公开(公告)号：US5623235A

公开(公告)日：1997-04-22

申请号：US532062

申请日：1995-09-22

申请人： Mehran Matloubian ,  Mark Lui

发明人： Mehran Matloubian ,  Mark Lui

IPC分类号： H01P1/23

CPC分类号： H01P1/23 ,  Y10T29/49016

摘要： A wide-bandwidth variable attenuator/modulator incorporating a region of material comprising a combination of a ferromagnetic/nonmagnetic material which exhibits a Giant Magnetoresistance (GMR) effect.

摘要翻译： 一种宽带可变衰减器/调制器，其结合包含表现出巨磁阻（GMR）效应的铁磁/非磁性材料的组合的材料区域。

公开(公告)号：US5603765A

公开(公告)日：1997-02-18

申请号：US507744

申请日：1995-04-21

申请人： Mehran Matloubian ,  Linda M. Jelloian ,  Mark Lui ,  Takyiu Liu

发明人： Mehran Matloubian ,  Linda M. Jelloian ,  Mark Lui ,  Takyiu Liu

IPC分类号： H01L21/203 ,  H01L21/285 ,  H01L21/335 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/28587

摘要： High breakdown voltages for AlInAs layers in InP-based devices, such as a gate layer in an InP HEMT or a collector layer in a heterojunction bipolar transistor, are achieved by growing the AlInAs layer by MBE at a substrate temperature about 70.degree.-125.degree. C. below the temperature at which a 2.times.4 reflective high energy diffraction pattern is observed. This corresponds to a growth temperature range of about 415.degree.-470.degree. C. for a 540.degree. 2.times.4 reconstruction temperature. Preferred growth temperatures within these ranges are 80.degree. C. below the 2.times.4 reconstruction temperature, or about 460.degree. C. Higher breakdown voltages are obtained than when the AlInAs layer is grown at either higher or lower temperatures.

摘要翻译： 在基于InP的器件中的AlInAs层的高击穿电压，例如InP HEMT中的栅极层或异质结双极晶体管中的集电极层，是通过在衬底温度约70°-125°下通过MBE生长AlInAs层来实现的 低于观察到2x4反射性高能衍射图案的温度。 这对应于在540°2×4重建温度下约415°-470℃的生长温度范围。 这些范围内的优选生长温度低于2x4重建温度或约460℃以下的80℃。获得比在更高或更低温度下生长AlInAs层的更高的击穿电压。

公开(公告)号：US08957593B2

公开(公告)日：2015-02-17

申请号：US13602030

申请日：2012-08-31

申请人： Timothy Brockett ,  David Schmelzer ,  Aric Dorschner ,  Jacob Portukalian ,  Mehran Matloubian

发明人： Timothy Brockett ,  David Schmelzer ,  Aric Dorschner ,  Jacob Portukalian ,  Mehran Matloubian

IPC分类号： H05B41/24 ,  H01J65/04

CPC分类号： H01J65/042 ,  H05B41/2806 ,  H05B41/2813 ,  Y02B20/22

摘要： This disclosure is directed to devices and methods for generating light with electrode-less plasma lamps. More particularly, the present invention provides plasma lamps driven by a radio-frequency source without the use of electrodes inside the bulb, and a pulse-width modulation device that provides RF power regulation, and related methods. The bulb comprises gaseous material with metal halides and/or light emitters that, when powered, substantially stays in an arc shape state. The switching pulse-width modulation device is operable at specific modulation frequencies, duty cycles, and durations to stabilize or control the arc state/mode, which enables consistent and high efficiencies.

摘要翻译： 本公开涉及用无电极等离子体灯产生光的装置和方法。 更具体地说，本发明提供了不使用灯泡内部的电极的由射频源驱动的等离子体灯，以及提供RF功率调节的脉宽调制装置及相关方法。 灯泡包括具有金属卤化物和/或发光体的气体材料，当被供电时，该灯泡基本上保持在弧形状态。 开关脉宽调制装置可以在特定的调制频率，占空比和持续时间中工作，以稳定或控制电弧状态/模式，从而实现一致和高效率。

公开(公告)号：US08674603B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US13629462

申请日：2012-09-27

申请人： Frederick M. Espiau ,  Mehran Matloubian ,  Timothy J. Brockett ,  David Schmelzer

发明人： Frederick M. Espiau ,  Mehran Matloubian ,  Timothy J. Brockett ,  David Schmelzer

IPC分类号： H01J7/46

CPC分类号： H01J65/04 ,  H01J65/044 ,  H05B41/2806 ,  Y02B20/22

摘要： An electrodeless plasma lamp includes a bulb containing a gas-fill and light emitter(s) excited to produce light using radio-frequency (RF) energy. Input and output coupling elements separated from each other by a gap couple RF energy from an RF source to the bulb. One end of the input coupling element is electrically connected to an RF source while the other end is connected to ground. One end of the output coupling element is connected to ground while the other end is connected to the bulb.

摘要翻译： 一种无电极等离子体灯包括一个灯泡，其中包含一个被激发以产生使用射频（RF）能量的光的气体填充物和发光体。 输入和输出耦合元件通过间隙将RF能量从RF源耦合到灯泡。 输入耦合元件的一端电连接到RF源，而另一端连接到地。 输出耦合元件的一端连接到地，而另一端连接到灯泡。

公开(公告)号：US20110204791A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US12814321

申请日：2010-06-11

申请人： Douglas A. Doughty ,  Mehran Matloubian ,  Frederick M. Espiau

发明人： Douglas A. Doughty ,  Mehran Matloubian ,  Frederick M. Espiau

IPC分类号： H05B41/24 ,  H01J7/24 ,  H05B41/36

CPC分类号： H05B41/2806 ,  H01J65/044 ,  H05B41/39 ,  Y02B20/22

摘要： An electrodeless plasma lamp array structure uses multiple plasma lamps to produce large amounts of electromagnetic radiation (visible, IR, UV, or a combination of visible, IR, and UV). An M by N array configuration is powered by either a single RF power source or multiple RF power sources. The array incorporates controllers to adjust the power delivered from the RF power source to each lamp within the array. By adjusting the delivered RF power, the intensity of electromagnetic radiation that is emitted from each lamp is controlled independently allowing for the creation of an array of lamps that emit electromagnetic radiation of varying intensity levels at different places within the array. Using lamps with different color temperatures as part of the array allows the color temperature and the color rendering index of the illumination to achieve different lighting conditions.

摘要翻译： 无电极等离子体灯阵列结构使用多个等离子体灯产生大量的电磁辐射（可见光，IR，UV或可见光，IR和UV的组合）。 M / N阵列配置由单个RF电源或多个RF电源供电。 该阵列包含控制器，用于调整从RF电源传送到阵列内的每个灯的功率。 通过调节传送的RF功率，独立地控制从每个灯发射的电磁辐射的强度，允许产生在阵列内的不同位置发射不同强度水平的电磁辐射的灯阵列。 使用具有不同色温的灯作为阵列的一部分允许照明的色温和显色指数达到不同的照明条件。

公开(公告)号：USD612093S1

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US29337185

申请日：2009-05-15

申请人： Frederick M. Espiau ,  Mehran Matloubian

设计人： Frederick M. Espiau ,  Mehran Matloubian

公开(公告)号：US20090322240A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12484933

申请日：2009-06-15

申请人： Frederick M. Espiau ,  Timothy J. Brockett ,  Mehran Matloubian

发明人： Frederick M. Espiau ,  Timothy J. Brockett ,  Mehran Matloubian

IPC分类号： H05B41/24

CPC分类号： H01J65/042 ,  H01J65/044 ,  H05B41/2806 ,  Y02B20/22

摘要： An electrode-less plasma lamps, comprising generally of a bulb containing a gas-fill that is excited to produce light using radio-frequency (RF) energy. In specific embodiments, the use of grounded coupling-elements with integrated bulb assemblies simplifies manufacturability, improves resonant frequency control, and enables the use of solid, partially filled, and hollow lamp bodies.

摘要翻译： 一种无电极等离子体灯，其通常包括使用射频（RF）能量激发以产生光的气体填充的灯泡。 在具体实施例中，使用具有集成灯泡组件的接地耦合元件简化了可制造性，改善了谐振频率控制，并且能够使用固体，部分填充和中空的灯体。

公开(公告)号：US5757074A

公开(公告)日：1998-05-26

申请号：US681688

申请日：1996-07-29

申请人： Mehran Matloubian ,  Perry A. Macdonald ,  David B. Rensch ,  Lawrence E. Larson

发明人： Mehran Matloubian ,  Perry A. Macdonald ,  David B. Rensch ,  Lawrence E. Larson

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/66 ,  H01P3/08 ,  H01Q23/00 ,  H05K1/02 ,  H05K3/34 ,  H01L23/14

CPC分类号： H01L25/162 ,  H01L23/66 ,  H01L24/81 ,  H01Q23/00 ,  H05K3/3452 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0237 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2203/0315

摘要： A microwave/millimeter wave circuit structure supports discrete circuit elements by flip-chip mounting to an interconnection network on a low cost non-ceramic and non-semiconductor dielectric substrate, preferably Duroid. The necessary precise alignment of the circuit elements with contact pads on the substrate network required for the high operating frequencies is facilitated by oxidizing the interconnection network, but providing the contact pads from a non-oxidizable material to establish a preferential solder bump wetting for the pads. Alternately, the contact bumps on the flip-chips can be precisely positioned through corresponding openings in a passivation layer over the interconnection network. For thin circuit substrates that are too soft for successful flip-chip mounting, stiffening substrates are laminated to the circuit substrates. In a self-contained antenna application in which two of the circuit substrates are laminated together, with an antenna on one side and circuitry on the other side, a metallic ground plane between the substrates also serves a stiffening function.

摘要翻译： 微波/毫米波电路结构通过倒装芯片安装到低成本非陶瓷和非半导体电介质基底（优选为Duroid）上的互连网络来支持分立电路元件。 通过氧化互连网络来提供电路元件与高工作频率所需的基板网络上的接触焊盘的必要精确对准，但是提供来自不可氧化材料的接触焊盘以建立用于焊盘的优先焊料凸块润湿 。 或者，倒装芯片上的接触凸块可以通过互连网络上的钝化层中的相应开口精确定位。 对于对于成功倒装芯片安装来说太软的薄电路基板，加固基板被层压到电路基板上。 在其中两个电路基板层叠在一起的独立天线应用中，一侧的天线和另一侧的电路，在基板之间的金属接地平面也起增强作用。

公开(公告)号：US5612551A

公开(公告)日：1997-03-18

申请号：US672210

申请日：1996-06-27

申请人： Takyiu Liu ,  Chanh Nguyen ,  Mehran Matloubian

发明人： Takyiu Liu ,  Chanh Nguyen ,  Mehran Matloubian

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/203 ,  H01L21/331 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/737 ,  H01L31/0328

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/201 ,  H01L29/7371 ,  Y10S148/072

摘要： An epitaxial structure and method of manufacture for a single heterojunction bipolar transistor capable of being utilized in high-speed and high-power applications. Preferably, the epitaxial structure comprises an N-type collector made from InP, a P-type base made from InP, and an N-type emitter made from a semiconductor material of approximately 39 mole percent AlP and approximately 61 mole percent Sb.

摘要翻译： 用于单个异质结双极晶体管的外延结构和制造方法，其能够用于高速和大功率应用中。 优选地，外延结构包括由InP制成的N型集电体，由InP制成的P型基极和由约39摩尔％的AlP和约61摩尔％的Sb的半导体材料制成的N型发射极。

公开(公告)号：US5610086A

公开(公告)日：1997-03-11

申请号：US468584

申请日：1995-06-06

申请人： Takyiu Liu ,  Chanh Nguyen ,  Mehran Matloubian

发明人： Takyiu Liu ,  Chanh Nguyen ,  Mehran Matloubian

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/203 ,  H01L21/331 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/737 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/201 ,  H01L29/7371 ,  Y10S148/072

摘要： An epitaxial structure and method of manufacture for a single heterojunction bipolar transistor capable of being utilized in high-speed and high-power applications. Preferably, the epitaxial structure comprises an N-type collector made from InP, a P-type base made from InP, and an N-type emitter made from a semiconductor material of approximately 39 mole percent AlP and approximately 61 mole percent Sb.

摘要翻译： 用于单个异质结双极晶体管的外延结构和制造方法，其能够用于高速和大功率应用中。 优选地，外延结构包括由InP制成的N型集电体，由InP制成的P型基极和由约39摩尔％的AlP和约61摩尔％的Sb的半导体材料制成的N型发射极。