公开(公告)号：US08481121B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US12670023

申请日：2008-07-24

申请人： Ravi Kanjolia ,  Rajesh Odedra ,  Neil Boag ,  David Weyburne

发明人： Ravi Kanjolia ,  Rajesh Odedra ,  Neil Boag ,  David Weyburne

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/16

CPC分类号： C23C16/16 ,  C07F17/02 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45525

摘要： Methods of forming thin metal-containing films by chemical phase deposition, particularly atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD), are provided. The methods comprise delivering at least one organometallic precursor to a substrate, wherein the at least one precursor corresponds in structure to Formula (II); wherein: M is Ru, Fe or Os; R is Q-C10-alkyl; X is C1-C10-alkyl; and n is zero, 1, 2, 3, 4 or 5. Further provided are methods of making precursors disclosed herein.

摘要翻译： 提供通过化学相沉积，特别是原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）形成含薄金属的膜的方法。 所述方法包括将至少一种有机金属前体递送至底物，其中所述至少一种前体在结构上对应于式（II）; 其中：M是Ru，Fe或Os; R是C 1 -C 10 - 烷基; X是C 1 -C 10 - 烷基; 并且n为零，1,2,3,4或5.进一步提供了制备本文所述前体的方法。

公开(公告)号：US20130041170A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：US13569906

申请日：2012-08-08

申请人： Rajesh Odedra ,  Neil Boag ,  Jeff Anthis ,  Ravi Kanjolia ,  Mark Saly

发明人： Rajesh Odedra ,  Neil Boag ,  Jeff Anthis ,  Ravi Kanjolia ,  Mark Saly

IPC分类号： C07F13/00 ,  H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50

CPC分类号： C07F13/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841

摘要： Organometallic complexes and use thereof in thin film deposition, such as CVD and ALD are provided herein. The organometallic complexes are (alkyl-substituted η3-allyl)(carbonyl)metal complexes.

摘要翻译： 有机金属络合物及其在薄膜沉积中的应用，如CVD和ALD。 有机金属络合物是（烷基取代的和3-烯丙基）（羰基）金属络合物。

公开(公告)号：US20120177845A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13388861

申请日：2010-07-27

申请人： Rajesh Odedra ,  Neil Boag ,  Jeff Anthis ,  Ravi Kanjolia

发明人： Rajesh Odedra ,  Neil Boag ,  Jeff Anthis ,  Ravi Kanjolia

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  C23C16/34 ,  C07F15/06

CPC分类号： C07F15/06 ,  C23C16/406 ,  C23C16/45553

摘要： A method for forming a cobalt-containing thin film by a vapor deposition process is provided. The method comprises using at least one precursor corresponding in structure to Formula (I); wherein R1 and R2 are independently C2-C8-alkyl; x is zero, 1 or 2; and y is zero or 1; wherein both x and y can not be zero simultaneously.

摘要翻译： 提供了一种通过气相沉积工艺形成含钴薄膜的方法。 该方法包括使用至少一种在结构上对应于式（I）的前体; 其中R 1和R 2独立地为C 2 -C 8 - 烷基; x为零，1或2; y为0或1; 其中x和y两者不能同时为零。

公开(公告)号：US08476467B2

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：US12670022

申请日：2008-07-24

申请人： Ravi Kanjolia ,  Rajesh Odedra ,  Neil Boag

发明人： Ravi Kanjolia ,  Rajesh Odedra ,  Neil Boag

IPC分类号： C07F17/02

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C07F17/02 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18

摘要： An organometallic precursor is provided. The precursor corresponds in structure to Formula I: Cp(R)nM(CO)2(X)  (Formula I) wherein: M is Ru, Fe or Os; R is C1-C10-alkyl; X is C1-C10-alkyl; and n is 1, 2, 3, 4 or 5. The precursors are useful in chemical phase deposition processes, such as atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD).

摘要翻译： 提供有机金属前体。 前体在结构上对应于式I：Cp（R）nM（CO）2（X）（式I）其中：M是Ru，Fe或Os; R是C 1 -C 10 - 烷基; X是C 1 -C 10 - 烷基; 并且n为1,2,3,4或5.前体可用于化学相沉积工艺，例如原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）。

公开(公告)号：US20100261350A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12670023

申请日：2008-07-24

申请人： Ravi Kanjolia ,  Rajesh Odedra ,  Neil Boag ,  David Weyburne

发明人： Ravi Kanjolia ,  Rajesh Odedra ,  Neil Boag ,  David Weyburne

IPC分类号： H01L21/285 ,  C07F15/00

CPC分类号： C23C16/16 ,  C07F17/02 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45525

摘要： Methods of forming thin metal-containing films by chemical phase deposition, particularly atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD), are provided. The methods comprise delivering at least one organometallic precursor to a substrate, wherein the at least one precursor corresponds in structure to Formula (II); wherein: M is Ru, Fe or Os; R is Q-C10-alkyl; X is C1-C10-alkyl; and n is zero, 1, 2, 3, 4 or 5. Further provided are methods of making precursors disclosed herein.

摘要翻译： 提供通过化学相沉积，特别是原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）形成含薄金属的膜的方法。 所述方法包括将至少一种有机金属前体递送至底物，其中所述至少一种前体在结构上对应于式（II）; 其中：M是Ru，Fe或Os; R是C 1 -C 10 - 烷基; X是C 1 -C 10 - 烷基; 并且n为零，1,2,3,4或5.进一步提供了制备本文所述前体的方法。

公开(公告)号：US08927748B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US13569906

申请日：2012-08-08

申请人： Rajesh Odedra ,  Neil Boag ,  Jeff Anthis ,  Ravi Kanjolia ,  Mark Saly

发明人： Rajesh Odedra ,  Neil Boag ,  Jeff Anthis ,  Ravi Kanjolia ,  Mark Saly

IPC分类号： C07F13/00 ,  C23C16/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC分类号： C07F13/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841

摘要： Organometallic complexes and use thereof in thin film deposition, such as CVD and ALD are provided herein. The organometallic complexes are (alkyl-substituted η3-allyl)(carbonyl)metal complexes.

摘要翻译： 有机金属络合物及其在薄膜沉积中的应用，如CVD和ALD。 有机金属络合物是（烷基取代的和3-烯丙基）（羰基）金属络合物。

公开(公告)号：US20110165780A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：US12992268

申请日：2009-05-29

申请人： Ravi Kanjolia ,  Rajesh Odedra ,  Jeff Anthis ,  Neil Boag

发明人： Ravi Kanjolia ,  Rajesh Odedra ,  Jeff Anthis ,  Neil Boag

IPC分类号： H01L21/314

CPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/45525

摘要： A method of forming ruthenium-containing films by atomic layer deposition is provided. The method comprises delivering at least one precursor to a substrate, the at least one precursor corresponding in structure to Formula I: (L)Ru(CO)3 wherein L is selected from the group consisting of a linear or branched C2-C6-alkenyl and a linear or branched C1-6-alkyl; and wherein L is optionally substituted with one or more substituents independently selected from the group consisting of C2-C6-alkenyl, C1-6-alkyl, alkoxy and NR1R2; wherein R1 and R2 are independently alkyl or hydrogen.

摘要翻译： 提供了通过原子层沉积形成含钌膜的方法。 所述方法包括将至少一种前体递送至底物，所述至少一种前体在结构上相应于式I：（L）Ru（CO）3，其中L选自直链或支链的C 2 -C 6 - 烯基 和直链或支链C 1-6 - 烷基; 并且其中L任选被一个或多个独立地选自C 2 -C 6 - 烯基，C 1-6 - 烷基，烷氧基和NR 1 R 2的取代基取代; 其中R1和R2独立地是烷基或氢。

公开(公告)号：US09028917B2

公开(公告)日：2015-05-12

申请号：US13388861

申请日：2010-07-27

申请人： Rajesh Odedra ,  Neil Boag ,  Jeff Anthis ,  Ravi Kanjolia

发明人： Rajesh Odedra ,  Neil Boag ,  Jeff Anthis ,  Ravi Kanjolia

IPC分类号： C23C16/00 ,  C07F15/00 ,  C07F15/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC分类号： C07F15/06 ,  C23C16/406 ,  C23C16/45553

摘要： A method for forming a cobalt-containing thin film by a vapor deposition process is provided. The method comprises using at least one precursor corresponding in structure to Formula (I); wherein R1 and R2 are independently C2-C8-alkyl; x is zero, 1 or 2; and y is zero or 1; wherein both x and y can not be zero simultaneously.

摘要翻译： 提供了一种通过气相沉积工艺形成含钴薄膜的方法。 该方法包括使用至少一种在结构上对应于式（I）的前体; 其中R 1和R 2独立地为C 2 -C 8 - 烷基; x为零，1或2; y为0或1; 其中x和y两者不能同时为零。

公开(公告)号：US20100256406A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：US12670022

申请日：2008-07-24

申请人： Ravi Kanjolia ,  Rajesh Odedra ,  Neil Boag

发明人： Ravi Kanjolia ,  Rajesh Odedra ,  Neil Boag

IPC分类号： C07F15/00 ,  C07F15/02

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C07F17/02 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18

摘要： An organometallic precursor is provided. The precursor corresponds in structure to Formula (I): Cp(R)nM(CO)2(X), wherein: M is Ru, Fe or Os; R is C1-C10-alkyl; X is C1-C10-alkyl; and n is 1, 2, 3, 4 or 5. The precursors are useful in chemical phase deposition processes, such as atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD).

摘要翻译： 提供有机金属前体。 前体在结构上对应于式（I）：Cp（R）nM（CO）2（X）），其中：M是Ru，Fe或Os; R是C 1 -C 10 - 烷基; X是C 1 -C 10 - 烷基; 并且n为1,2,3,4或5.前体可用于化学相沉积工艺，例如原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）。