公开(公告)号：US07897957B2

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：US12541411

申请日：2009-08-14

申请人： Rolf Allenspach ,  Johannes G. Bednorz ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  Chung Hon Lam ,  Richard Stutz ,  Daniel Widmer

发明人： Rolf Allenspach ,  Johannes G. Bednorz ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  Chung Hon Lam ,  Richard Stutz ,  Daniel Widmer

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/101 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

摘要： A microelectronic device or non-volatile resistance switching memory comprising the switching material for storing digital information. A process includes a step of depositing the switching material by a CMOS deposition technique at a temperature lower than 400° C.

公开(公告)号：US20090305487A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12541411

申请日：2009-08-14

申请人： Rolf Allenspach ,  Johannes G. Bednorz ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  Chung Hon Lam ,  Richard Stutz ,  Daniel Widmer

发明人： Rolf Allenspach ,  Johannes G. Bednorz ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  Chung Hon Lam ,  Richard Stutz ,  Daniel Widmer

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/101 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

摘要： A microelectronic device or non-volatile resistance switching memory comprising the switching material for storing digital information. A process includes a step of depositing the switching material by a CMOS deposition technique at a temperature lower than 400° C.

公开(公告)号：US07923263B2

公开(公告)日：2011-04-12

申请号：US12540949

申请日：2009-08-13

申请人： Rolf Allenspach ,  Johannes G. Bednorz ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  Chung Hon Lam ,  Richard Stutz ,  Daniel Widmer

发明人： Rolf Allenspach ,  Johannes G. Bednorz ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  Chung Hon Lam ,  Richard Stutz ,  Daniel Widmer

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/101 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

摘要： A microelectronic device or non-volatile resistance switching memory comprising the switching material for storing digital information. A process includes a step of depositing the switching material by a CMOS deposition technique at a temperature lower than 400° C.

摘要翻译： 一种微电子器件或非易失性电阻切换存储器，包括用于存储数字信息的切换材料。 一种方法包括通过CMOS沉积技术在低于400℃的温度下沉积开关材料的步骤。

公开(公告)号：US07897411B2

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：US11105849

申请日：2005-04-14

申请人： Rolf Allenspach ,  Johannes G. Bednorz ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  Chung Hon Lam ,  Richard Stutz ,  Daniel Widmer

发明人： Rolf Allenspach ,  Johannes G. Bednorz ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  Chung Hon Lam ,  Richard Stutz ,  Daniel Widmer

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/101 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

摘要： Processes, apparatus and systems for depositing a switching material that is switchable between conductivity states and where the states are persistent. The invention further relates to a microelectronic device or non-volatile resistance switching memory comprising the switching material for storing digital information. A process includes a step of depositing the switching material by a CMOS deposition technique at a temperature lower than 400° C.

摘要翻译： 用于沉积切换材料的过程，装置和系统，其可在导电状态之间切换，并且状态持续存在。 本发明还涉及包括用于存储数字信息的切换材料的微电子装置或非易失性电阻切换存储器。 一种方法包括通过CMOS沉积技术在低于400℃的温度下沉积开关材料的步骤。

公开(公告)号：US20090308313A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12540949

申请日：2009-08-13

申请人： Rolf Allenspach ,  Johannes G. Bednorz ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  Chung Hon Lam ,  Richard Stutz ,  Daniel Widmer

发明人： Rolf Allenspach ,  Johannes G. Bednorz ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  Chung Hon Lam ,  Richard Stutz ,  Daniel Widmer

IPC分类号： B05C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/101 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

摘要： A microelectronic device or non-volatile resistance switching memory comprising the switching material for storing digital information. A process includes a step of depositing the switching material by a CMOS deposition technique at a temperature lower than 400° C.

摘要翻译： 一种微电子器件或非易失性电阻切换存储器，包括用于存储数字信息的切换材料。 一种方法包括通过CMOS沉积技术在低于400℃的温度下沉积开关材料的步骤。

公开(公告)号：US08012793B2

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US12509889

申请日：2009-07-27

申请人： Chung Hon Lam ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  Alejandro Gabriel Schrott

发明人： Chung Hon Lam ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  Alejandro Gabriel Schrott

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L45/145 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  H01L45/04

摘要： A memory cell for use in integrated circuits comprises a chalcogenide feature and a transition metal oxide feature. Both the chalcogenide feature and transition metal oxide feature each have at least two stable electrical resistance states. At least two bits of data can be concurrently stored in the memory cell by placing the chalcogenide feature into one of its stable electrical resistance states and by placing the transition metal oxide feature into one of its stable electrical resistance states.

摘要翻译： 用于集成电路的存储单元包括硫族化物特征和过渡金属氧化物特征。 硫族化物特征和过渡金属氧化物特征都具有至少两个稳定的电阻状态。 通过将硫族化物特征置于其稳定的电阻状态之一并且将过渡金属氧化物特征置于其稳定的电阻状态之一中，可将至少两位数据同时存储在存储单元中。

公开(公告)号：US07579611B2

公开(公告)日：2009-08-25

申请号：US11353419

申请日：2006-02-14

申请人： Chung Hon Lam ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  Alejandro Gabriel Schrott

发明人： Chung Hon Lam ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  Alejandro Gabriel Schrott

IPC分类号： H01L29/12 ,  G11C11/00 ,  G11C11/56

CPC分类号： H01L45/145 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  H01L45/04

摘要： A memory cell for use in integrated circuits comprises a chalcogenide feature and a transition metal oxide feature. Both the chalcogenide feature and transition metal oxide feature each have at least two stable electrical resistance states. At least two bits of data can be concurrently stored in the memory cell by placing the chalcogenide feature into one of its stable electrical resistance states and by placing the transition metal oxide feature into one of its stable electrical resistance states.

摘要翻译： 用于集成电路的存储单元包括硫族化物特征和过渡金属氧化物特征。 硫族化物特征和过渡金属氧化物特征都具有至少两个稳定的电阻状态。 通过将硫族化物特征置于其稳定的电阻状态之一并且将过渡金属氧化物特征置于其稳定的电阻状态之一中，可将至少两位数据同时存储在存储单元中。

公开(公告)号：US08377789B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US12538146

申请日：2009-08-09

申请人： Gerhard Ingmar Meijer ,  Chung Hon Lam ,  Hon-Sum Phillip Wong

发明人： Gerhard Ingmar Meijer ,  Chung Hon Lam ,  Hon-Sum Phillip Wong

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/20 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16

摘要： A method for fabricating a field-enhanced programmable resistance memory cell. In an example embodiment, a resistor includes a resistance structure between a first electrode and a second electrode. The resistance structure includes an insulating dielectric material. The second electrode includes a protrusion extending into the resistance structure. The insulating dielectric material includes a material in which a confined conductive region with a programmable resistance is formable via a conditioning signal.

摘要翻译： 一种用于制造场增强型可编程电阻存储单元的方法。 在示例性实施例中，电阻器包括在第一电极和第二电极之间的电阻结构。 电阻结构包括绝缘介电材料。 第二电极包括延伸到电阻结构中的突起。 绝缘电介质材料包括其中通过调节信号可形成具有可编程电阻的受限导电区域的材料。

公开(公告)号：US20090298252A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12538146

申请日：2009-08-09

申请人： Gerhard Ingmar Meijer ,  Chung Hon Lam ,  Hon-Sum Phillip Wong

发明人： Gerhard Ingmar Meijer ,  Chung Hon Lam ,  Hon-Sum Phillip Wong

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/20 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16

摘要： A method for fabricating a field-enhanced programmable resistance memory cell. In an example embodiment, a resistor includes a resistance structure between a first electrode and a second electrode. The resistance structure includes an insulating dielectric material. The second electrode includes a protrusion extending into the resistance structure. The insulating dielectric material includes a material in which a confined conductive region with a programmable resistance is formable via a conditioning signal.

摘要翻译： 一种用于制造场增强型可编程电阻存储单元的方法。 在示例性实施例中，电阻器包括在第一电极和第二电极之间的电阻结构。 电阻结构包括绝缘介电材料。 第二电极包括延伸到电阻结构中的突起。 绝缘电介质材料包括其中通过调节信号可形成具有可编程电阻的受限导电区域的材料。

公开(公告)号：US07376006B2

公开(公告)日：2008-05-20

申请号：US11216518

申请日：2005-08-31

申请人： Johannes Georg Bednorz ,  John Kenneth DeBrosse ,  Chung Hon Lam ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  Jonathan Zanhong Sun

发明人： Johannes Georg Bednorz ,  John Kenneth DeBrosse ,  Chung Hon Lam ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  Jonathan Zanhong Sun

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/14

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/79

摘要： A nonvolatile memory cell includes a bipolar programmable storage element operative to store a logic state of the memory cell, and a metal-oxide-semiconductor device including first and second source/drains and a gate. A first terminal of the bipolar programmable storage element is adapted for connection to a first bit line. The first source/drain is connected to a second terminal of the bipolar programmable storage element, the second source/drain is adapted for connection to a second bit line, and the gate is adapted for connection to a word line.

摘要翻译： 非易失性存储单元包括可操作地存储存储单元的逻辑状态的双极可编程存储元件和包括第一和第二源极/漏极和栅极的金属氧化物半导体器件。 双极可编程存储元件的第一端子适于连接到第一位线。 第一源极/漏极连接到双极可编程存储元件的第二端子，第二源极/漏极适于连接到第二位线，并且栅极适于连接到字线。