公开(公告)号：US20140235007A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：US14146477

申请日：2014-01-02

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Sang Heon HAN ,  Nam Sung KIM ,  Dong Joon KIM ,  Kong Tan SA ,  Tong Ik SHIN ,  Do Young RHEE ,  Jeong Wook LEE

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/673

CPC分类号： H01L33/007 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/54 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67326 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L33/32

摘要： A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, includes sequentially growing a first conductivity-type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity-type semiconductor layer on a substrate to form a light emitting layer. The forming of the light emitting layer includes a first growth process, a second growth process and a transfer process. The first growth process uses a first susceptor having a mounting surface with a first curvature. The second growth process uses a second susceptor having a mounting surface with a second curvature different from the first curvature. The transfer process transfers the substrate from the first susceptor to the second susceptor between the first and second growth processes.

摘要翻译： 一种制造半导体发光器件的方法包括在衬底上顺序地生长第一导电类型半导体层，有源层和第二导电类型半导体层，以形成发光层。 发光层的形成包括第一生长过程，第二生长过程和转移过程。 第一生长过程使用具有第一曲率的安装表面的第一感受器。 第二生长过程使用具有不同于第一曲率的第二曲率的安装表面的第二感受器。 转移过程在第一和第二生长过程之间将衬底从第一感受器转移到第二感受器。