公开(公告)号：US20110183444A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US13058587

申请日：2009-08-13

申请人： Nicole Auth ,  Petra Spies ,  Rainer Becker ,  Thorsten Hofmann ,  Klaus Edinger

发明人： Nicole Auth ,  Petra Spies ,  Rainer Becker ,  Thorsten Hofmann ,  Klaus Edinger

IPC分类号： H01L21/66 ,  C23F1/08

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136

摘要： The invention relates to a method for electron beam induced etching of a material (100, 200) with the method steps providing at least one etching gas at a position of the material (100, 200) at which an electron beam impacts on the material (100, 200) and simultaneously providing at least one passivation gas which is adapted for slowing down or inhibiting a spontaneous etching by the at least one etching gas

摘要翻译： 本发明涉及一种用于电子束感应蚀刻材料（100,200）的方法，该方法步骤在电子束撞击材料（100,200）的位置提供至少一种蚀刻气体（ 100,200），并且同时提供至少一个钝化气体，所述钝化气体适于减缓或抑制所述至少一种蚀刻气体的自发蚀刻

公开(公告)号：US08318593B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US13058493

申请日：2009-08-07

申请人： Nicole Auth ,  Petra Spies ,  Rainer Becker ,  Thorsten Hofmann ,  Klaus Edinger

发明人： Nicole Auth ,  Petra Spies ,  Rainer Becker ,  Thorsten Hofmann ,  Klaus Edinger

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： C23C16/487 ,  C23C16/047 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76892 ,  H01L21/76898

摘要： The invention relates to a method for electron beam induced deposition of electrically conductive material from a metal carbonyl with the method steps of providing at least one electron beam at a position of a substrate, storing at least one metal carbonyl at a first temperature, and heating the at least one metal carbonyl to at least one second temperature prior to the provision at the position at which the at least one electron beam impacts on the substrate.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于电子束从金属羰基沉积导电材料的方法，其方法步骤是在衬底的位置处提供至少一个电子束，在第一温度下储存至少一种金属羰基，以及加热 所述至少一种金属羰基至少在所述至少一个电子束冲击所述基底的位置之前提供至少一个第二温度。

公开(公告)号：US08623230B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US12744586

申请日：2008-12-18

申请人： Nicole Auth ,  Petra Spies ,  Tristan Bret ,  Rainer Becker ,  Thorsten Hofmann ,  Klaus Edinger

发明人： Nicole Auth ,  Petra Spies ,  Tristan Bret ,  Rainer Becker ,  Thorsten Hofmann ,  Klaus Edinger

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C23F4/00 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/28 ,  H01J2237/3174 ,  H01L21/76894 ,  H01L22/22 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present method relates to processes for the removal of a material from a sample by a gas chemical reaction activated by a charged particle beam. The method is a multiple step process wherein in a first step a gas is supplied which, when a chemical reaction between the gas and the material is activated, forms a non-volatile material component such as a metal salt or a metaloxide. In a second consecutive step the reaction product of the first chemical reaction is removed from the sample.

摘要翻译： 本方法涉及通过由带电粒子束激活的气体化学反应从样品中去除材料的方法。 该方法是多步骤方法，其中在第一步骤中，供应气体，当气体和材料之间的化学反应活化时，形成非挥发性物质组分如金属盐或金属氧化物。 在第二个连续步骤中，从样品中除去第一化学反应的反应产物。

公开(公告)号：US20110183517A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US13058493

申请日：2009-08-07

申请人： Nicole Auth ,  Petra Spies ,  Rainer Becker ,  Thorsten Hofmann ,  Klaus Edinger

发明人： Nicole Auth ,  Petra Spies ,  Rainer Becker ,  Thorsten Hofmann ,  Klaus Edinger

IPC分类号： H01L21/768 ,  G21K5/00 ,  H01L21/3205

CPC分类号： C23C16/487 ,  C23C16/047 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76892 ,  H01L21/76898

摘要： The invention relates to a method for electron beam induced deposition of electrically conductive material from a metal carbonyl with the method steps of providing at least one electron beam at a position of a substrate (90), storing at least one metal carbonyl at a first temperature, and heating the at least one metal carbonyl to at least one second temperature prior to the provision at the position at which the at least one electron beam impacts on the substrate (90).

摘要翻译： 本发明涉及一种用于电子束从金属羰基沉积导电材料的方法，其方法步骤是在衬底（90）的位置处提供至少一个电子束，在第一温度下存储至少一种金属羰基 并且在所述至少一个电子束撞击到所述基板（90）的位置之前，将所述至少一种金属羰基加热至至少一个第二温度。

公开(公告)号：US09023666B2

公开(公告)日：2015-05-05

申请号：US13058587

申请日：2009-08-13

申请人： Nicole Auth ,  Petra Spies ,  Rainer Becker ,  Thorsten Hofmann ,  Klaus Edinger

发明人： Nicole Auth ,  Petra Spies ,  Rainer Becker ,  Thorsten Hofmann ,  Klaus Edinger

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136

摘要： The invention relates to a method for electron beam induced etching of a material (100, 200) with the method steps providing at least one etching gas at a position of the material (100, 200) at which an electron beam impacts on the material (100, 200) and simultaneously providing at least one passivation gas which is adapted for slowing down or inhibiting a spontaneous etching by the at least one etching gas.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于电子束感应蚀刻材料（100,200）的方法，该方法步骤在电子束撞击材料（100,200）的位置提供至少一种蚀刻气体（ 100,200），并且同时提供至少一个钝化气体，该钝化气体适于减缓或抑制至少一种蚀刻气体的自发蚀刻。

公开(公告)号：US08632687B2

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：US13058635

申请日：2009-08-11

申请人： Nicole Auth ,  Petra Spies ,  Rainer Becker ,  Thorsten Hofmann ,  Klaus Edinger

发明人： Nicole Auth ,  Petra Spies ,  Rainer Becker ,  Thorsten Hofmann ,  Klaus Edinger

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/3056 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136

摘要： The invention relates to a method for electron beam induced etching of a layer contaminated with gallium, with the method steps of providing at least one first halogenated compound as an etching gas at the position at which an electron beam impacts on the layer, and providing at least one second halogenated compound as a precursor gas for removing of the gallium from this position.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于电子束诱导的被镓污染的层的蚀刻的方法，其方法步骤是在电子束冲击该层的位置处提供至少一种第一卤化化合物作为蚀刻气体，并且在 至少一个第二卤代化合物作为用于从该位置除去镓的前体气体。

公开(公告)号：US20110183523A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US13058635

申请日：2009-08-11

申请人： Nicole Auth ,  Petra Spies ,  Rainer Becker ,  Thorsten Hofmann ,  Klaus Edinger

发明人： Nicole Auth ,  Petra Spies ,  Rainer Becker ,  Thorsten Hofmann ,  Klaus Edinger

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/3056 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136

摘要： The invention relates to a method for electron beam induced etching of a layer contaminated with gallium (120), (220) with the method steps of providing at least one first halogenated compound as an etching gas at the position at which an electron beam impacts on the layer (120), (220) and providing at least one second halogenated compound as a precursor gas for removing of the gallium from this position.

摘要翻译： 本发明涉及一种电子束感应蚀刻被镓（120），（220）污染的层的方法，其方法步骤是在电子束撞击的位置处提供至少一种第一卤代化合物作为蚀刻气体 （120），（220），并提供至少一种第二卤化化合物作为前体气体，用于从该位置除去镓。

公开(公告)号：US20100282596A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：US12744586

申请日：2008-12-18

申请人： Nicole Auth ,  Petra Spies ,  Tristan Bret ,  Rainer Becker ,  Thorsten Hofmann ,  Klaus Edinger

发明人： Nicole Auth ,  Petra Spies ,  Tristan Bret ,  Rainer Becker ,  Thorsten Hofmann ,  Klaus Edinger

IPC分类号： B01J19/12 ,  C01B21/06

CPC分类号： C23F4/00 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/28 ,  H01J2237/3174 ,  H01L21/76894 ,  H01L22/22 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present method relates to processes for the removal of a material from a sample by a gas chemical reaction activated by a charged particle beam. The method is a multiple step process wherein in a first step a gas is supplied which, when a chemical reaction between the gas and the material is activated, forms a non-volatile material component such as a metal salt or a metaloxide. In a second consecutive step the reaction product of the first chemical reaction is removed from the sample.

摘要翻译： 本方法涉及通过由带电粒子束激活的气体化学反应从样品中去除材料的方法。 该方法是多步骤方法，其中在第一步骤中，供应气体，当气体和材料之间的化学反应被活化时，形成非挥发性物质组分如金属盐或金属氧化物。 在第二个连续步骤中，从样品中除去第一化学反应的反应产物。