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    Image sensor and method of fabricating the same
    2.
    发明授权
    Image sensor and method of fabricating the same 有权
    图像传感器及其制造方法

    公开(公告)号：US08614113B2

    公开(公告)日：2013-12-24

    申请号：US13239457

    申请日：2011-09-22

    申请人： Yu-Jin Ahn ,  Duck-Hyung Lee ,  Jong-Cheol Shin ,  Chang-Rok Moon ,  Sang-Jun Choi ,  Eun-Kyung Park

    发明人： Yu-Jin Ahn ,  Duck-Hyung Lee ,  Jong-Cheol Shin ,  Chang-Rok Moon ,  Sang-Jun Choi ,  Eun-Kyung Park

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463

    摘要： An image sensor and a method for fabricating the image sensor are provided. The method for fabricating the image sensor includes forming a first insulating layer on a semiconductor epitaxial layer having multiple pixel regions; patterning a portion of the semiconductor epitaxial layer and the first insulating layer in a boundary region between the pixel regions to form a trench; forming a buried insulating layer on the first insulating layer, filling the trench, the buried insulating layer having a planar top surface; forming a second insulating layer on the buried insulating layer; forming a first mask pattern on the second insulating layer, the first mask pattern defining an opening overlapping the trench; and performing an ion implantation process using the first mask pattern as an ion implantation mask to form a first type potential barrier region in a bottom of the trench.

    摘要翻译： 提供了一种用于制造图像传感器的图像传感器和方法。 制造图像传感器的方法包括在具有多个像素区域的半导体外延层上形成第一绝缘层; 在像素区域之间的边界区域中构图半导体外延层和第一绝缘层的一部分以形成沟槽; 在所述第一绝缘层上形成掩埋绝缘层，填充所述沟槽，所述掩埋绝缘层具有平坦的顶表面; 在所述掩埋绝缘层上形成第二绝缘层; 在所述第二绝缘层上形成第一掩模图案，所述第一掩模图案限定与所述沟槽重叠的开口; 以及使用所述第一掩模图案作为离子注入掩模进行离子注入处理，以在所述沟槽的底部形成第一类型的势垒区域。

    IMAGE SENSOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
    3.
    发明申请
    IMAGE SENSOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 有权
    图像传感器及其制作方法

    公开(公告)号：US20120077301A1

    公开(公告)日：2012-03-29

    申请号：US13239457

    申请日：2011-09-22

    申请人： Yu-Jin Ahn ,  Duck-Hyung Lee ,  Jong-Cheol Shin ,  Chang-Rok Moon ,  Sang-Jun Choi ,  Eun-Kyung Park

    发明人： Yu-Jin Ahn ,  Duck-Hyung Lee ,  Jong-Cheol Shin ,  Chang-Rok Moon ,  Sang-Jun Choi ,  Eun-Kyung Park

    IPC分类号： H01L31/18

    CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463

    摘要： An image sensor and a method for fabricating the image sensor are provided. The method for fabricating the image sensor includes forming a first insulating layer on a semiconductor epitaxial layer having multiple pixel regions; patterning a portion of the semiconductor epitaxial layer and the first insulating layer in a boundary region between the pixel regions to form a trench; forming a buried insulating layer on the first insulating layer, filling the trench, the buried insulating layer having a planar top surface; forming a second insulating layer on the buried insulating layer; forming a first mask pattern on the second insulating layer, the first mask pattern defining an opening overlapping the trench; and performing an ion implantation process using the first mask pattern as an ion implantation mask to form a first type potential barrier region in a bottom of the trench.

    摘要翻译： 提供了一种用于制造图像传感器的图像传感器和方法。 制造图像传感器的方法包括在具有多个像素区域的半导体外延层上形成第一绝缘层; 在像素区域之间的边界区域中构图半导体外延层和第一绝缘层的一部分以形成沟槽; 在所述第一绝缘层上形成掩埋绝缘层，填充所述沟槽，所述掩埋绝缘层具有平坦的顶表面; 在所述掩埋绝缘层上形成第二绝缘层; 在所述第二绝缘层上形成第一掩模图案，所述第一掩模图案限定与所述沟槽重叠的开口; 以及使用所述第一掩模图案作为离子注入掩模进行离子注入处理，以在所述沟槽的底部形成第一类型的势垒区域。

    Back-illuminated image sensor and method of fabricating the same
    4.
    发明授权
    Back-illuminated image sensor and method of fabricating the same 有权
    背照式图像传感器及其制造方法

    公开(公告)号：US07750280B2

    公开(公告)日：2010-07-06

    申请号：US11987607

    申请日：2007-12-03

    申请人： Sung-Ho Hwang ,  Duck-Hyung Lee ,  Chang-Rok Moon ,  Doo-Won Kwon

    发明人： Sung-Ho Hwang ,  Duck-Hyung Lee ,  Chang-Rok Moon ,  Doo-Won Kwon

    IPC分类号： B05D5/12

    CPC分类号： H01L27/14627 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02165

    摘要： A back-illuminated image sensor may include a substrate in which photodiodes are disposed; an insulating layer on a first surface of the substrate; an interconnection layer in the insulating layer; an anti-reflection layer between the substrate and the insulating layer; a plurality of color filters on a second surface of the substrate opposite to the first surface; and a microlens on the color filters. Because the anti-reflection layer may be between the substrate and an interlayer dielectric layer, the reflection rate of light that passes through the substrate and arrives at an interface between the substrate and the interlayer insulating layer may be reduced.

    摘要翻译： 背照式图像传感器可以包括其中设置有光电二极管的基板; 在所述基板的第一表面上的绝缘层; 绝缘层中的互连层; 在所述基板和所述绝缘层之间的抗反射层; 在所述基板的与所述第一表面相对的第二表面上的多个滤色器; 和滤色片上的微透镜。 因为防反射层可以在基板和层间电介质层之间，所以可以减少穿过基板并到达基板与层间绝缘层之间的界面的光的反射率。

    Image sensor and method of forming the same
    5.
    发明授权
    Image sensor and method of forming the same 有权
    图像传感器及其形成方法

    公开(公告)号：US07675099B2

    公开(公告)日：2010-03-09

    申请号：US11999227

    申请日：2007-12-04

    申请人： Sung-Ho Hwang ,  Duck-Hyung Lee ,  Chang-Rok Moon

    发明人： Sung-Ho Hwang ,  Duck-Hyung Lee ,  Chang-Rok Moon

    IPC分类号： H01L31/113

    CPC分类号： H01L27/14625 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/02165 ,  H01L31/02327

    摘要： Provided are an image sensor and a method of forming the image sensor. The image sensor has a base multi-layered reflection layer interposed between a photodiode and an interlayer insulating layer. The photodiode has a first surface adjacent to the interlayer insulating layer and a second surface opposite the first surface. Here, external light is incident on the second surface of the photodiode. Also, the image sensor includes a sidewall multi-layered reflection layer that encloses the photodiode.

    摘要翻译： 提供了一种图像传感器和形成图像传感器的方法。 图像传感器具有介于光电二极管和层间绝缘层之间的基底多层反射层。 光电二极管具有与层间绝缘层相邻的第一表面和与第一表面相对的第二表面。 这里，外部光入射到光电二极管的第二表面上。 此外，图像传感器包括围绕光电二极管的侧壁多层反射层。

    CMOS image sensors and methods of manufacturing the same
    7.
    发明申请
    CMOS image sensors and methods of manufacturing the same 审中-公开
    CMOS图像传感器及其制造方法

    公开(公告)号：US20060244020A1

    公开(公告)日：2006-11-02

    申请号：US11319603

    申请日：2005-12-29

    申请人： Duck-Hyung Lee

    发明人： Duck-Hyung Lee

    IPC分类号： H01L31/113 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

    摘要： A CMOS image sensor (CIS) includes an active unit pixel having an Indium-doped impurity layer located below a transfer gate which transfers charges between a photo-receiving element and a floating diffusion region of the active unit pixel.

    摘要翻译： CMOS图像传感器（CIS）包括有源单元像素，其具有位于传输门下方的掺杂铟的杂质层，其在受光元件和有源单元像素的浮动扩散区域之间传送电荷。

    Back-illuminated image sensor and method of fabricating the same
    10.
    发明申请
    Back-illuminated image sensor and method of fabricating the same 有权
    背照式图像传感器及其制造方法

    公开(公告)号：US20080131588A1

    公开(公告)日：2008-06-05

    申请号：US11987607

    申请日：2007-12-03

    申请人： Sung-Ho Hwang ,  Duck-Hyung Lee ,  Chang-Rok Moon ,  Doo-Won Kwon

    发明人： Sung-Ho Hwang ,  Duck-Hyung Lee ,  Chang-Rok Moon ,  Doo-Won Kwon

    IPC分类号： B05D5/12

    CPC分类号： H01L27/14627 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02165

    摘要： A back-illuminated image sensor may include a substrate in which photodiodes are disposed; an insulating layer on a first surface of the substrate; an interconnection layer in the insulating layer; an anti-reflection layer between the substrate and the insulating layer; a plurality of color filters on a second surface of the substrate opposite to the first surface; and a microlens on the color filters. Because the anti-reflection layer may be between the substrate and an interlayer dielectric layer, the reflection rate of light that passes through the substrate and arrives at an interface between the substrate and the interlayer insulating layer may be reduced.

    摘要翻译： 背照式图像传感器可以包括其中设置有光电二极管的基板; 在所述基板的第一表面上的绝缘层; 绝缘层中的互连层; 在所述基板和所述绝缘层之间的抗反射层; 在所述基板的与所述第一表面相对的第二表面上的多个滤色器; 和滤色片上的微透镜。 因为防反射层可以在基板和层间电介质层之间，所以可以减少穿过基板并到达基板与层间绝缘层之间的界面的光的反射率。