公开(公告)号：US08705290B2

公开(公告)日：2014-04-22

申请号：US13621052

申请日：2012-09-15

申请人： Prashant S. Damle ,  Krishna K. Parat ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Kalpana Vakati ,  Akira Goda

发明人： Prashant S. Damle ,  Krishna K. Parat ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Kalpana Vakati ,  Akira Goda

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C16/3404 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/32

摘要： Some embodiments include methods and devices having a module and memory cells. The module is configured to reduce the amount of electrons in the sources and drains of the memory cells during a programming operation.

摘要翻译： 一些实施例包括具有模块和存储器单元的方法和装置。 该模块被配置为在编程操作期间减少存储器单元的源极和漏极中的电子量。

公开(公告)号：US07990772B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12402158

申请日：2009-03-11

申请人： Prashant S. Damle ,  Krishna Parat ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Kalpana Vakati ,  Akira Goda

发明人： Prashant S. Damle ,  Krishna Parat ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Kalpana Vakati ,  Akira Goda

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C16/3404 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/32

摘要： Some embodiments include methods and devices having a module and memory cells. The module is configured to reduce the amount of electrons in the sources and drains of the memory cells during a programming operation.

摘要翻译： 一些实施例包括具有模块和存储器单元的方法和装置。 该模块被配置为在编程操作期间减少存储器单元的源极和漏极中的电子量。

公开(公告)号：US20100232234A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12402158

申请日：2009-03-11

申请人： Prashant S. Damle ,  Krishna Parat ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Kalpana Vakati ,  Akira Goda

发明人： Prashant S. Damle ,  Krishna Parat ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Kalpana Vakati ,  Akira Goda

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C16/3404 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/32

摘要： Some embodiments include methods and devices having a module and memory cells. The module is configured to reduce the amount of electrons in the sources and drains of the memory cells during a programming operation.

摘要翻译： 一些实施例包括具有模块和存储器单元的方法和装置。 该模块被配置为在编程操作期间减少存储器单元的源极和漏极中的电子量。

公开(公告)号：US08331160B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US13193192

申请日：2011-07-28

申请人： Prashant S. Damle ,  Krishna Parat ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Kalpana Vakati ,  Akira Goda

发明人： Prashant S. Damle ,  Krishna Parat ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Kalpana Vakati ,  Akira Goda

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C16/3404 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/32

摘要： Some embodiments include methods and devices having a module and memory cells. The module is configured to reduce the amount of electrons in the sources and drains of the memory cells during a programming operation.

摘要翻译： 一些实施例包括具有模块和存储器单元的方法和装置。 该模块被配置为在编程操作期间减少存储器单元的源极和漏极中的电子量。

公开(公告)号：US20130016569A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：US13621052

申请日：2012-09-15

申请人： Prashant S. Damle ,  Krishna Parat ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Kalpana Vakati ,  Akira Goda

发明人： Prashant S. Damle ,  Krishna Parat ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Kalpana Vakati ,  Akira Goda

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/04

CPC分类号： G11C16/3404 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/32

摘要： Some embodiments include methods and devices having a module and memory cells. The module is configured to reduce the amount of electrons in the sources and drains of the memory cells during a programming operation.

摘要翻译： 一些实施例包括具有模块和存储器单元的方法和装置。 该模块被配置为在编程操作期间减少存储器单元的源极和漏极中的电子量。

公开(公告)号：US20110280085A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US13193192

申请日：2011-07-28

申请人： Prashant S. Damle ,  Krishna Parat ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Kalpana Vakati ,  Akira Goda

发明人： Prashant S. Damle ,  Krishna Parat ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Kalpana Vakati ,  Akira Goda

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/04

CPC分类号： G11C16/3404 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/32

摘要： Some embodiments include methods and devices having a module and memory cells. The module is configured to reduce the amount of electrons in the sources and drains of the memory cells during a programming operation.

摘要翻译： 一些实施例包括具有模块和存储器单元的方法和装置。 该模块被配置为在编程操作期间减少存储器单元的源极和漏极中的电子量。

公开(公告)号：US20110128782A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12628522

申请日：2009-12-01

申请人： Akira Goda ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Mark A. Helm ,  Doyle Rivers

发明人： Akira Goda ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Mark A. Helm ,  Doyle Rivers

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C16/10

CPC分类号： G11C16/3418 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/14

摘要： Methods for programming and memory devices are disclosed. One such method for programming includes initially biasing a subset of a plurality of control gates of a string of memory cells with a negative voltage, wherein the subset is less than all of the plurality of control gates of the string. The control gate of a selected memory cell is subsequently biased with a programming voltage during a programming phase.

摘要翻译： 公开了用于编程和存储器件的方法。 一种用于编程的方法包括：初始地利用负电压偏置存储器单元串的多个控制栅极的子集，其中该子集小于该串的多个控制栅极的全部。 在编程阶段期间，所选择的存储单元的控制栅随后用编程电压进行偏置。

公开(公告)号：US20120236640A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13486028

申请日：2012-06-01

申请人： Akira Goda ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Mark A. Helm ,  Doyle Rivers

发明人： Akira Goda ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Mark A. Helm ,  Doyle Rivers

IPC分类号： G11C16/16 ,  G11C16/04

CPC分类号： G11C16/3418 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/14

摘要： A method for programming includes initially biasing a subset of a plurality of control gates of a string of memory cells with a negative voltage, wherein the subset is less than all of the plurality of control gates of the string. The control gate of a selected memory cell is subsequently biased with a programming voltage during a programming phase.

摘要翻译： 一种用于编程的方法包括：初始地利用负电压偏置存储器单元串的多个控制栅极的子集，其中所述子集小于所述串的所述多个控制栅极的全部。 在编程阶段期间，所选择的存储单元的控制栅随后用编程电压进行偏置。

公开(公告)号：US08203876B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US12628522

申请日：2009-12-01

申请人： Akira Goda ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Mark A. Helm ,  Doyle Rivers

发明人： Akira Goda ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Mark A. Helm ,  Doyle Rivers

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/3418 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/14

摘要： Methods for programming and memory devices are disclosed. One such method for programming includes initially biasing a subset of a plurality of control gates of a string of memory cells with a negative voltage, wherein the subset is less than all of the plurality of control gates of the string. The control gate of a selected memory cell is subsequently biased with a programming voltage during a programming phase.

摘要翻译： 公开了用于编程和存储器件的方法。 一种用于编程的方法包括：初始地利用负电压偏置存储器单元串的多个控制栅极的子集，其中该子集小于该串的多个控制栅极的全部。 在编程阶段期间，所选择的存储单元的控制栅随后用编程电压进行偏置。

公开(公告)号：US08565018B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US13486028

申请日：2012-06-01

申请人： Akira Goda ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Mark A. Helm ,  Doyle Rivers

发明人： Akira Goda ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Mark A. Helm ,  Doyle Rivers

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/3418 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/14

摘要： A method for programming includes initially biasing a subset of a plurality of control gates of a string of memory cells with a negative voltage, wherein the subset is less than all of the plurality of control gates of the string. The control gate of a selected memory cell is subsequently biased with a programming voltage during a programming phase.

摘要翻译： 一种用于编程的方法包括：初始地利用负电压偏置存储器单元串的多个控制栅极的子集，其中所述子集小于所述串的所述多个控制栅极的全部。 在编程阶段期间，所选择的存储单元的控制栅随后用编程电压进行偏置。