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    Nonvolatile semiconductor memory device and method of data write therein
    1.
    发明授权
    Nonvolatile semiconductor memory device and method of data write therein 有权
    非易失性半导体存储器件及其中的数据写入方法

    公开(公告)号：US08760924B2

    公开(公告)日：2014-06-24

    申请号：US13427263

    申请日：2012-03-22

    申请人： Hitoshi Iwai ,  Tomoko Fujiwara ,  Hideaki Aochi ,  Masaru Kito

    发明人： Hitoshi Iwai ,  Tomoko Fujiwara ,  Hideaki Aochi ,  Masaru Kito

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G11C16/3454 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06

    摘要： A memory cell comprises a first semiconductor layer, and a first conductive layer. The first semiconductor layer extends in a perpendicular direction with respect to a semiconductor substrate. The first conductive layer sandwiches a charge storage layer with the first semiconductor layer. A control circuit executes a first program operation and then executes a second program operation. The first program operation supplies a first voltage to the body of the memory cell and supplies a second voltage larger than the first voltage to the gate of the memory cell. The second program operation renders the body of the memory cell in a floating state and supplies a third voltage which is positive to the gate of the memory cell.

    摘要翻译： 存储单元包括第一半导体层和第一导电层。 第一半导体层相对于半导体衬底在垂直方向上延伸。 第一导电层与第一半导体层夹着电荷存储层。 控制电路执行第一程序操作，然后执行第二程序操作。 第一编程操作向存储单元的主体提供第一电压，并将大于第一电压的第二电压提供给存储单元的栅极。 第二程序操作使存储器单元的主体呈浮置状态，并向存储器单元的栅极提供为正的第三电压。

    NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF DATA WRITE THEREIN
    2.
    发明申请
    NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF DATA WRITE THEREIN 有权
    非易失性半导体存储器件及其数据写入方法

    公开(公告)号：US20130021848A1

    公开(公告)日：2013-01-24

    申请号：US13427263

    申请日：2012-03-22

    申请人： Hitoshi IWAI ,  Tomoko Fujiwara ,  Hideaki Aochi ,  Masaru Kito

    发明人： Hitoshi IWAI ,  Tomoko Fujiwara ,  Hideaki Aochi ,  Masaru Kito

    IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/04

    CPC分类号： G11C16/3454 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06

    摘要： A memory cell comprises a first semiconductor layer, and a first conductive layer. The first semiconductor layer extends in a perpendicular direction with respect to a semiconductor substrate. The first conductive layer sandwiches a charge storage layer with the first semiconductor layer. A control circuit executes a first program operation and then executes a second program operation. The first program operation supplies a first voltage to the body of the memory cell and supplies a second voltage larger than the first voltage to the gate of the memory cell. The second program operation renders the body of the memory cell in a floating state and supplies a third voltage which is positive to the gate of the memory cell.

    摘要翻译： 存储单元包括第一半导体层和第一导电层。 第一半导体层相对于半导体衬底在垂直方向上延伸。 第一导电层与第一半导体层夹着电荷存储层。 控制电路执行第一程序操作，然后执行第二程序操作。 第一编程操作向存储单元的主体提供第一电压，并将大于第一电压的第二电压提供给存储单元的栅极。 第二程序操作使存储器单元的主体呈浮置状态，并向存储器单元的栅极提供为正的第三电压。

    Semiconductor memory device
    6.
    发明授权
    Semiconductor memory device 有权
    半导体存储器件

    公开(公告)号：US08767452B2

    公开(公告)日：2014-07-01

    申请号：US13418651

    申请日：2012-03-13

    申请人： Masaru Kito ,  Tomoko Fujiwara ,  Hideaki Aochi

    发明人： Masaru Kito ,  Tomoko Fujiwara ,  Hideaki Aochi

    IPC分类号： G11C11/14 ,  G11C11/00

    CPC分类号： H01L27/11565 ,  G11C5/025 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/7926

    摘要： According to one embodiment, a semiconductor memory device includes a stacked body, a semiconductor pillar, a charge storage layer, a tunneling layer, a dividing trench and a first heating unit. The stacked body includes a plurality of first insulating films stacked alternately with a plurality of electrode films. The semiconductor pillar pierces the stacked body. The charge storage layer is provided between the electrode films and the semiconductor pillar. The tunneling layer is provided between the charge storage layer and the semiconductor pillar. The dividing trench is provided between the semiconductor pillars in one direction orthogonal to a stacking direction of the stacked body to divide the electrode films. The first heating unit is provided in an interior of the dividing trench.

    摘要翻译： 根据一个实施例，半导体存储器件包括堆叠体，半导体柱，电荷存储层，隧道层，分隔沟槽和第一加热单元。 层叠体包括与多个电极膜交替堆叠的多个第一绝缘膜。 半导体柱穿透层叠体。 电荷存储层设置在电极膜和半导体柱之间。 隧道层设置在电荷存储层和半导体柱之间。 在与层叠体的堆叠方向正交的一个方向上的半导体柱之间设置分割沟槽，以分割电极膜。 第一加热单元设置在分隔沟槽的内部。