公开(公告)号：US6025281A

公开(公告)日：2000-02-15

申请号：US993603

申请日：1997-12-18

申请人： Matthias Passlack ,  Jonathan K. Abrokwah ,  Sandeep Pendharkar ,  Stephen B. Clemens ,  Jimmy Z. Yu ,  Brian Bowers

发明人： Matthias Passlack ,  Jonathan K. Abrokwah ,  Sandeep Pendharkar ,  Stephen B. Clemens ,  Jimmy Z. Yu ,  Brian Bowers

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/30 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/28264 ,  H01L21/3006 ,  H01L21/3105

摘要： A method of passivating interface states of oxide-compound semiconductor interfaces using molecular, atomic, or isotopic species wherein said species are applied before oxide deposition in ultra-high vacuum, or during interruption of oxide deposition in ultra-high vacuum (preferentially after oxide surface coverage of a submonolayer, a monolayer, or a few monolayers), or during oxide deposition in ultra-high vacuum, or after completion of oxide deposition, or before or after any processing steps of the as deposited interface structure. In a preferred embodiment, hydrogen or deuterium atoms are applied to a Ga.sub.2 O.sub.3 --GaAs interface at some point before, during, or after oxide deposition in ultra-high vacuum, or before or after any processing steps of the as deposited interface structure, at any given and useful substrate temperature wherein the atomic species can be provided by any one of RF discharge, microwave plasma discharge, or thermal dissociation.

摘要翻译： 使用分子，原子或同位素物质钝化氧化物 - 化合物半导体界面的界面状态的方法，其中所述物质在超高真空中的氧化物沉积之前或在超高真空（优选氧化物表面之后） 亚单层，单层或几个单层的覆盖），或者在超高真空中的氧化物沉积期间，或在氧化物沉积完成之后，或在作为沉积的界面结构的任何处理步骤之前或之后。 在一个优选的实施方案中，在超高真空中的氧化物沉积之前，期间或之后的某个时刻，或者在作为沉积的界面结构的任何处理步骤之前或之后，在任何时候，在任何时候，将氢或氘原子施加到Ga 2 O 3 -GaAs- 给定和有用的衬底温度，其中可以通过RF放电，微波等离子体放电或热解离中的任何一种来提供原子种类。

公开(公告)号：US5904553A

公开(公告)日：1999-05-18

申请号：US917119

申请日：1997-08-25

申请人： Matthias Passlack ,  Jonathan K. Abrokwah ,  Ravi Droopad ,  Brian Bowers

发明人： Matthias Passlack ,  Jonathan K. Abrokwah ,  Ravi Droopad ,  Brian Bowers

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/407 ,  C23C16/455 ,  C23C16/4551 ,  H01L21/31604

摘要： A method of fabricating a gate quality oxide-compound semiconductor structure includes forming an insulating Ga.sub.2 O.sub.3 layer on the surface of a compound semiconductor wafer structure by a supersonic gas jet containing gallium oxide molecules and oxygen. In a preferred embodiment, a III-V compound semiconductor wafer structure with an atomically ordered and chemically clean semiconductor surface is transferred from a semiconductor growth chamber into an insulator deposition chamber via an ultra high vacuum preparation chamber. Ga.sub.2 O.sub.3 deposition onto the surface of the wafer structure is initiated by a supersonic gas jet pulse and proceeds via optimization of pulse duration, speed of gas jet, mole fraction of gallium oxide molecules and oxygen atoms, and plasma energy.

摘要翻译： 制造栅极质量氧化物半导体结构的方法包括通过含有氧化镓分子和氧的超音速气体射流在化合物半导体晶片结构的表面上形成绝缘Ga 2 O 3层。 在优选实施例中，具有原子级和化学清洁的半导体表面的III-V族化合物半导体晶片结构经由超高真空准备室从半导体生长室转移到绝缘体沉积室中。 通过超音速气体喷射脉冲引发晶片结构表面上的Ga 2 O 3沉积，并且经历脉冲持续时间，气体射流速度，氧化镓分子和氧原子的摩尔分数以及等离子体能量的优化。

公开(公告)号：US5937285A

公开(公告)日：1999-08-10

申请号：US863109

申请日：1997-05-23

申请人： Jonathan K. Abrokwah ,  Ravi Droopad ,  Corey D. Overgaard ,  Brian Bowers ,  Michael P. LaMacchia ,  Bruce A. Bernhardt

发明人： Jonathan K. Abrokwah ,  Ravi Droopad ,  Corey D. Overgaard ,  Brian Bowers ,  Michael P. LaMacchia ,  Bruce A. Bernhardt

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/335 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/80

CPC分类号： H01L29/802 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/66462

摘要： A method of fabricating submicron HFETs includes forming a buffered substrate structure with a supporting substrate of GaAs, a portion of low temperature AlGaAs grown on the supporting substrate at a temperature of approximately 300.degree. C., a layer of low temperature GaAs grown on the portion AlGaAs layer at a temperature of 200.degree. C., a layer of low temperature AlGaAs grown on the GaAs layer at a temperature of 400.degree. C., and a buffer layer of undoped GaAs grown on the second AlGaAs layer. Complementary pairs of HFETs can be formed on the buffered substrate structure, since the structure supports the operation of p and n type transistors equally well.

摘要翻译： 制造亚微米HFET的方法包括用GaAs的支撑衬底形成缓冲衬底结构，在约300℃的温度下在支撑衬底上生长一部分低温AlGaAs，在该部分生长的低温GaAs层 AlGaAs层，在400℃的温度下在GaAs层上生长的低温AlGaAs层和在第二AlGaAs层上生长的未掺杂的GaAs的缓冲层。 可以在缓冲衬底结构上形成互补的HFET对，因为该结构同样良好地支持p型和n型晶体管的操作。

公开(公告)号：US6159834A

公开(公告)日：2000-12-12

申请号：US22595

申请日：1998-02-12

申请人： Zhiyi (Jimmy) Yu ,  Matthias Passlack ,  Brian Bowers ,  Corey Daniel Overgaard ,  Ravindranath Droopad ,  Jonathan Kwadwo Abrokwah

发明人： Zhiyi (Jimmy) Yu ,  Matthias Passlack ,  Brian Bowers ,  Corey Daniel Overgaard ,  Ravindranath Droopad ,  Jonathan Kwadwo Abrokwah

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/28264 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31666

摘要： A gate quality oxide-compound semiconductor structure (10) is formed by the steps of providing a III-V compound semiconductor wafer structure (13) with an atomically ordered and chemically clean semiconductor surface in an ultra high vacuum (UHV) system (20), directing a molecular beam (26) of gallium oxide onto the surface of the wafer structure to initiate the oxide deposition, and providing a second beam (28) of atomic oxygen to form a Ga.sub.2 O.sub.3 layer (14) with low defect density on the surface of the wafer structure. The second beam of atomic oxygen is supplied upon completion of the first 1-2 monolayers of Ga.sub.2 O.sub.3. The molecular beam of gallium oxide is provided by thermal evaporation from a crystalline Ga.sub.2 O.sub.3 or gallate source, and the atomic beam of oxygen is provided by either RF or microwave plasma discharge, thermal dissociation, or a neutral electron stimulated desorption atom source.

摘要翻译： 通过在超高真空（UHV）系统（20）中提供具有原子级和化学清洁的半导体表面的III-V化合物半导体晶片结构（13）的步骤形成栅极质量氧化物 - 化合物半导体结构（10） 将氧化镓的分子束（26）引导到晶片结构的表面上以引发氧化物沉积，以及提供原子氧的第二光束（28）以在表面上形成具有低缺陷密度的Ga 2 O 3层（14） 的晶片结构。 当第一个1-2单层的Ga2O3完成时，第二个原子氧束被提供。 通过从结晶Ga 2 O 3或没食子酸酯源的热蒸发提供氧化镓的分子束，并且氧原子束由RF或微波等离子体放电，热解离或中性电子刺激的解吸原子源提供。

公开(公告)号：US08977385B2

公开(公告)日：2015-03-10

申请号：US12466713

申请日：2009-05-15

申请人： Brian Bowers ,  Steven Seburn ,  Steven Ksiazek ,  Gary Van Ermen ,  Walter S. Conard

发明人： Brian Bowers ,  Steven Seburn ,  Steven Ksiazek ,  Gary Van Ermen ,  Walter S. Conard

IPC分类号： G06F7/00 ,  B07C3/00 ,  G07B17/00

CPC分类号： B07C3/00 ,  G07B17/00661 ,  G07B2017/00483 ,  G07B2017/00677

摘要： Processing and tracking of individual mail items processed through a document processing system such as a sorter or inserter utilize a mail item identifier that is unique with respect to each individual mail item. A mail item may have a postal authority approved code representing or containing its associated unique identifier. If not, an identifier is generated and a corresponding postal authority approved code is applied to the mail item. Processing entails associating the unique mail item identifier for each respective mail item with collected metadata for the respective mail item and storing the identifier and associated the metadata. In a sorter example, each mail item is sorted into a postal sort group, and the processing entails identifying the sort group to which each item is sorted and storing the identified sort in association with the unique mail item identifier.

摘要翻译： 通过诸如分类器或插入器的文档处理系统处理的各个邮件项目的处理和跟踪利用关于每个单独的邮件项目是唯一的邮件项目标识符。 邮件可能具有代表或包含其关联的唯一标识符的邮政当局批准的代码。 如果没有，则生成标识符，并且对邮件项目应用相应的邮政当局批准的代码。 处理需要将每个相应邮件项的唯一邮件项目标识符与相应邮件项目的收集的元数据相关联，并存储该标识符并关联该元数据。 在分类器示例中，将每个邮件项目分类为邮政排序组，并且处理需要识别每个项目被排序到的排序组，并且与唯一邮件项目标识符相关联地存储所识别的排序。

公开(公告)号：US08748768B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US12427211

申请日：2009-04-21

申请人： Brian Bowers

发明人： Brian Bowers

IPC分类号： B07C5/00

CPC分类号： B07C3/00

摘要： The present application relates to a method and system for mail item processing. More particularly, the present application relates to a method and system alerting document processing operators when all mail items have reached a designated bin in order to improve accuracy and efficiency during document processing as well as improving the overall efficiency of the document processing facility.

摘要翻译： 本申请涉及邮件项目处理的方法和系统。 更具体地，本申请涉及当所有邮件已经到达指定仓时提醒文档处理操作者的方法和系统，以便在文档处理期间提高准确性和效率以及提高文档处理设施的整体效率。

公开(公告)号：US08326898B2

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：US12466007

申请日：2009-05-14

申请人： Mark Woolston ,  Walter S. Conard ,  William A. Grady ,  Brian Bowers ,  Richard Wojdyla ,  Gary Van Ermen

发明人： Mark Woolston ,  Walter S. Conard ,  William A. Grady ,  Brian Bowers ,  Richard Wojdyla ,  Gary Van Ermen

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F17/30

CPC分类号： G06Q10/107

摘要： The present application generally relates to address data maintenance services using a mail processing system. The present application discloses techniques and equipment to update address information and usage of mail processing equipment to print delivery point barcodes that represent the current and accurate address information available for the addressee. The present application also provides a new approach for storing and searching address and name run time directories as part of a mail processing system using address reader technology.

摘要翻译： 本申请一般涉及使用邮件处理系统的地址数据维护服务。 本申请公开了用于更新地址信息和邮件处理设备的使用的技术和设备，以打印表示可用于收件人的当前和准确地址信息的传送点条形码。 本申请还提供了一种用于存储和搜索地址和名称运行时间目录作为使用地址读取器技术的邮件处理系统的一部分的新方法。

公开(公告)号：US20100161111A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12640445

申请日：2009-12-17

申请人： Charles E. Davis ,  Brian Bowers ,  Jack E. Olson

发明人： Charles E. Davis ,  Brian Bowers ,  Jack E. Olson

IPC分类号： G06F7/00

CPC分类号： B07C5/344

摘要： Systems and method of processing one or more documents are shown and described. The orientation of a magnetic character is sensed on the document. The orientation is processed and used to control a sort processing device.

摘要翻译： 显示和描述了处理一个或多个文档的系统和方法。 在文件上检测磁性字符的方向。 处理方向并用于控制排序处理装置。

公开(公告)号：US3974023A

公开(公告)日：1976-08-10

申请号：US252410

申请日：1972-05-11

申请人： Brian Bowers

发明人： Brian Bowers

IPC分类号： B01D1/00 ,  B01D3/42 ,  B01D19/02 ,  B01D1/22

CPC分类号： B01D3/42 ,  B01D1/00 ,  B01D19/02 ,  Y10S159/10

摘要： Heat-sensitive, foamable liquids such as latex, are concentrated in a continuous process without foaming by feeding a heated liquid to a tubular evaporation chamber maintained at a reduced pressure where the liquid is adiabatically vaporized and forms an annularly flowing two-phase stream. The liquid and vapor phases are largely separated in the evaporation chamber by centrifugal forces acting on the stream. The final separation and isolation of the liquid phase is achieved in a separator consisting of a cyclone separator, a reservoir for the concentrated liquid and a settling chamber.

摘要翻译： 热敏的可发泡液体如胶乳通过将加热的液体供给到保持在减压下的管状蒸发室中而不发泡而不发泡，其中液体被绝热蒸发并形成环状流动的两相流。 通过作用在流上的离心力，蒸发室中的液相和蒸汽相大大分离。 在由旋流分离器，用于浓缩液体的储存器和沉降室组成的分离器中实现液相的最终分离和分离。

公开(公告)号：US08392337B2

公开(公告)日：2013-03-05

申请号：US12426484

申请日：2009-04-20

申请人： Raymond Lee ,  Brian Bowers

发明人： Raymond Lee ,  Brian Bowers

IPC分类号： G06Q30/00 ,  G06Q10/00

CPC分类号： G07B17/00508 ,  B07C3/00 ,  G07B2017/00588

摘要： The present teachings relate to a method and system for the processing of mail items within a multiple device document processing environment to ensure generation of unique mail items. The present teachings provides for an improved system and method for assigning and maintaining unique mail item identifiers and processing of the unique mail items in a multiple mail processing device environment to qualify for maximum postal work sharing discounts.

摘要翻译： 本教导涉及用于处理多设备文档处理环境内的邮件项目以确保生成唯一邮件项目的方法和系统。 本教导提供了一种用于在多个邮件处理设备环境中分配和维护唯一邮件项目标识符和处理唯一邮件项目以改进最大邮政工作共享折扣的改进的系统和方法。