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    PRE-HEAT RING DESIGNS TO INCREASE DEPOSITION UNIFORMITY AND SUBSTRATE THROUGHPUT
    1.
    发明申请
    PRE-HEAT RING DESIGNS TO INCREASE DEPOSITION UNIFORMITY AND SUBSTRATE THROUGHPUT 有权
    预热环设计增加沉积物的均匀性和基底

    公开(公告)号：US20120103263A1

    公开(公告)日：2012-05-03

    申请号：US13250906

    申请日：2011-09-30

    申请人： NYI O. MYO ,  John S. Webb ,  Masato Ishii ,  Xuebin Li ,  Zhiyuan Ye ,  Ali Zojaji

    发明人： NYI O. MYO ,  John S. Webb ,  Masato Ishii ,  Xuebin Li ,  Zhiyuan Ye ,  Ali Zojaji

    IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/458

    CPC分类号： C23C16/45591 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67386 ,  H01L21/687 ,  H01L21/68792

    摘要： Embodiments of the present invention generally relates to apparatus for use in film depositions. The apparatus generally include pre-heat rings adapted to be positioned in a processing chamber. In one embodiment, a pre-heat ring includes a ring having an inner edge and an outer edge. The outer edge has a constant radius. The inner edge is oblong-shaped and may have a first portion having a constant radius measured from a center of a circle defined by an outer circumference of the ring. A second portion may have a constant radius measured from a location other than the center of the outer circumference. In another embodiment, a processing chamber includes a pre-heat ring positioned around the periphery of a substrate support. The pre-heat ring includes an inner edge having a first portion, a second portion, and one or more linear portions positioned between the first portion and the second portion.

    摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及用于膜沉积的装置。 该设备通常包括适于定位在处理室中的预热环。 在一个实施例中，预热环包括具有内边缘和外边缘的环。 外边缘具有恒定的半径。 内边缘是长圆形的，并且可以具有从由环的外圆周限定的圆的中心测量的具有恒定半径的第一部分。 第二部分可以具有从除了外圆周的中心之外的位置测量的恒定的半径。 在另一个实施例中，处理室包括围绕衬底支撑件的周边定位的预热环。 预热环包括具有第一部分，第二部分和位于第一部分和第二部分之间的一个或多个直线部分的内边缘。

    METHODS AND APPARATUS FOR DEPOSITION PROCESSES
    2.
    发明申请
    METHODS AND APPARATUS FOR DEPOSITION PROCESSES 有权
    沉积过程的方法和装置

    公开(公告)号：US20110209660A1

    公开(公告)日：2011-09-01

    申请号：US13028842

    申请日：2011-02-16

    申请人： NYI O. MYO ,  KEVIN BAUTISTA ,  ZHIYUAN YE ,  SCHUBERT S. CHU ,  YIHWAN KIM

    发明人： NYI O. MYO ,  KEVIN BAUTISTA ,  ZHIYUAN YE ,  SCHUBERT S. CHU ,  YIHWAN KIM

    IPC分类号： C30B25/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52

    CPC分类号： C30B25/12 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

    摘要： Methods and apparatus for deposition processes are provided herein. In some embodiments, an apparatus may include a substrate support comprising a susceptor plate having a pocket disposed in an upper surface of the susceptor plate and having a lip formed in the upper surface and circumscribing the pocket, the lip configured to support a substrate on the lip; and a plurality of vents extending from the pocket to the upper surface of the susceptor plate to exhaust gases trapped between the backside of the substrate and the pocket when a substrate is disposed on the lip. Methods of utilizing the inventive apparatus for depositing a layer on a substrate are also disclosed.

    摘要翻译： 本文提供了沉积工艺的方法和设备。 在一些实施例中，设备可以包括基底支撑件，其包括基座板，所述基座板具有设置在所述基座板的上表面中的口袋，并且具有形成在所述上表面中并围绕所述口袋的唇缘，所述​​唇缘构造成将基底 唇; 以及多个通气孔，当基底设置在唇缘上时，从口袋延伸到基座板的上表面以排出被捕获在基底的背面和口袋之间的气体。 还公开了利用本发明的用于在衬底上沉积层的方法。

    EPITAXIAL CHAMBER WITH CROSS FLOW
    3.
    发明申请
    EPITAXIAL CHAMBER WITH CROSS FLOW 有权
    具有交叉流动的外墙室

    公开(公告)号：US20110174212A1

    公开(公告)日：2011-07-21

    申请号：US12887647

    申请日：2010-09-22

    申请人： BALASUBRAMANIAN RAMACHANDRAN ,  ERROL ANTONIO C. SANCHEZ ,  NYI O. MYO ,  KEVIN JOSEPH BAUTISTA ,  HARPREET SINGH JUNEJA ,  ZUOMING ZHU

    发明人： BALASUBRAMANIAN RAMACHANDRAN ,  ERROL ANTONIO C. SANCHEZ ,  NYI O. MYO ,  KEVIN JOSEPH BAUTISTA ,  HARPREET SINGH JUNEJA ,  ZUOMING ZHU

    IPC分类号： C30B25/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  C30B25/16

    CPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/14 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

    摘要： Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. In some embodiments, an apparatus for processing a substrate includes a process chamber having a substrate support disposed therein to support a processing surface of a substrate at a desired position within the process chamber; a first inlet port to provide a first process gas over the processing surface of the substrate in a first direction; a second inlet port to provide a second process gas over the processing surface of the substrate in a second direction different from the first direction, wherein an azimuthal angle measured between the first direction and the second direction with respect to a central axis of the substrate support is up to about 145 degrees; and an exhaust port disposed opposite the first inlet port to exhaust the first and second process gases from the process chamber.

    摘要翻译： 本文提供了用于处理衬底的方法和设备。 在一些实施例中，用于处理衬底的设备包括处理室，其具有设置在其中的衬底支撑件，以在处理室内的期望位置处支撑衬底的处理表面; 第一入口端口，用于在第一方向上在衬底的处理表面上提供第一工艺气体; 第二入口端口，用于在不同于第一方向的第二方向上在衬底的处理表面上提供第二工艺气体，其中在第一方向和第二方向之间相对于衬底支撑件的中心轴线测量的方位角 高达约145度; 以及与第一入口相对设置的排气口，以从处理室排出第一和第二处理气体。