公开(公告)号：US20100102399A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12606327

申请日：2009-10-27

申请人： Sangjin Hyun ,  Yugyun Shin ,  Hongbae Park ,  Hagju Cho ,  Sughun Hong

发明人： Sangjin Hyun ,  Yugyun Shin ,  Hongbae Park ,  Hagju Cho ,  Sughun Hong

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/8236

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833

摘要： Methods of forming field effect transistors include forming a first gate electrode on a semiconductor substrate and forming insulating spacers on sidewalls of the first gate electrode. At least a portion of the first gate electrode is then removed from between the insulating spacers to thereby expose inner sidewalls of the insulating spacers. Threshold-voltage adjusting impurities are then implanted into the semiconductor substrate, using the insulating spacers as an implant mask. These threshold-voltage adjusting impurities are selected from a group consisting of alkali metals from Group 1 of the periodic chart and halogens from Group 17 of the periodic chart. A second gate electrode is then formed between the inner sidewalls of the insulating spacers.

摘要翻译： 形成场效应晶体管的方法包括在半导体衬底上形成第一栅电极，并在第一栅电极的侧壁上形成绝缘衬垫。 然后从绝缘间隔物之间​​移除第一栅电极的至少一部分，从而暴露绝缘间隔物的内侧壁。 然后使用绝缘间隔物作为植入物掩模将阈值电压调整杂质注入到半导体衬底中。 这些阈值电压调节杂质选自周期表第1组的碱金属和周期表第17组的卤素。 然后在绝缘间隔件的内侧壁之间形成第二栅电极。

公开(公告)号：US20120214296A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13458418

申请日：2012-04-27

申请人： Sangjin Hyun ,  Siyoung Choi ,  Yugyun Shin ,  Kang-Ill Seo ,  Hagju Cho ,  Hoonjoo Na ,  Hyosan Lee ,  Jun-Woong Park ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

发明人： Sangjin Hyun ,  Siyoung Choi ,  Yugyun Shin ,  Kang-Ill Seo ,  Hagju Cho ,  Hoonjoo Na ,  Hyosan Lee ,  Jun-Woong Park ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of forming the same. The method may include forming a metal oxide layer on a substrate and forming a sacrificial oxide layer on the metal oxide layer. An annealing process is performed on the substrate. A formation-free energy of the sacrificial oxide layer is greater than a formation-free energy of the metal oxide layer at a process temperature of the annealing process.

摘要翻译： 提供半导体器件及其形成方法。 该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层并在金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。 在基板上进行退火处理。 在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的无形成能大于金属氧化物层的无形成能。

公开(公告)号：US20100099269A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12559203

申请日：2009-09-14

申请人： Sangjin Hyun ,  Yugyun Shin ,  Hagju Cho ,  Hyung-seok Hong

发明人： Sangjin Hyun ,  Yugyun Shin ,  Hagju Cho ,  Hyung-seok Hong

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of forming the same. The method may include forming a gate dielectric layer including a plurality of elements on a substrate; supplying a specific element to the gate dielectric layer; forming a product though reacting the specific element with at least one of the plurality of elements; and removing the product.

摘要翻译： 提供半导体器件及其形成方法。 该方法可以包括在衬底上形成包括多个元件的栅介质层; 向所述栅介电层提供特定元件; 通过使所述特定元件与所述多个元件中的至少一个元件反应来形成产品; 并移除产品。

公开(公告)号：US20100099245A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12581223

申请日：2009-10-19

申请人： Sangjin Hyun ,  Siyoung Choi ,  Yugyun Shin ,  Kang-III Seo ,  Hagju Cho ,  Hoonjoo Na ,  Hyosan Lee ,  Jun-Woong Park ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

发明人： Sangjin Hyun ,  Siyoung Choi ,  Yugyun Shin ,  Kang-III Seo ,  Hagju Cho ,  Hoonjoo Na ,  Hyosan Lee ,  Jun-Woong Park ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of forming the same. The method may include forming a metal oxide layer on a substrate and forming a sacrificial oxide layer on the metal oxide layer. An annealing process is performed on the substrate. A formation-free energy of the sacrificial oxide layer is greater than a formation-free energy of the metal oxide layer at a process temperature of the annealing process.

摘要翻译： 提供半导体器件及其形成方法。 该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层并在金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。 在基板上进行退火处理。 在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的无形成能大于金属氧化物层的无形成能。

公开(公告)号：US08569821B2

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：US13243073

申请日：2011-09-23

申请人： Sangjin Hyun ,  Yugyun Shin ,  Hagju Cho ,  Hyung-seok Hong

发明人： Sangjin Hyun ,  Yugyun Shin ,  Hagju Cho ,  Hyung-seok Hong

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of forming the same. The method may include forming a gate dielectric layer including a plurality of elements on a substrate; supplying a specific element to the gate dielectric layer; forming a product though reacting the specific element with at least one of the plurality of elements; and removing the product.

摘要翻译： 提供半导体器件及其形成方法。 该方法可以包括在衬底上形成包括多个元件的栅介质层; 向所述栅介电层提供特定元件; 通过使所述特定元件与所述多个元件中的至少一个元件反应来形成产品; 并移除产品。

公开(公告)号：US08183141B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US12581223

申请日：2009-10-19

申请人： Sangjin Hyun ,  Siyoung Choi ,  Yugyun Shin ,  Kang-Ill Seo ,  Hagju Cho ,  Hoonjoo Na ,  Hyosan Lee ,  Jun-Woong Park ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

发明人： Sangjin Hyun ,  Siyoung Choi ,  Yugyun Shin ,  Kang-Ill Seo ,  Hagju Cho ,  Hoonjoo Na ,  Hyosan Lee ,  Jun-Woong Park ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/00 ,  H01L21/16

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of forming the same. The method may include forming a metal oxide layer on a substrate and forming a sacrificial oxide layer on the metal oxide layer. An annealing process is performed on the substrate. A formation-free energy of the sacrificial oxide layer is greater than a formation-free energy of the metal oxide layer at a process temperature of the annealing process.

摘要翻译： 提供半导体器件及其形成方法。 该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层并在金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。 在基板上进行退火处理。 在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的无形成能大于金属氧化物层的无形成能。

公开(公告)号：US08044469B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12585313

申请日：2009-09-11

申请人： Hongbae Park ,  Hagju Cho ,  Sunghun Hong ,  Sangjin Hyun ,  Hoonjoo Na ,  Hyung-seok Hong

发明人： Hongbae Park ,  Hagju Cho ,  Sunghun Hong ,  Sangjin Hyun ,  Hoonjoo Na ,  Hyung-seok Hong

IPC分类号： H01L21/70

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A semiconductor device and associated methods, the semiconductor device including a semiconductor substrate with a first well region, a first gate electrode disposed on the first well region, and a first N-type capping pattern, a first P-type capping pattern, and a first gate dielectric pattern disposed between the first well region and the first gate electrode.

摘要翻译： 一种半导体器件及相关方法，所述半导体器件包括具有第一阱区的半导体衬底，设置在第一阱区上的第一栅电极和第一N型封盖图案，第一P型封盖图案和 第一栅极电介质图案，设置在第一阱区域和第一栅极电极之间。

公开(公告)号：US20120009746A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US13237051

申请日：2011-09-20

申请人： Hongbae Park ,  Hagju Cho ,  Sunghun Hong ,  Sangjin Hyun ,  Hoonjoo Na ,  Hyung-seok Hong

发明人： Hongbae Park ,  Hagju Cho ,  Sunghun Hong ,  Sangjin Hyun ,  Hoonjoo Na ,  Hyung-seok Hong

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A semiconductor device and associated methods, the semiconductor device including a semiconductor substrate with a first well region, a first gate electrode disposed on the first well region, and a first N-type capping pattern, a first P-type capping pattern, and a first gate dielectric pattern disposed between the first well region and the first gate electrode.

摘要翻译： 一种半导体器件及相关方法，所述半导体器件包括具有第一阱区的半导体衬底，设置在第一阱区上的第一栅电极和第一N型封盖图案，第一P型封盖图案和 第一栅极电介质图案，设置在第一阱区域和第一栅极电极之间。

公开(公告)号：US20120012942A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US13243073

申请日：2011-09-23

申请人： Sangjin HYUN ,  Yugyun Shin ,  Hagju Cho ,  Hyung-seok Hong

发明人： Sangjin HYUN ,  Yugyun Shin ,  Hagju Cho ,  Hyung-seok Hong

IPC分类号： H01L27/092

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of forming the same. The method may include forming a gate dielectric layer including a plurality of elements on a substrate; supplying a specific element to the gate dielectric layer; forming a product though reacting the specific element with at least one of the plurality of elements; and removing the product.

摘要翻译： 提供半导体器件及其形成方法。 该方法可以包括在衬底上形成包括多个元件的栅介质层; 向所述栅介电层提供特定元件; 通过使所述特定元件与所述多个元件中的至少一个元件反应来形成产品; 并移除产品。

公开(公告)号：US08048787B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US12559203

申请日：2009-09-14

申请人： Sangjin Hyun ,  Yugyun Shin ,  Hagju Cho ,  Hyung-seok Hong

发明人： Sangjin Hyun ,  Yugyun Shin ,  Hagju Cho ,  Hyung-seok Hong

IPC分类号： H01L21/26 ,  H01L21/42

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of forming the same. The method may include forming a gate dielectric layer including a plurality of elements on a substrate; supplying a specific element to the gate dielectric layer; forming a product though reacting the specific element with at least one of the plurality of elements; and removing the product.

摘要翻译： 提供半导体器件及其形成方法。 该方法可以包括在衬底上形成包括多个元件的栅介质层; 向所述栅介电层提供特定元件; 通过使所述特定元件与所述多个元件中的至少一个元件反应来形成产品; 并移除产品。