公开(公告)号：US20090174834A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：US12188934

申请日：2008-08-08

申请人： Seung-Ha CHOI ,  Min-Seok Oh ,  Yu-Gwang Jeong ,  Hong-Kee Chin ,  Shin-II Choi ,  Sang-Gab Kim ,  Kap-Soo Yoon ,  Doo-Hee Jung

发明人： Seung-Ha CHOI ,  Min-Seok Oh ,  Yu-Gwang Jeong ,  Hong-Kee Chin ,  Shin-II Choi ,  Sang-Gab Kim ,  Kap-Soo Yoon ,  Doo-Hee Jung

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/1368

CPC分类号： G02F1/136227 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288

摘要： One or more embodiments provide a liquid crystal display (LCD) including a thin-film transistor (TFT) with improved performance and a method of fabricating the LCD. In one embodiment, the LCD includes a gate electrode which is formed on an insulating substrate; an active layer which is formed on the gate electrode; an organic layer which is formed on the active layer and includes a first hole that exposes a source region and a second hole that exposes a drain region; a source electrode which fills the first hole; and a drain electrode which fills the second hole.

摘要翻译： 一个或多个实施例提供了包括具有改进性能的薄膜晶体管（TFT）的液晶显示器（LCD）和制造LCD的方法。 在一个实施例中，LCD包括形成在绝缘基板上的栅电极; 形成在栅电极上的有源层; 有机层，其形成在有源层上，并且包括露出源极区域的第一孔和露出漏极区域的第二孔; 源电极填充第一孔; 以及填充第二孔的漏电极。

公开(公告)号：US20080087633A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11870806

申请日：2007-10-11

申请人： Min-Seok OH ,  Sang-Gab Kim ,  Yu-Gwang Jeong ,  Seung-Ha Choi ,  Hong-Kee Chin ,  Shin-II Choi

发明人： Min-Seok OH ,  Sang-Gab Kim ,  Yu-Gwang Jeong ,  Seung-Ha Choi ,  Hong-Kee Chin ,  Shin-II Choi

IPC分类号： C23F1/12

CPC分类号： C23F1/12 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/32136 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

摘要： A method for forming a metal line includes sequentially depositing a low-resistivity metal layer having aluminum on a base substrate and an upper layer having molybdenum on the low-resistivity metal layer, forming a photoresist pattern having a linear shape on the upper layer, etching the upper layer via a mixed gas using the photoresist pattern as a mask, the mixed gas including a chlorine based gas mixed with an additional gas having at least one of nitrogen gas, argon gas, helium gas and sulfur hexafluoride gas, and etching the low-resistivity metal layer using the photoresist pattern as the mask thereby removing any stringer that may be caused by a residue of the low-resistivity metal layer.

摘要翻译： 一种形成金属线的方法包括在低电阻率金属层上顺次沉积具有铝的低电阻率金属层，在低电阻金属层上形成具有线性形状的光致抗蚀剂图案，蚀刻 通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模的混合气体的上层，所述混合气体包括与具有氮气，氩气，氦气和六氟化硫气体中的至少一种的附加气体混合的氯基气体，并且蚀刻低 使用光致抗蚀剂图案作为掩模，从而去除可能由低电阻率金属层的残留物引起的任何桁条。

公开(公告)号：US08642367B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US13042348

申请日：2011-03-07

申请人： Yu-Gwang Jeong ,  Young-Wook Lee ,  Sang-Gab Kim ,  Woo-Geun Lee ,  Min-Seok Oh ,  Jang-Soo Kim ,  Kap-Soo Yoon ,  Shin-Il Choi ,  Hong-Kee Chin ,  Seung-Ha Choi ,  Seung-Hwan Shim ,  Sung-Hoon Yang ,  Ki-Hun Jeong

发明人： Yu-Gwang Jeong ,  Young-Wook Lee ,  Sang-Gab Kim ,  Woo-Geun Lee ,  Min-Seok Oh ,  Jang-Soo Kim ,  Kap-Soo Yoon ,  Shin-Il Choi ,  Hong-Kee Chin ,  Seung-Ha Choi ,  Seung-Hwan Shim ,  Sung-Hoon Yang ,  Ki-Hun Jeong

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L27/127 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

摘要： Embodiments of the present invention relate to a thin film transistor and a manufacturing method of a display panel, and include forming a gate line including a gate electrode on a substrate, forming a gate insulating layer on the gate electrode, forming an intrinsic semiconductor on the gate insulating layer, forming an extrinsic semiconductor on the intrinsic semiconductor, forming a data line including a source electrode and a drain electrode on the extrinsic semiconductor, and plasma-treating a portion of the extrinsic semiconductor between the source electrode and the drain electrode to form a protection member and ohmic contacts on respective sides of the protection member. Accordingly, the process for etching the extrinsic semiconductor and forming an inorganic insulating layer for protecting the intrinsic semiconductor may be omitted such that the manufacturing process of the display panel may be simplified, manufacturing cost may be reduced, and productivity may be improved.

摘要翻译： 本发明的实施例涉及薄膜晶体管和显示面板的制造方法，包括在基板上形成包括栅电极的栅极线，在栅电极上形成栅绝缘层，在栅电极上形成本征半导体 栅极绝缘层，在本征半导体上形成非本征半导体，在外部半导体上形成包括源电极和漏电极的数据线，以及对源电极和漏极之间的非本征半导体的一部分进行等离子体处理，以形成 保护构件和保护构件的相应侧上的欧姆接触。 因此，可以省略用于蚀刻外部半导体和形成用于保护本征半导体的无机绝缘层的工艺，从而可以简化显示面板的制造工艺，可以降低制造成本，并且可以提高生产率。

公开(公告)号：US07982223B2

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：US12372212

申请日：2009-02-17

申请人： Seung-Ha Choi ,  Min-Seok Oh ,  Sang-Gab Kim ,  Hong-Kee Chin ,  Yu-Gwang Jeong

发明人： Seung-Ha Choi ,  Min-Seok Oh ,  Sang-Gab Kim ,  Hong-Kee Chin ,  Yu-Gwang Jeong

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

摘要： In a display apparatus and a method of manufacturing the display apparatus, a first insulating layer having a trench and a second insulating layer having a via hole corresponding to the trench are formed on an array substrate. After forming a seed layer in the trench, a conductive layer is formed on the seed layer through a plating process, thereby forming the gate line, the gate electrode and the storage line accommodated in the trench and the via hole.

摘要翻译： 在显示装置和显示装置的制造方法中，在阵列基板上形成具有沟槽的第一绝缘层和具有与沟槽对应的通路孔的第二绝缘层。 在沟槽中形成晶种层之后，通过电镀工艺在晶种层上形成导电层，从而形成栅极线，栅极电极和容纳在沟槽和通孔中的存储线。

公开(公告)号：US20090152635A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12331361

申请日：2008-12-09

申请人： Yu-Gwang JEONG ,  Young-Wook Lee ,  Sang-Gab Kim ,  Woo-Geun Lee ,  Min-Seok Oh ,  Jang-Soo Kim ,  Kap-Soo Yoon ,  Shin-Il Choi ,  Hong-Kee Chin ,  Seung-Ha Choi ,  Seung-Hwan Shim ,  Sung-Hoon Yang ,  Ki-Hun Jeong

发明人： Yu-Gwang JEONG ,  Young-Wook Lee ,  Sang-Gab Kim ,  Woo-Geun Lee ,  Min-Seok Oh ,  Jang-Soo Kim ,  Kap-Soo Yoon ,  Shin-Il Choi ,  Hong-Kee Chin ,  Seung-Ha Choi ,  Seung-Hwan Shim ,  Sung-Hoon Yang ,  Ki-Hun Jeong

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/127 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

摘要： Embodiments of the present invention relate to a thin film transistor and a manufacturing method of a display panel, and include forming a gate line including a gate electrode on a substrate, forming a gate insulating layer on the gate electrode, forming an intrinsic semiconductor on the gate insulating layer, forming an extrinsic semiconductor on the intrinsic semiconductor, forming a data line including a source electrode and a drain electrode on the extrinsic semiconductor, and plasma-treating a portion of the extrinsic semiconductor between the source electrode and the drain electrode to form a protection member and ohmic contacts on respective sides of the protection member. Accordingly, the process for etching the extrinsic semiconductor and forming an inorganic insulating layer for protecting the intrinsic semiconductor may be omitted such that the manufacturing process of the display panel may be simplified, manufacturing cost may be reduced, and productivity may be improved.

摘要翻译： 本发明的实施例涉及薄膜晶体管和显示面板的制造方法，包括在基板上形成包括栅电极的栅极线，在栅电极上形成栅绝缘层，在栅电极上形成本征半导体 栅极绝缘层，在本征半导体上形成非本征半导体，在外部半导体上形成包括源电极和漏电极的数据线，以及对源电极和漏极之间的非本征半导体的一部分进行等离子体处理，以形成 保护构件和保护构件的相应侧上的欧姆接触。 因此，可以省略用于蚀刻外部半导体和形成用于保护本征半导体的无机绝缘层的工艺，从而可以简化显示面板的制造工艺，可以降低制造成本，并且可以提高生产率。

公开(公告)号：US20080017884A1

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：US11766329

申请日：2007-06-21

申请人： Chang-Oh Jeong ,  Sang-Gab Kim ,  Jun-Hyung Souk ,  Hong-Gyun Kim ,  In-Sun Hwang ,  Min-Seok Oh ,  Hong-Kee Chin ,  Yu-Gwang Jeong ,  Seung-Ha Choi ,  Hi-Kuk Lee ,  Shi-Yul Kim

发明人： Chang-Oh Jeong ,  Sang-Gab Kim ,  Jun-Hyung Souk ,  Hong-Gyun Kim ,  In-Sun Hwang ,  Min-Seok Oh ,  Hong-Kee Chin ,  Yu-Gwang Jeong ,  Seung-Ha Choi ,  Hi-Kuk Lee ,  Shi-Yul Kim

IPC分类号： H01L27/13 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/48

CPC分类号： G02F1/133528 ,  G02F1/134336 ,  G02F2001/133548 ,  H01L27/12

摘要： A display apparatus includes a first substrate, a gate line formed on the first substrate, a gate insulating layer formed on the gate line, a semiconductor layer formed on the gate insulating layer, a data line formed on the semiconductor layer and including a source electrode, a drain electrode facing the source electrode, a first electrode electrically connected to the drain electrode, in a second substrate facing the first substrate, a second electrode formed on the second substrate, and a liquid crystal layer disposed between the first electrode and the second electrode. At least one of the first and second electrodes includes a plurality of line patterns to polarize incident light.

摘要翻译： 显示装置包括第一基板，形成在第一基板上的栅极线，形成在栅极线上的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的半导体层，形成在半导体层上的数据线，并且包括源极 面对源电极的漏电极，与漏电极电连接的第一电极，与第一衬底相对的第二衬底，形成在第二衬底上的第二电极，以及设置在第一电极和第二电极之间的液晶层 电极。 第一和第二电极中的至少一个包括使入射光偏振的多个线图案。

公开(公告)号：US08643012B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US12952744

申请日：2010-11-23

申请人： Min-Seok Oh ,  Bong-Kyu Shin ,  Sang-Gab Kim ,  Eun-Guk Lee ,  Hong-Kee Chin ,  Yu-Gwang Jeong ,  Seung-Ha Choi

发明人： Min-Seok Oh ,  Bong-Kyu Shin ,  Sang-Gab Kim ,  Eun-Guk Lee ,  Hong-Kee Chin ,  Yu-Gwang Jeong ,  Seung-Ha Choi

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： G02F1/136227 ,  G02F1/13439 ,  G02F2201/50

摘要： A method of forming a display substrate includes forming an array layer on a substrate, forming a passivation layer on the array layer, forming a photoresist pattern on the passivation layer corresponding to a gate line, a source line and a thin-film transistor of the array layer, etching the passivation layer using the photoresist pattern as a mask, Non-uniformly surface treating a surface of the photoresist pattern, forming a transparent electrode layer on the substrate having the surface-treated photoresist pattern formed thereon and forming a pixel electrode. The forming a pixel electrode includes removing the photoresist pattern and the transparent electrode layer, such as by infiltrating a strip solution into the surface-treated photoresist pattern.

摘要翻译： 形成显示基板的方法包括在基板上形成阵列层，在阵列层上形成钝化层，在对应于栅极线，源极线和薄膜晶体管的钝化层上形成光致抗蚀剂图案 使用光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻钝化层，对光致抗蚀剂图案的表面进行不均匀的表面处理，在其上形成有表面处理的光致抗蚀剂图案的基板上形成透明电极层并形成像素电极。 形成像素电极包括通过将带状溶液浸入表面处理的光致抗蚀剂图案中去除光致抗蚀剂图案和透明电极层。

公开(公告)号：US08273612B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US12981287

申请日：2010-12-29

申请人： Min-Seok Oh ,  Yang-Ho Bae ,  Pil-Sang Yun ,  Byeong-Beom Kim ,  Seung-Ha Choi ,  Sang-Gab Kim ,  Chang-Ho Jeong ,  Shin-Il Choi ,  Hong-Kee Chin ,  Yu-Gwang Jeong ,  Dong-Ju Yang

发明人： Min-Seok Oh ,  Yang-Ho Bae ,  Pil-Sang Yun ,  Byeong-Beom Kim ,  Seung-Ha Choi ,  Sang-Gab Kim ,  Chang-Ho Jeong ,  Shin-Il Choi ,  Hong-Kee Chin ,  Yu-Gwang Jeong ,  Dong-Ju Yang

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L27/12 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

摘要： In a display panel and a method of manufacturing the display panel, a gate line, a data line, and source and drain electrodes including a same material as the data line are formed on a substrate constituting the display panel, and the data line includes an aluminum based alloy containing sufficient nickel to inhibit corrosion during dry etching. The corrosion resistance of the AlNi-containing alloy helps prevent corrosion of the data line, the source electrode, and the drain electrode during selective dry etching that shapes these lines and electrodes.

摘要翻译： 在显示面板和制造显示面板的方法中，在构成显示面板的基板上形成包括与数据线相同材料的栅极线，数据线以及源极和漏极，并且数据线包括 铝基合金含有足够的镍以在干蚀刻期间抑制腐蚀。 含有AlNi的合金的耐腐蚀性有助于防止在形成这些线和电极的选择性干蚀刻期间数据线，源电极和漏电极的腐蚀。

公开(公告)号：US07758760B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US11544987

申请日：2006-10-06

申请人： Seung-Ha Choi ,  Min-Seok Oh ,  Hong-Kee Chin ,  Sang-Gab Kim ,  Yu-Gwang Jeong

发明人： Seung-Ha Choi ,  Min-Seok Oh ,  Hong-Kee Chin ,  Sang-Gab Kim ,  Yu-Gwang Jeong

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

摘要： A thin film transistor (TFT) array panel and method of manufacturing the same are provided. The method includes forming a semiconductor layer and an ohmic contact layer over a gate line, forming a conductive layer on the ohmic contact layer, forming a first photosensitive layer pattern on the conductive layer, etching the conductive layer using the first photosensitive layer pattern as an etching mask, etching the ohmic contact layer and the semiconductor layer by a fluorine-containing gas, a chloride-containing gas, and an oxygen (O2) gas using the first photosensitive layer pattern as an etching mask, removing the first photosensitive layer pattern to a predetermined thickness to form a second photosensitive layer pattern, and etching the conductive layer using the second photosensitive layer pattern as an etching mask to expose a part of the ohmic contact layer.

摘要翻译： 提供薄膜晶体管（TFT）阵列面板及其制造方法。 该方法包括在栅极线上形成半导体层和欧姆接触层，在欧姆接触层上形成导电层，在导电层上形成第一感光层图案，使用第一感光层图案蚀刻导电层，作为 蚀刻掩模，使用第一感光层图案作为蚀刻掩模，通过含氟气体，含氯气体和氧（O 2）气蚀刻欧姆接触层和半导体层，将第一感光层图案去除 预定厚度以形成第二感光层图案，并且使用第二感光层图案蚀刻导电层作为蚀刻掩模以暴露欧姆接触层的一部分。

公开(公告)号：US08247815B2

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：US12900634

申请日：2010-10-08

申请人： Shin-Il Choi ,  Sang-Gab Kim ,  Hong-Kee Chin ,  Min-Seok Oh ,  Yu-Gwang Jeong ,  Seung-Ha Choi

发明人： Shin-Il Choi ,  Sang-Gab Kim ,  Hong-Kee Chin ,  Min-Seok Oh ,  Yu-Gwang Jeong ,  Seung-Ha Choi

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L31/20 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0376

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

摘要： A method of fabricating a thin film transistor includes forming a gate electrode on a substrate, forming a semiconductor layer on the gate electrode, forming a source electrode on the semiconductor layer, forming a drain electrode on the semiconductor layer spaced apart from the source electrode, forming a copper layer pattern on the source electrode and the drain electrode, exposing the copper layer pattern on the source electrode and the drain electrode to a fluorine-containing process gas to form a copper fluoride layer pattern thereon, and patterning the semiconductor layer.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管的制造方法，包括在基板上形成栅电极，在栅电极上形成半导体层，在半导体层上形成源电极，在与源电极间隔开的半导体层上形成漏电极， 在源电极和漏电极上形成铜层图案，将源电极和漏电极上的铜层图案暴露于含氟处理气体，以在其上形成氟化铜层图案，并对该半导体层进行构图。