公开(公告)号：US20050211976A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US11061459

申请日：2005-02-22

申请人： Michael Redecker ,  Joerg Fischer ,  Arthur Mathea

发明人： Michael Redecker ,  Joerg Fischer ,  Arthur Mathea

IPC分类号： H01L21/28 ,  G09F9/30 ,  H01L21/00 ,  H01L21/316 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L35/24 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L21/31604 ,  H01L51/0036

摘要： An organic-field effect transistor, a method of manufacturing the same, and a flat panel display device including the organic-field effect transistor. The organic-field effect transistor includes an organic semiconductor layer, a gate electrode, and a charge carrier blocking layer. The charge carrier blocking layer is interposed between the gate electrode and the organic semiconductor layer, and it comprises a semiconducting material.

摘要翻译： 有机场效应晶体管，其制造方法以及包括有机场效应晶体管的平板显示装置。 有机场效应晶体管包括有机半导体层，栅电极和电荷载流子阻挡层。 电荷载流子阻挡层插入在栅电极和有机半导体层之间，并且其包括半导体材料。

公开(公告)号：US07838871B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US11061459

申请日：2005-02-22

申请人： Michael Redecker ,  Joerg Fischer ,  Arthur Mathea

发明人： Michael Redecker ,  Joerg Fischer ,  Arthur Mathea

IPC分类号： H01L35/24

CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L21/31604 ,  H01L51/0036

摘要： An organic-field effect transistor, a method of manufacturing the same, and a flat panel display device including the organic-field effect transistor. The organic-field effect transistor includes an organic semiconductor layer, a gate electrode, and a charge carrier blocking layer. The charge carrier blocking layer is interposed between the gate electrode and the organic semiconductor layer, and it comprises a semiconducting material.

摘要翻译： 有机场效应晶体管，其制造方法以及包括有机场效应晶体管的平板显示装置。 有机场效应晶体管包括有机半导体层，栅电极和电荷载流子阻挡层。 电荷载流子阻挡层插入在栅电极和有机半导体层之间，并且其包括半导体材料。

公开(公告)号：US07285795B2

公开(公告)日：2007-10-23

申请号：US11073867

申请日：2005-03-08

申请人： Michael Redecker ,  Joerg Fischer ,  Arthur Mathea

发明人： Michael Redecker ,  Joerg Fischer ,  Arthur Mathea

IPC分类号： H01L35/24 ,  H01L29/04

CPC分类号： G09F9/30 ,  H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/772 ,  H01L29/786 ,  H01L29/80 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/057 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

摘要： Provided are a vertical field-effect transistor, a method of manufacturing the same, and a display device having the same. The method is highly reproducible and can be used to manufacture a vertical organic field-effect transistor at a low cost. In addition, the method does not require photolithography and a shadow mask. In the vertical field-effect transistor, a source electrode is formed on a substrate, and an insulating layer and discontinuous gate electrodes are formed. Then, a charge carrier block layer, an organic semiconductor material, and a drain electrode are formed. The gate electrodes are formed using nanoparticles.

摘要翻译： 提供了垂直场效应晶体管，其制造方法和具有该场效应晶体管的显示装置。 该方法具有高度可重现性，可用于以低成本制造垂直有机场效应晶体管。 另外，该方法不需要光刻和荫罩。 在垂直场效应晶体管中，在基板上形成源电极，形成绝缘层和非连续栅电极。 然后，形成电荷载流子阻挡层，有机半导体材料和漏极。 使用纳米颗粒形成栅电极。

公开(公告)号：US20050202587A1

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：US11073867

申请日：2005-03-08

申请人： Michael Redecker ,  Joerg Fischer ,  Arthur Mathea

发明人： Michael Redecker ,  Joerg Fischer ,  Arthur Mathea

IPC分类号： H01L51/50 ,  G09F9/30 ,  H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/772 ,  H01L29/786 ,  H01L29/80 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H05B33/14

CPC分类号： G09F9/30 ,  H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/772 ,  H01L29/786 ,  H01L29/80 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/057 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

摘要： Provided are a vertical field-effect transistor, a method of manufacturing the same, and a display device having the same. The method is highly reproducible and can be used to manufacture a vertical organic field-effect transistor at a low cost. In addition, the method does not require photolithography and a shadow mask. In the vertical field-effect transistor, a source electrode is formed on a substrate, and an insulating layer and discontinuous gate electrodes are formed. Then, a charge carrier block layer, an organic semiconductor material, and a drain electrode are formed. The gate electrodes are formed using nanoparticles.

摘要翻译： 提供了垂直场效应晶体管，其制造方法和具有该场效应晶体管的显示装置。 该方法具有高度可重现性，可用于以低成本制造垂直有机场效应晶体管。 另外，该方法不需要光刻和荫罩。 在垂直场效应晶体管中，在基板上形成源电极，形成绝缘层和非连续栅电极。 然后，形成电荷载流子阻挡层，有机半导体材料和漏极。 使用纳米颗粒形成栅电极。

公开(公告)号：US08598572B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US13176244

申请日：2011-07-05

申请人： Arthur Mathea ,  Joerg Fischer ,  Marcus Schaedig

发明人： Arthur Mathea ,  Joerg Fischer ,  Marcus Schaedig

IPC分类号： H01L33/38

CPC分类号： H01L51/0019 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/0004 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are an electronic device including a bank structure and a method of manufacturing the same. The method of manufacturing the electronic device requires a fewer number of processes and comprises a direct patterning of insulating layers, such as fluorinated organic polymer layers, is possible using cost-efficient techniques such as inkjet printing.

摘要翻译： 提供一种包括银行结构的电子设备及其制造方法。 制造电子器件的方法需要更少数量的工艺，并且包括诸如氟化有机聚合物层之类的绝缘层的直接图案化是可能的，其使用诸如喷墨印刷的成本有效的技术。

公开(公告)号：US08981348B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US11714622

申请日：2007-03-05

申请人： Joerg Fischer ,  Arthur Mathea ,  Marcus Schaedig

发明人： Joerg Fischer ,  Arthur Mathea ,  Marcus Schaedig

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L51/40 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L51/0019 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0545

摘要： A semiconductor element (semiconductor device) including a substrate having a patterned structure of an organic semiconductor material and a method of manufacturing the semiconductor element are disclosed. According to one embodiment, the method of manufacturing the semiconductor element provides a substrate having a patterned structure of an organic semiconductor material which is cost-effective and which realizes a structure having a high degree of uniformity of the patterned semiconductor regions. The method includes: providing the substrate, applying a continuous layer of an organic semiconductor material onto the substrate, applying a solvent onto the continuous layer in the second regions thereby dissolving and removing the organic semiconductor material, which is located in the second regions, from the continuous layer.

摘要翻译： 公开了一种包括具有有机半导体材料的图案化结构的衬底的半导体元件（半导体器件）和制造该半导体元件的方法。 根据一个实施例，制造半导体元件的方法提供了具有成本有效的有机半导体材料的图案化结构并且实现了图案化半导体区域的高度均匀性的结构的衬底。 该方法包括：提供衬底，将有机半导体材料的连续层施加到衬底上，在第二区域中的连续层上施加溶剂，从而溶解和去除位于第二区域中的有机半导体材料 连续层。

公开(公告)号：US07993960B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US11956163

申请日：2007-12-13

申请人： Arthur Mathea ,  Joerg Fischer ,  Marcus Schaedig

发明人： Arthur Mathea ,  Joerg Fischer ,  Marcus Schaedig

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L51/0019 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/0004 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are an electronic device including a bank structure and a method of manufacturing the same. The method of manufacturing the electronic device requires a fewer number of processes and comprises a direct patterning of insulating layers, such as fluorinated organic polymer layers, is possible using cost-efficient techniques such as inkjet printing.

摘要翻译： 提供一种包括银行结构的电子设备及其制造方法。 制造电子器件的方法需要更少数量的工艺，并且包括诸如氟化有机聚合物层之类的绝缘层的直接图案化是可能的，其使用诸如喷墨印刷的成本有效的技术。

公开(公告)号：US07750350B2

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：US11380249

申请日：2006-04-26

申请人： Joerg Fischer ,  Arthur Mathea ,  Mario Breithecker

发明人： Joerg Fischer ,  Arthur Mathea ,  Mario Breithecker

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L29/04 ,  H01L29/15 ,  H01L31/036

CPC分类号： H01L27/3274 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/105

摘要： An organic thin film transistor with circular semiconducting elements applied to the substrate in a plurality of hexagonal patterns, a method of producing the same, and a shadow mask used in the method that allows for formation of the organic thin film transistor without need for precise alignment of the shadow mask on the substrate. The substrate has a plurality of thin film transistors, each having a drain electrode, a source electrode, a gate electrode, and a channel formed of semiconducting elements that, due to relative dimensions and alignments of the semiconducting elements, may connect both the drain electrode and the source electrode of one transistor but not two electrodes of adjacent transistors. The shadow mask includes openings in the hexagonal pattern, and the pattern is rotated at an angle of 15° relative to longitudinal axes of the drain and source electrodes to form channels.

摘要翻译： 具有以多个六边形图案施加到衬底的圆形半导体元件的有机薄膜晶体管，其制造方法和在允许形成有机薄膜晶体管而不需要精确对准的方法中使用的荫罩 的荫罩在基板上。 衬底具有多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管具有漏电极，源电极，栅电极和由半导体元件形成的沟道，由于半导体元件的相对尺寸和对准，可以将漏电极 和一个晶体管的源极，而不是相邻晶体管的两个电极。 阴影掩模包括六边形图案的开口，并且图案相对于漏极和源极的纵向轴线以15°的角度旋转以形成通道。

公开(公告)号：US20080138928A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11714622

申请日：2007-03-05

申请人： Joerg Fischer ,  Arthur Mathea ,  Marcus Schaedig

发明人： Joerg Fischer ,  Arthur Mathea ,  Marcus Schaedig

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0019 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0545

摘要： A semiconductor element (semiconductor device) including a substrate having a patterned structure of an organic semiconductor material and a method of manufacturing the semiconductor element are disclosed. According to one embodiment, the method of manufacturing the semiconductor element provides a substrate having a patterned structure of an organic semiconductor material which is cost-effective and which realizes a structure having a high degree of uniformity of the patterned semiconductor regions. The method includes: providing the substrate, applying a continuous layer of an organic semiconductor material onto the substrate, applying a solvent onto the continuous layer in the second regions thereby dissolving and removing the organic semiconductor material, which is located in the second regions, from the continuous layer.

摘要翻译： 公开了一种包括具有有机半导体材料的图案化结构的衬底的半导体元件（半导体器件）和制造该半导体元件的方法。 根据一个实施例，制造半导体元件的方法提供了具有成本有效的有机半导体材料的图案化结构并且实现了图案化半导体区域的高度均匀性的结构的衬底。 该方法包括：提供衬底，将有机半导体材料的连续层施加到衬底上，在第二区域中的连续层上施加溶剂，从而溶解和去除位于第二区域中的有机半导体材料 连续层。

公开(公告)号：US20110260183A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13176244

申请日：2011-07-05

申请人： Arthur Mathea ,  Joerg Fischer ,  Marcus Schaedig

发明人： Arthur Mathea ,  Joerg Fischer ,  Marcus Schaedig

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L51/0019 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/0004 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are an electronic device including a bank structure and a method of manufacturing the same. The method of manufacturing the electronic device requires a fewer number of processes and comprises a direct patterning of insulating layers, such as fluorinated organic polymer layers, is possible using cost-efficient techniques such as inkjet printing.

摘要翻译： 提供一种包括银行结构的电子设备及其制造方法。 制造电子器件的方法需要更少数量的工艺，并且包括诸如氟化有机聚合物层之类的绝缘层的直接图案化是可能的，其使用诸如喷墨印刷的成本有效的技术。