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    Ultraviolet and vacuum ultraviolet antireflection substrate
    1.
    发明授权
    Ultraviolet and vacuum ultraviolet antireflection substrate 失效
    紫外线和真空紫外线防反射基板

    公开(公告)号：US06829084B2

    公开(公告)日：2004-12-07

    申请号：US10456688

    申请日：2003-06-09

    申请人： Satoru Takaki ,  Kaname Okada ,  Shinya Kikugawa

    发明人： Satoru Takaki ,  Kaname Okada ,  Shinya Kikugawa

    IPC分类号： G02B508

    CPC分类号： G03F1/62 ,  G02B1/11 ,  G02B1/115 ,  G03F1/46 ,  G03F1/50 ,  G03F7/70958 ,  G03F7/70983

    摘要： An antireflection substrate comprising a substrate which is transparent to ultraviolet and vacuum ultraviolet rays in the wavelength region from 155 nm to 200 nm and a mono-, bi- or tri-layer antireflection film formed on at least one side of the substrate, wherein the refractive index and the physical thickness of the antireflection film at the center wavelength &lgr;0 of the wavelength region of ultraviolet or vacuum ultraviolet light which needs antireflection satisfy particular conditions, and an optical component for a semiconductor manufacturing apparatus and a substrate for a low-reflection pellicle which is the ultraviolet and vacuum ultraviolet antireflection substrate.

    摘要翻译： 一种防反射基板，包括在155nm至200nm的波长范围内对紫外线和真空紫外线透明的基板和形成在基板的至少一侧上的单层，双层或三层抗反射膜，其中， 需要抗反射的紫外线或真空紫外线的波长区域的中心波长λ0处的防反射膜的折射率和物理厚度满足特定条件，以及用于半导体制造装置的光学部件和低反射防护薄膜的基板 这是紫外线和真空紫外线防反射基板。

    Pellicle
    4.
    发明授权
    Pellicle 失效
    薄膜

    公开(公告)号：US06744562B2

    公开(公告)日：2004-06-01

    申请号：US10206086

    申请日：2002-07-29

    申请人： Kaname Okada ,  Shinya Kikugawa

    发明人： Kaname Okada ,  Shinya Kikugawa

    IPC分类号： G02B2714

    CPC分类号： G03F1/64

    摘要： A pellicle comprising a box-shaped pellicle frame having top and bottom openings, and a pellicle sheet bonded to the pellicle frame to cover one of the openings of the pellicle frame, wherein the pellicle frame is made of quartz glass, a plurality of vent holes are formed as distributed on opposing side walls of the pellicle frame, and the size of the vent holes in the direction of the height of the pellicle frame is at most ⅗ of the height of the pellicle frame.

    摘要翻译： 一种防护薄膜组件，包括具有顶部和底部开口的盒形防护薄膜框架，以及防粘膜框架结合到防护薄膜组件框架上以覆盖防护薄膜组件框架中的一个开口的防护薄膜组件框架，其中防护薄膜框架由石英玻璃制成，多个通气孔 被形成为分布在防护薄膜组件框架的相对侧壁上，并且防尘薄膜组件框架的高度方向上的通气孔的尺寸至少为防护薄膜组件框架的高度的3/5。

    Mask blanks
    6.
    发明授权
    Mask blanks 有权
    面具空白

    公开(公告)号：US08323856B2

    公开(公告)日：2012-12-04

    申请号：US12941491

    申请日：2010-11-08

    申请人： Shinya Kikugawa ,  Akira Takada ,  Satoru Takaki ,  Yosuke Sato ,  Yasuhiko Akao

    发明人： Shinya Kikugawa ,  Akira Takada ,  Satoru Takaki ,  Yosuke Sato ,  Yasuhiko Akao

    IPC分类号： G03F1/22

    CPC分类号： C03C3/06 ,  C03C17/09 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/23 ,  C03C2217/26 ,  C03C2218/154 ,  G03F1/60

    摘要： The present invention provides a mask blank which comprises a substrate made of a synthetic quartz glass and a light-shielding film laminated on a surface of the substrate and is for use in a semiconductor device production technique employing an exposure light wavelength of 200 nm or shorter, wherein the mask blank has a birefringence, as measured at a wavelength of 193 nm, of 1 nm or less per substrate thickness. According to the present invention, mask blanks suitable for use in the immersion exposure technique and the polarized illumination technique are provided.

    摘要翻译： 本发明提供一种掩模板，其包括由合成石英玻璃制成的基板和层叠在基板的表面上的遮光膜，并且用于使用200nm或更短的曝光光波长的半导体器件制造技术 其中掩模坯料在193nm波长下测得的每个基片厚度为1nm或更小的双折射。 根据本发明，提供适用于浸渍曝光技术和偏振照明技术的掩模坯料。

    MASK BLANKS
    7.
    发明申请
    MASK BLANKS 有权

    公开(公告)号：US20110053059A1

    公开(公告)日：2011-03-03

    申请号：US12941491

    申请日：2010-11-08

    申请人： Shinya Kikugawa ,  Akira Takada ,  Satoru Takaki ,  Yosuke Sato ,  Yasuhiko Akao

    发明人： Shinya Kikugawa ,  Akira Takada ,  Satoru Takaki ,  Yosuke Sato ,  Yasuhiko Akao

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： C03C3/06 ,  C03C17/09 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/23 ,  C03C2217/26 ,  C03C2218/154 ,  G03F1/60

    摘要： The present invention provides a mask blank which comprises a substrate made of a synthetic quartz glass and a light-shielding film laminated on a surface of the substrate and is for use in a semiconductor device production technique employing an exposure light wavelength of 200 nm or shorter, wherein the mask blank has a birefringence, as measured at a wavelength of 193 nm, of 1 nm or less per substrate thickness. According to the present invention, mask blanks suitable for use in the immersion exposure technique and the polarized illumination technique are provided.

    摘要翻译： 本发明提供一种掩模板，其包括由合成石英玻璃制成的基板和层叠在基板的表面上的遮光膜，并且用于使用200nm或更短的曝光光波长的半导体器件制造技术 其中掩模坯料在193nm波长下测得的每个基片厚度为1nm或更小的双折射。 根据本发明，提供适用于浸渍曝光技术和偏振照明技术的掩模坯料。

    TIO2-CONTAINING SILICA GLASS AND OPTICAL MEMBER FOR LITHOGRAPHY USING THE SAME
    10.
    发明申请
    TIO2-CONTAINING SILICA GLASS AND OPTICAL MEMBER FOR LITHOGRAPHY USING THE SAME 有权
    含有二氧化硅的硅胶玻璃和光学元件用于使用它的光刻

    公开(公告)号：US20100317505A1

    公开(公告)日：2010-12-16

    申请号：US12862174

    申请日：2010-08-24

    申请人： Akio KOIKE ,  Yasutomi Iwahashi ,  Shinya Kikugawa

    发明人： Akio KOIKE ,  Yasutomi Iwahashi ,  Shinya Kikugawa

    IPC分类号： C03C3/06

    CPC分类号： C03C3/06 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/23 ,  C03B2201/42 ,  C03C2201/23 ,  C03C2203/44 ,  C03C2203/52 ,  C03C2203/54

    摘要： The present invention is to provide a TiO2—SiO2 glass whose coefficient of linear thermal expansion at the time of irradiating with high EUV energy light becomes substantially zero when used as an optical member of an exposure tool for EUVL. The present invention relates to a TiO2-containing silica glass, having a fictive temperature of 1,000° C. or lower, a OH concentration of 600 ppm or higher, a temperature at which the coefficient of linear thermal expansion becomes 0 ppb/° C. of from 40 to 110° C., and an average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 20 to 100° C., of 50 ppb/° C. or lower.

    摘要翻译： 本发明提供一种TiO 2 -SiO 2玻璃，当用作EUVL的曝光工具的光学部件时，其在高EUV能量光照射时的线性热膨胀系数基本为零。 本发明涉及具有1000℃以下的假想温度，600ppm以上的OH浓度，线性热膨胀系数为0ppb /℃的温度的含TiO 2的二氧化硅玻璃。 在20〜100℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数为50ppb /℃以下。