公开(公告)号：US09169548B1

公开(公告)日：2015-10-27

申请号：US12907762

申请日：2010-10-19

申请人： John Corson ,  Alex Austin ,  Ron Rulkens ,  Jochen Titus ,  Robert Tas ,  Paul Shufflebotham ,  Daniel R. Juliano ,  Neil Mackie

发明人： John Corson ,  Alex Austin ,  Ron Rulkens ,  Jochen Titus ,  Robert Tas ,  Paul Shufflebotham ,  Daniel R. Juliano ,  Neil Mackie

IPC分类号： C23C14/14 ,  C23C14/06 ,  C23C14/56 ,  C23C14/34

CPC分类号： C23C14/0623 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/562 ,  C23C14/568 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A photovoltaic cell includes a p-type copper-indium-gallium-selenide absorber layer, where a content of Cu, In, and Ga in a first portion of the p-type copper-indium-gallium-selenide absorber layer satisfies the equation Cu/(In+Ga)≦0.3, and where the content is measured in atomic percent.

摘要翻译： 光伏电池包括p型铜铟镓硒吸收层，其中p型铜铟镓硒吸收层的第一部分中的Cu，In和Ga的含量满足方程式Cu /(In+Ga)≦̸0.3，其中内容以原子百分比测量。

公开(公告)号：US08048707B1

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US12907652

申请日：2010-10-19

申请人： Paul Shufflebotham ,  Daniel R. Juliano ,  Robert Tas ,  Neil Mackie

发明人： Paul Shufflebotham ,  Daniel R. Juliano ,  Robert Tas ,  Neil Mackie

IPC分类号： H01L31/032

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C23C14/0623 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A method of making a photovoltaic device includes forming a compound semiconductor layer including copper, indium, gallium, selenium and sulfur by reactive sputtering at least one target including copper, indium, gallium and a sulfur compound in an atmosphere including selenium.

摘要翻译： 制造光伏器件的方法包括通过在包括硒的气氛中通过反应性溅射至少一种包括铜，铟，镓和硫化合物的靶来形成包括铜，铟，镓，硒和硫的化合物半导体层。

公开(公告)号：US20120094429A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13073159

申请日：2011-03-28

申请人： Daniel R. Juliano ,  Robert Tas ,  Neil Mackie ,  Abdelouahab Ziani

发明人： Daniel R. Juliano ,  Robert Tas ,  Neil Mackie ,  Abdelouahab Ziani

IPC分类号： H01L31/0272 ,  C23C26/00 ,  C23C14/14 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L31/0322 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A sputtering target includes at least one metal selected from copper, indium and gallium and a sodium containing compound.

摘要翻译： 溅射靶包括选自铜，铟和镓中的至少一种金属和含钠化合物。

公开(公告)号：US08338214B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US13073159

申请日：2011-03-28

申请人： Daniel R. Juliano ,  Robert Tas ,  Neil Mackie ,  Abdelouahab Ziani

发明人： Daniel R. Juliano ,  Robert Tas ,  Neil Mackie ,  Abdelouahab Ziani

IPC分类号： H01L31/032

CPC分类号： H01L31/0322 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A sputtering target includes at least one metal selected from copper, indium and gallium and a sodium containing compound.

摘要翻译： 溅射靶包括至少一种选自铜，铟和镓的金属和含钠化合物。

公开(公告)号：US07935558B1

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US12907595

申请日：2010-10-19

申请人： Daniel R. Juliano ,  Robert Tas ,  Neil Mackie ,  Abdelouahab Ziani

发明人： Daniel R. Juliano ,  Robert Tas ,  Neil Mackie ,  Abdelouahab Ziani

IPC分类号： H01L31/032

CPC分类号： H01L31/0322 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A sputtering target includes at least one metal selected from copper, indium and gallium and a sodium containing compound.

摘要翻译： 溅射靶包括至少一种选自铜，铟和镓的金属和含钠化合物。

公开(公告)号：US20120090671A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US12907551

申请日：2010-10-19

申请人： Paul Shufflebotham ,  Neil Mackie ,  Robert Tas

发明人： Paul Shufflebotham ,  Neil Mackie ,  Robert Tas

IPC分类号： H01L31/0272 ,  H01L31/18

CPC分类号： C23C14/0057 ,  C23C14/025 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/562 ,  C23C14/584 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/065 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A photovoltaic device includes a substrate, a first electrode layer over the substrate, a first compound semiconductor layer including copper, indium, gallium and selenium over the first electrode layer, a second compound semiconductor layer including copper, indium, and sulfur on the first compound semiconductor layer, and a second electrode layer over the second compound semiconductor layer.

摘要翻译： 光电器件包括衬底，在衬底上的第一电极层，在第一电极层上的包括铜，铟，镓和硒的第一化合物半导体层，在第一化合物上包括铜，铟和硫的第二化合物半导体层 半导体层和第二化合物半导体层上的第二电极层。

公开(公告)号：US07745332B1

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：US12074168

申请日：2008-02-29

申请人： Roey Shaviv ,  Alexander Dulkin ,  Neil Mackie ,  Daniel Juliano ,  Robert Rozbicki

发明人： Roey Shaviv ,  Alexander Dulkin ,  Neil Mackie ,  Daniel Juliano ,  Robert Rozbicki

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76879

摘要： Recessed features on a Damascene substrate are filled with metal using plasma PVD. Recessed features having widths of less than about 300 nm, e.g., between about 30-300 nm can be filled with metals (e.g., copper and aluminum), without forming voids. In one approach, the deposition is performed by exposing the substrate to a high-density plasma characterized by high fractional ionization of metal. Under these conditions, the metal is deposited within the recess, without forming large overhang at the opening of the recess. In some embodiments, the metal is deposited within the recess, while diffusion barrier material is simultaneously etched from the field region. In a second approach, recessed features are filled by performing a plurality of profiling cycles, wherein each cycle includes a net etching and a net depositing operation. Etching and depositing parameters are adjusted such that the recessed features are filled without forming overhangs and voids.

摘要翻译： 镶嵌衬底上的凹陷特征使用等离子体PVD填充金属。 具有小于约300nm，例如约30-300nm的宽度的凹入特征可以用金属（例如铜和铝）填充，而不形成空隙。 在一种方法中，通过将衬底暴露于以金属的高分数电离为特征的高密度等离子体中来进行沉积。 在这些条件下，金属沉积在凹槽内，而不会在凹槽的开口处形成大的突出端。 在一些实施例中，金属沉积在凹槽内，同时从场区域同时蚀刻扩散阻挡材料。 在第二种方法中，通过执行多个轮廓循环来填充凹陷特征，其中每个周期包括净蚀刻和净沉积操作。 调整蚀刻和沉积参数，使得凹陷特征被填充而不形成突出端和空隙。