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    High voltage semiconductor devices
    2.
    发明授权
    High voltage semiconductor devices 有权
    高压半导体器件

    公开(公告)号：US08664720B2

    公开(公告)日：2014-03-04

    申请号：US12868434

    申请日：2010-08-25

    申请人： Mayank Shrivastava ,  Maryam Shojaei Baghini ,  Cornelius Christian Russ ,  Harald Gossner ,  Ramgopal Rao

    发明人： Mayank Shrivastava ,  Maryam Shojaei Baghini ,  Cornelius Christian Russ ,  Harald Gossner ,  Ramgopal Rao

    IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L27/01 ,  H01L27/12 ,  H01L31/062

    CPC分类号： H01L27/1211 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/78624

    摘要： In one embodiment, the semiconductor device includes a first source of a first doping type disposed in a substrate. A first drain of the first doping type is disposed in the substrate. A first gate region is disposed between the first source and the first drain. A first channel region of a second doping type is disposed under the first gate region. The second doping type is opposite to the first doping type. A first extension region of the first doping type is disposed between the first gate and the first drain. The first extension region is part of a first fin disposed in or over the substrate. A first isolation region is disposed between the first extension region and the first drain. A first well region of the first doping type is disposed under the first isolation region. The first well region electrically couples the first extension region with the first drain.

    摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件包括设置在衬底中的第一掺杂类型的第一源。 第一掺杂型的第一漏极设置在衬底中。 第一栅极区域设置在第一源极和第一漏极之间。 第一掺杂类型的第一沟道区域设置在第一栅极区域的下方。 第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。 第一掺杂类型的第一延伸区域设置在第一栅极和第一漏极之间。 第一延伸区域是设置在基板中或上方的第一鳍片的一部分。 第一隔离区域设置在第一延伸区域和第一漏极之间。 第一掺杂类型的第一阱区设置在第一隔离区下。 第一阱区域将第一延伸区域与第一漏极电耦合。

    High Voltage Semiconductor Devices
    5.
    发明申请
    High Voltage Semiconductor Devices 有权
    高压半导体器件

    公开(公告)号：US20120049279A1

    公开(公告)日：2012-03-01

    申请号：US12868434

    申请日：2010-08-25

    申请人： Mayank Shrivastava ,  Maryam Shojaei Baghini ,  Cornelius Christian Russ ,  Harald Gossner ,  Ramgopal Rao

    发明人： Mayank Shrivastava ,  Maryam Shojaei Baghini ,  Cornelius Christian Russ ,  Harald Gossner ,  Ramgopal Rao

    IPC分类号： H01L27/12

    CPC分类号： H01L27/1211 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/78624

    摘要： In one embodiment, the semiconductor device includes a first source of a first doping type disposed in a substrate. A first drain of the first doping type is disposed in the substrate. A first gate region is disposed between the first source and the first drain. A first channel region of a second doping type is disposed under the first gate region. The second doping type is opposite to the first doping type. A first extension region of the first doping type is disposed between the first gate and the first drain. The first extension region is part of a first fin disposed in or over the substrate. A first isolation region is disposed between the first extension region and the first drain. A first well region of the first doping type is disposed under the first isolation region. The first well region electrically couples the first extension region with the first drain.

    摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件包括设置在衬底中的第一掺杂类型的第一源。 第一掺杂型的第一漏极设置在衬底中。 第一栅极区域设置在第一源极和第一漏极之间。 第一掺杂类型的第一沟道区域设置在第一栅极区域的下方。 第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。 第一掺杂类型的第一延伸区域设置在第一栅极和第一漏极之间。 第一延伸区域是设置在基板中或上方的第一鳍片的一部分。 第一隔离区域设置在第一延伸区域和第一漏极之间。 第一掺杂类型的第一阱区设置在第一隔离区下。 第一阱区域将第一延伸区域与第一漏极电耦合。

    Semiconductor devices and methods for manufacturing a semiconductor device
    7.
    发明授权
    Semiconductor devices and methods for manufacturing a semiconductor device 有权
    用于制造半导体器件的半导体器件和方法

    公开(公告)号：US08643090B2

    公开(公告)日：2014-02-04

    申请号：US12408839

    申请日：2009-03-23

    申请人： Mayank Shrivastava ,  Harald Gossner ,  Ramgopal Rao ,  Maryam Shojaei Baghini

    发明人： Mayank Shrivastava ,  Harald Gossner ,  Ramgopal Rao ,  Maryam Shojaei Baghini

    IPC分类号： H01L29/66

    CPC分类号： H01L29/0653 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

    摘要： In various embodiments, a semiconductor device is provided. The semiconductor device may include a first source/drain region, a second source/drain region, an active region electrically coupled between the first source/drain region and the second source/drain region, a trench disposed between the second source/drain region and at least a portion of the active region, a first isolation layer disposed over the bottom and the sidewalls of the trench, electrically conductive material disposed over the isolation layer in the trench, a second isolation layer disposed over the active region, and a gate region disposed over the second isolation layer. The electrically conductive material may be coupled to an electrical contact.

    摘要翻译： 在各种实施例中，提供半导体器件。 半导体器件可以包括第一源极/漏极区域，第二源极/漏极区域，电耦合在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间的有源区域，设置在第二源极/漏极区域和第二源极/ 所述有源区的至少一部分，设置在所述沟槽的底部和所述侧壁上的第一隔离层，设置在所述沟槽中的所述隔离层上的导电材料，设置在所述有源区上的第二隔离层和栅极区 设置在第二隔离层上。 导电材料可以耦合到电接触。

    Semiconductor Devices and Methods for Manufacturing a Semiconductor Device
    8.
    发明申请
    Semiconductor Devices and Methods for Manufacturing a Semiconductor Device 有权
    半导体器件和制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20100032773A1

    公开(公告)日：2010-02-11

    申请号：US12188802

    申请日：2008-08-08

    申请人： Mayank Shrivastava ,  Harald Gossner ,  Ramgopal Rao ,  Maryam Shojaei Baghini

    发明人： Mayank Shrivastava ,  Harald Gossner ,  Ramgopal Rao ,  Maryam Shojaei Baghini

    IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/76

    CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

    摘要： In an embodiment, a semiconductor device is provided. The semiconductor device may include a first diffusion region, a second diffusion region an active region disposed between the first diffusion region and the second diffusion region, a control region disposed above the active region, a first trench isolation disposed laterally adjacent to the first diffusion region opposite to the active region, and a second trench isolation disposed between the second diffusion region and the active region. The second trench isolation may have a smaller depth than the first trench isolation.

    摘要翻译： 在一个实施例中，提供了半导体器件。 半导体器件可以包括第一扩散区域，第二扩散区域，设置在第一扩散区域和第二扩散区域之间的有源区域，设置在有源区域上方的控制区域，与第一扩散区域横向相邻设置的第一沟槽隔离 与有源区相对，以及设置在第二扩散区和有源区之间的第二沟槽隔离。 第二沟槽隔离可以具有比第一沟槽隔离更小的深度。

    Semiconductor devices with trench isolations
    10.
    发明授权
    Semiconductor devices with trench isolations 有权
    具有沟槽隔离的半导体器件

    公开(公告)号：US08097930B2

    公开(公告)日：2012-01-17

    申请号：US12188802

    申请日：2008-08-08

    申请人： Mayank Shrivastava ,  Harald Gossner ,  Ramgopal Rao ,  Maryam Shojaei Baghini

    发明人： Mayank Shrivastava ,  Harald Gossner ,  Ramgopal Rao ,  Maryam Shojaei Baghini

    IPC分类号： H01L29/00

    CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

    摘要： In an embodiment, a semiconductor device is provided. The semiconductor device may include a first diffusion region, a second diffusion region an active region disposed between the first diffusion region and the second diffusion region, a control region disposed above the active region, a first trench isolation disposed laterally adjacent to the first diffusion region opposite to the active region, and a second trench isolation disposed between the second diffusion region and the active region. The second trench isolation may have a smaller depth than the first trench isolation.

    摘要翻译： 在一个实施例中，提供了半导体器件。 半导体器件可以包括第一扩散区域，第二扩散区域，设置在第一扩散区域和第二扩散区域之间的有源区域，设置在有源区域上方的控制区域，与第一扩散区域横向相邻设置的第一沟槽隔离 与有源区相对，以及设置在第二扩散区和有源区之间的第二沟槽隔离。 第二沟槽隔离可以具有比第一沟槽隔离更小的深度。