利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

4 条记录 (耗时 0.016 秒)

    Semiconductor device having a stress film on a side surface of a fin
    3.
    发明授权
    Semiconductor device having a stress film on a side surface of a fin 有权
    在翅片的侧面具有应力膜的半导体装置

    公开(公告)号：US09153692B2

    公开(公告)日：2015-10-06

    申请号：US14194837

    申请日：2014-03-03

    申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

    发明人： Seok-Hoon Kim ,  Tae-Ouk Kwon ,  Su-Jin Jung ,  Young-Pil Kim ,  Byeong-Chan Lee ,  Bon-Young Koo

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66

    CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785

    摘要： Provided is a semiconductor device. The semiconductor device includes a fin on a substrate; a gate electrode cross the fin on the substrate; a source/drain formed on at least one of both sides of the gate electrode, and including a first film and a second film; and a stress film arranged between an isolation film on the substrate and the source/drain, and formed on a side surface of the fin.

    摘要翻译： 提供一种半导体器件。 半导体器件在衬底上包括翅片; 栅电极跨越衬底上的翅片; 源极/漏极，形成在栅电极的两侧中的至少一个上，并且包括第一膜和第二膜; 以及布置在基板上的隔离膜和源极/漏极之间并且形成在鳍的侧表面上的应力膜。

    Method of Manufacturing A Semiconductor Device
    4.
    发明申请
    Method of Manufacturing A Semiconductor Device 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20130171818A1

    公开(公告)日：2013-07-04

    申请号：US13728622

    申请日：2012-12-27

    申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

    发明人： Jin-Bum Kim ,  Young-Pil Kim ,  Kwan-Heum Lee ,  Sun-Ghil Lee

    IPC分类号： H01L21/285

    CPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76889 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/91

    摘要： In a method of forming an ohmic layer of a DRAM device, the metal silicide layer between the storage node contact plug and the lower electrode of a capacitor is formed as the ohmic layer by a first heat treatment under a first temperature and an instantaneous second heat treatment under a second temperature higher than the first temperature. Thus, the metal silicide layer has a thermo-stable crystal structure and little or no agglomeration occurs on the metal silicide layer in the high temperature process. Accordingly, the sheet resistance of the ohmic layer may not increase in spite of the subsequent high temperature process.

    摘要翻译： 在形成DRAM器件的欧姆层的方法中，通过在第一温度和瞬时第二次加热下的第一次热处理将存储节点接触插塞和电容器的下部电极之间的金属硅化物层形成为欧姆层 在比第一温度高的第二温度下进行处理。 因此，金属硅化物层具有热稳定的晶体结构，并且在高温工艺中在金属硅化物层上几乎或不发生聚集。 因此，尽管随后的高温处理，欧姆层的薄层电阻也可能不增加。