pendant chromophore moieties are useful antireflective coating/hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions are especially useful in lithographic processes used to configure underlying material layers on a substrate, especially metal or semiconductor layers.

摘要翻译： 特征在于存在具有侧生发色团部分的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻工艺中有用的抗反射涂层/硬掩模组合物。 这些组合物提供突出的光学，机械和蚀刻选择性，同时适用于使用旋涂应用技术。 所述组合物在用于在基材上，尤其是金属或半导体层上配置下层材料层的光刻工艺中特别有用。

公开(公告)号：US20050074689A1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：US10679782

申请日：2003-10-06

申请人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Scooriyakumaren

发明人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Scooriyakumaren

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0754 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an Si-containing polymer having pendant chromophore moieties are useful antireflective coating/hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions are especially useful in lithographic processes used to configure underlying material layers on a substrate, especially metal or semiconductor layers.

摘要翻译： 特征在于存在具有侧生发色团部分的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻工艺中有用的抗反射涂层/硬掩模组合物。 这些组合物提供突出的光学，机械和蚀刻选择性，同时适用于使用旋涂应用技术。 所述组合物在用于在基材上，尤其是金属或半导体层上配置下层材料层的光刻工艺中特别有用。

公开(公告)号：US20060127800A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US10537259

申请日：2002-12-05

申请人： Wu-Song Huang ,  Wenjie Li ,  Wayne Moreau ,  David Medeiros ,  Karen Petrillo ,  Robert Lang ,  Marie Angelopoulos

发明人： Wu-Song Huang ,  Wenjie Li ,  Wayne Moreau ,  David Medeiros ,  Karen Petrillo ,  Robert Lang ,  Marie Angelopoulos

IPC分类号： G03C1/76

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0392

摘要： The resist compositions having an acid sensitive imaging polymer and a radiation sensitive acid generator component comprising: (i) a first radiation sensitive acid generator selected from the group consisting of dissolution-inhibiting acid generators, and (ii) a second radiation sensitive acid generator selected from the group consisting of unprotected acidic group-functionalized acid generators and acid labile group-protected acidic group-functionalized radiation sensitive acid generators; enables formation of high sensitivity resists suitable for use in EPL, EUV, soft x-ray, and other low energy intensity lithographic imaging applications. The resist compositions may be useful in other lithographic processes as well.

摘要翻译： 具有酸敏感成像聚合物和辐射敏感性酸产生剂组分的抗蚀剂组合物包含：（i）选自溶解抑制酸产生剂的第一辐射敏感性酸产生剂，和（ii）选择的第二辐射敏感酸产生剂 由不受保护的酸性官能化酸产生剂和酸不稳定基团保护的酸性官能化辐射敏感酸发生剂组成的组; 能够形成适用于EPL，EUV，软X射线和其他低能量光刻成像应用的高灵敏度抗蚀剂。 抗蚀剂组合物也可用于其它平版印刷工艺。

公开(公告)号：US07314700B2

公开(公告)日：2008-01-01

申请号：US10537259

申请日：2002-12-05

申请人： Wu-Song Huang ,  Wenjie Li ,  Wayne Moreau ,  David R. Medeiros ,  Karen E. Petrillo ,  Robert N. Lang ,  Marie Angelopoulos

发明人： Wu-Song Huang ,  Wenjie Li ,  Wayne Moreau ,  David R. Medeiros ,  Karen E. Petrillo ,  Robert N. Lang ,  Marie Angelopoulos

IPC分类号： G03C1/492 ,  G03C1/494 ,  G03C1/76 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0392

摘要： The resist compositions having an acid sensitive imaging polymer and a radiation sensitive acid generator component comprising: (i) a first radiation sensitive acid generator selected from the group consisting of dissolution-inhibiting acid generators, and (ii) a second radiation sensitive acid generator selected from the group consisting of unprotected acidic group-functionalized acid generators and acid labile group-protected acidic group-functionalized radiation sensitive acid generators; enables formation of high sensitivity resists suitable for use in EPL, EUV, soft x-ray, and other low energy intensity lithographic imaging applications. The resist compositions may be useful in other lithographic processes as well.

摘要翻译： 具有酸敏感成像聚合物和辐射敏感性酸产生剂组分的抗蚀剂组合物包含：（i）选自溶解抑制酸产生剂的第一辐射敏感性酸产生剂，和（ii）选择的第二辐射敏感酸产生剂 由不受保护的酸性官能化酸产生剂和酸不稳定基团保护的酸性官能化辐射敏感酸发生剂组成的组; 能够形成适用于EPL，EUV，软X射线和其他低能量光刻成像应用的高灵敏度抗蚀剂。 抗蚀剂组合物也可用于其它平版印刷工艺。

公开(公告)号：US20060035167A1

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：US10916755

申请日：2004-08-12

申请人： Marie Angelopoulos ,  Gregory Breyta ,  Wu-Song Huang ,  Robert Lang ,  Wenjie Li ,  David Medeiros ,  Wayne Moreau ,  Karen Petrillo

发明人： Marie Angelopoulos ,  Gregory Breyta ,  Wu-Song Huang ,  Robert Lang ,  Wenjie Li ,  David Medeiros ,  Wayne Moreau ,  Karen Petrillo

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： C08F220/14 ,  C08F220/38 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/095

摘要： A barrier layer for fabricating at least one of a device and a mask includes a polymeric photoacid generator formed between a substrate and a resist layer. The barrier layer may be used, for example, in forming a resist image, and forming a patterned material feature on a substrate.

公开(公告)号：US07901864B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US10948826

申请日：2004-09-23

申请人： Wu-Song Huang ,  Marie Angelopoulos ,  Timothy A. Brunner ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Wu-Song Huang ,  Marie Angelopoulos ,  Timothy A. Brunner ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03C1/00 ,  H01L21/00 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F7/0755 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392

摘要： A radiation-sensitive composition (and method of fabricating a device using the composition) includes a nonpolymeric silsesquioxane including at least one acid labile moiety, a polymer including at least one member selected from the group consisting of an aqueous base soluble moiety and an acid labile moiety, and a radiation-sensitive acid generator. Another radiation-senstive composition (and method of fabricating a device using the composition) includes a nonpolymerc silsesquioxane including at least one aqueous base soluble moiety, a polymer including an aqueous base soluble moiety, a crosslinker, and a radiation-sensitive acid generator.

摘要翻译： 辐射敏感性组合物（以及使用该组合物制造器件的方法）包括非聚合倍半硅氧烷，其包含至少一种酸不稳定部分，包含至少一种选自碱性水溶性部分和酸不稳定性的成员的聚合物 部分和辐射敏感性酸产生剂。 另一种辐射敏感组合物（以及使用该组合物制造器件的方法）包括非聚合物倍半硅氧烷，其包括至少一种水溶性基团可溶部分，包含水溶性基团可溶部分的聚合物，交联剂和辐射敏感性酸发生剂。

公开(公告)号：US06730454B2

公开(公告)日：2004-05-04

申请号：US10124087

申请日：2002-04-16

申请人： Dirk Pfeiffer ,  Marie Angelopoulos ,  Katherina Babich ,  Phillip Brock ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Dirk Pfeiffer ,  Marie Angelopoulos ,  Katherina Babich ,  Phillip Brock ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F700

CPC分类号： H01L21/0276 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/151

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an SiO-containing polymer having chromophore moieties and transparent moieties are useful antireflective hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions of the invention are advantageously useful with shorter wavelength lithographic processes and/or have minimal residual acid content.

摘要翻译： 存在具有发色团部分和透明部分的含SiO聚合物的抗反射组合物是光刻工艺中有用的抗反射硬掩模组​​合物。 这些组合物提供突出的光学，机械和蚀刻选择性，同时适用于使用旋涂应用技术。 本发明的组合物有利地用于较短波长的光刻工艺和/或具有最小的残留酸含量。

公开(公告)号：US20060063103A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US10948826

申请日：2004-09-23

申请人： Wu-Song Huang ,  Marie Angelopoulos ,  Timothy Brunner ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Wu-Song Huang ,  Marie Angelopoulos ,  Timothy Brunner ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/0755 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392

摘要： A radiation-sensitive composition (and method of fabricating a device using the composition) includes a nonpolymeric silsesquioxane including at least one acid labile moiety, a polymer including at least one member selected from the group consisting of an aqueous base soluble moiety and an acid labile moiety, and a radiation-sensitive acid generator. Another radiation-senstive composition (and method of fabricating a device using the composition) includes a nonpolymerc silsesquioxane including at least one aqueous base soluble moiety, a polymer including an aqueous base soluble moiety, a crosslinker, and a radiation-sensitive acid generator.

摘要翻译： 辐射敏感性组合物（以及使用该组合物制造器件的方法）包括非聚合倍半硅氧烷，其包含至少一种酸不稳定部分，包含至少一种选自碱性水溶性部分和酸不稳定性的成员的聚合物 部分和辐射敏感性酸产生剂。 另一种辐射敏感组合物（以及使用该组合物制造器件的方法）包括非聚合物倍半硅氧烷，包括至少一种水溶性基团可溶部分，包含碱性水溶性部分的聚合物，交联剂和辐射敏感性酸产生剂。